- •1.Электропроводность полу проводников.
- •3.Прямое и обратное смещение р-п перехода.
- •4.Вольтамперная характеристика.
- •5.Основные параметры р-п перехода.
- •6.Пробой р-п перехода.
- •7.Методы изготовления р-п перехода.
- •8.Выпрямительный диод.
- •10.Варикап.
- •11.Туннельный диод. Обращенный диод.
- •12.Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки.
- •13.Классификация транзисторов.
- •14.Устройство биполярного транзистора.
- •15.Принцип действия транзистора.
- •16.Токи в транзисторе.
- •18.Схемы включения транзистора с об, оэ, ок.
- •19.Основные параметры транзисторов: а) физические б) һ-параметры.
- •20.Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.
- •21.Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).
- •22.Униполярные транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •23.Униполярные транзисторы с изолированным затвором.
- •24.Тиристор, динистор.
- •27.Фотодиод, вах.
- •29.Классификация интегральных схем.
- •30.Усилители. Структурная схема. Классификация.
- •39.Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока (ду с гст)
- •40.Дифференциальный усилнтель с динамической нагрузкой (с зеркалом токов).
- •32.Однокаскадный усилитель.
- •41.Операционный усилитель, общие сведения.
- •42.Операционный усилитель, основные параметры.
- •43.Операционный усилитель, струкгурная и принципиальная схемы.
- •44.Основные логические операции и логические элементы.
- •45Анализ и синтез клс.
- •46Минимизация логических функций.
- •47. Схема ттл транзисторно-транзисторной логики с простым инвертом.
- •48Схема эсл эмитгерно-связанной логики.
- •49 Переключатель тока.
- •55.Схема и - не на мдп и кмдп.
- •56.Мультиплексор
- •57.Демультиплексор.
- •58.Дешифратор.
- •59.Шифратор.
- •60.Триггеры, классификация.
- •65.Регистр хранения.
- •6 6.Регистр сдвига.
- •67. Счетчики суммирующие.
- •68.Счетчики вычитающие.
- •69. Десятичный счетчик.
- •70.Операционный усилитель, внешние цепи.
- •71.0Перационный усилитель с отрицательной обратной связью.
- •79.Тригтер Шмита
- •80.Генераторы сигналов, условия самовозбуждения генератора.
- •82.Мультивибратор.
- •83.Генератор линейно-изменяющегося напряжения.
27.Фотодиод, вах.
Ф
отодиод
– фотоэлектронный прибор, в основе раб
кот лежит фотоэффект в запирающем слое,
возникает ЭДС в p-n
переходе под действием светового
потока.вентильный режим фотодиода –
Евн
= 0:1) при Ф
= 0равновесное состояние, p-n
переход
заперт, следовательно, суммарный ток
через переход равен нулю;2) при Ф
> 0. Если энергия падающего фотона
больше ширины запрещенной зоны, то
валентный электрон перейдёт в зону
проводимости и образуется пара подвижных
носителей - электрон и дырка. дырки
переходят в р-зону,
а электроны – в n-зону
на выводах образуется фотоэдс
Ф=Т∙∙ln[(IФ/I0+1)].*
фотодиодный режим. а) при Ф
= 0 через переход течёт обратный тепловой
ток – I0;б)
под действием Ф
> 0 увеличивается обратный ток –
фототок. Общий ток через диод Iобщ=I0+I
Ф.ВАХ
I=f(U)|Ф=
const
(8.8).в IV
квадранте отражен генераторный режим:1)
при I
= 0 х.х. U
= ф
– фотоэдс;2) при U
= 0 к.з. течет ток Iкз;3)
при RH
0 ток I
= ф
/ RH.В
III
квадранте фотодиодный режим. В I
квадранте – при Ф
= 0 ВАХ как у выпрямительного диода. При
Ф
> 0 Iпр
>> IФ
и IФ
не отличить на фоне Iпр.
