21.Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).

В ходной харкой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость входного тока I_б от напряжения U_бэ, I_б =f(U_бэ) при заданном напряжении U_кэ. (5.9,а). При U_кэ =0 тепловой ток I_к0 в цепи К отсутствует и зависимость I_Б =f(U_бэ) соответствует ВАХ р-n–перехода, включенного в прямом направлении. При U_кэ>0 в цепи К появляется ток -I_к0, направленный навстречу току I_б. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток I_б= I_к0, приложив соответствующее напряжение U_бэ. Это приводит к смещению входной харки вправо вниз.*Выходной харкой транзистора по схеме с общим э наз зависимость I_к = f(U_кэ) при заданном токе I_б (5.9,б). Если I_б=0, в цепи К протекает только тепловой ток, так как в этом случае инжекция отсутствует. При U_кэ =0 ток в цепи К не проходит, это объясняется тем, что U_бэ и U_кэ направлены встречно друг другу, т.е. потенциал К выше потенциала Б, и коллекторный переход закрыт. при U_к = 0, I_к = 0, так как разность потенциалов на коллекторном переходе равна нулю;в) кривая при I_б = 0 соответствует режиму с оборванной базой. *Харки прямой передачи тока приведены на рисунке 5.10:а) кривые составляют значительно больший угол наклона, чем с ОБ.б) отклонение харак от прямолинейного закона с увеличением тока базы объясняется снижением времени жизни неосновных носителей в базе с ростом уровня инжекции;в) смещение харк в зависимости от Uкэ есть следствие модуляции ширины базы и соответственно роста тока К при уменьшении .

22.Униполярные транзисторы с управляющим р-n переходом.

унитрон – полевой транзистор плоской конфигурации. В транзисторе проводящий канал изолирован от затвора p-n переходами, смещенными в обратном направлении. По каналу между электродами стока и истока протекает ток основных носителей. 6.1. Допустим Uзu<0: а) если Uсu=0, образуется равномерный р-п переход, чем больше напряжение |Uзи |, тем шире переход;б) если напряжение Uсu не равно нулю, то ширина канала неравномерна. Сечение канала сужается от истока к стоку.*Принцип работы основан на изменении сопротивления канала за счет изменения под действием обратного напряжения ширины области р-п перехода, обедненной носителями заряда. При увел U_зи увел р-п переход в сторону канала, поперечное сечение канала уменьш, умен ток стока. При большом напряжении затвора U_зи канал смыкается, ток стремится к нулю. *На выходных харках можно выделить две области: область 1 крутого изменения тока и область П насыщения. При малых U_cи расширение запирающего слоя незначительно. При увеличении U_cи ток стока увеличивается по закону Ома. С некоторого момента наступает насыщение. Наступает своеобразное динамич равновесие: увел тока стока вызывает увел падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Сужение идет в сторону стока. Сечение при этом минимально,ток стока постоянный.*Преимущества: высокое входное сопротивление, малые шумы, простота изготовления, отсутствие в открытом состоянии остаточного напряжения между стоком и истоком открытого транзистора.