Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ПОДГОТОВКА для БАУ.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
941.36 Кб
Скачать

21.Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).

В ходной харкой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость входного тока Iб от напряжения Uбэ, Iб =f(Uбэ) при заданном напряжении Uкэ. (5.9,а). При Uкэ =0 тепловой ток Iк0 в цепи К отсутствует и зависимость IБ =f(Uбэ) соответствует ВАХ р-n–перехода, включенного в прямом направлении. При Uкэ>0 в цепи К появляется ток -Iк0, направленный навстречу току Iб. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток Iб= Iк0, приложив соответствующее напряжение Uбэ. Это приводит к смещению входной харки вправо вниз.*Выходной харкой транзистора по схеме с общим э наз зависимость Iк = f(Uкэ) при заданном токе Iб (5.9,б). Если Iб=0, в цепи К протекает только тепловой ток, так как в этом случае инжекция отсутствует. При Uкэ =0 ток в цепи К не проходит, это объясняется тем, что Uбэ и Uкэ направлены встречно друг другу, т.е. потенциал К выше потенциала Б, и коллекторный переход закрыт. при Uк = 0, Iк = 0, так как разность потенциалов на коллекторном переходе равна нулю;в) кривая при Iб = 0 соответствует режиму с оборванной базой. *Харки прямой передачи тока приведены на рисунке 5.10:а) кривые составляют значительно больший угол наклона, чем с ОБ.б) отклонение харак от прямолинейного закона с увеличением тока базы объясняется снижением времени жизни неосновных носителей в базе с ростом уровня инжекции;в) смещение харк в зависимости от Uкэ есть следствие модуляции ширины базы и соответственно роста тока К при уменьшении .

22.Униполярные транзисторы с управляющим р-n переходом.

унитрон – полевой транзистор плоской конфигурации. В транзисторе проводящий канал изолирован от затвора p-n переходами, смещенными в обратном направлении. По каналу между электродами стока и истока протекает ток основных носителей. 6.1. Допустим Uзu<0: а) если Uсu=0, образуется равномерный р-п переход, чем больше напряжение |Uзи |, тем шире переход;б) если напряжение Uсu не равно нулю, то ширина канала неравномерна. Сечение канала сужается от истока к стоку.*Принцип работы основан на изменении сопротивления канала за счет изменения под действием обратного напряжения ширины области р-п перехода, обедненной носителями заряда. При увел Uзи увел р-п переход в сторону канала, поперечное сечение канала уменьш, умен ток стока. При большом напряжении затвора Uзи канал смыкается, ток стремится к нулю. *На выходных харках можно выделить две области: область 1 крутого изменения тока и область П насыщения. При малых Ucи расширение запирающего слоя незначительно. При увеличении Ucи ток стока увеличивается по закону Ома. С некоторого момента наступает насыщение. Наступает своеобразное динамич равновесие: увел тока стока вызывает увел падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Сужение идет в сторону стока. Сечение при этом минимально,ток стока постоянный.*Преимущества: высокое входное сопротивление, малые шумы, простота изготовления, отсутствие в открытом состоянии остаточного напряжения между стоком и истоком открытого транзистора.