2
8.Оптрон-это
активный элемент, сочетающий источник
света и согласованный с ним фотоприемник,
в котором внешний электрический сигнал
преобразуется в оптический, усиливается,
затем снова преобразуется в электрический,
коэффициент усиления должен быть больше
единицы. достоинство – возможность
разделения входной и выходной цепей.а)
оптрон с внешней фотонной связью 8.14
яркость ВВЫХ
изменяется пропорционально ВВХ.
Оптический сигнал преобразуется в
электрич, затем усиливается электронным
усилителем и снова преобразуется в
оптический.
Е
сли
ВВЫХ
> ВВХ
, то имеет место гомохроматическое
усиление излучения, при ВВЫХ
> ВВХ
и разных спектрах – гетерохроматическое
усиление или преобразование излучения.
Можно преобразовывать одну длину волны
в другую. При оптических ФП и ИС происходит
усиление света. б) оптрон с внутренней
фотонной связью (8.16). Электрический
сигнал преобразуется в оптический,
усиливается и вновь преобразуется в
электрический.Оптроны используются
для преобразования, усиления, генерирования,
формирования электрического сигнала
и т.д.
29.Классификация интегральных схем.
Интегральные микросхемы – это неделимый функциональный узел, выполненный по интегральной технологии. Содержит активные (транзистор, диод), пассивные (резистор, конденсатор) элементы и соединения между ними, заключённые в герметичный круглый или прямоугольный миниатюрный корпус с ограниченным числом выводов.делятся:а) по конструктивно – технологическим признакам на: плёночные; гибридные; полупроводниковые или монолитные; совмещенные.б) в зависимости от функционального назначения микросхемы делятся на аналоговые и цифровые.
30.Усилители. Структурная схема. Классификация.
Аналоговые
ЭУ- устройства для усиления, преобразования
и обработки сигналов, изменяющихся по
закону непрерывной ф-ции.делятся:
усилители и устройства на основе
усилителей( преобразователи
R,преобразователи
эл сигналов или устройства аналоговой
обработки сигналов, генераторы сигналов)
*Входной каскад ОУ
состоит из диф усилителя с диф входом
и симметричным выходом. Имеет генератор
стабильного тока. Служит для обеспечения
входных харк:-минимальной величины
дрейфа;-высокого коэффициента усиления
по напряжению;-максимально высокого
Rвх;-подавления
,действующих на входе синфазных
составляющих, обусловленных изменением
температуры окружающей среды, напряжения
питания и т.п.
34.Схемы смещения рабочей точки.
Диоды VD1 и VD2 для создания смещения рабочей точки в выходном каскаде.
35.Схемы термостабилизации и термокомпенсации рабочей точки.
Диод VD служит для термокомпенсации.
37Дифференциальный усилитель.
38 Режимы работы дифференциального усилителя.
Д
У
усиливает
разность входных сигналов (3.1).Строится
на биполярных и униполярных транзисторах.
Он представляет собой сбалансированный
мост. Строится на двух усилителях
постоянного тока с общим Rэ.
Коллекторные нагрузки Rк1
= Rк2.
Идентичные транзисторы VT1
и VT2
вместе с резисторами Rк1
и Rк2
сотавляют плечи моста, в кот включен
источник питания Ек,
и нагрузка Rн.Питание
каскада осуществляется от двух источников
Ек=Еэ суммарное напряжение питания
Е=Ек+Еэ * режимы работы ДУ:а)
режим покоя. Оба входа закорочены на
землю, т.е.
;
Напряжения база-эмиттер покоя равны
минус Uэ
,
напряжение на эмиттере равно
напряжение
на базе
.
Текут токи покоя
.
Они создают одинаковое падение напряжения
на Rк1
и Rк2.
,
а
Достоинства:
-не нужен источник компенсирующей
ЭДС;-уменьшается
дрейф от нестабильности напряжения
питания и от температурной нестабильности.
Например, при увеличении напряжения
питания Ек
или температуры окружающей среды
приращения напряжения на коллекторах
одинаковые
по величине и по знаку, следовательно,
;
б) режим с входными сигналами.
