
- •1.Электропроводность полу проводников.
- •3.Прямое и обратное смещение р-п перехода.
- •4.Вольтамперная характеристика.
- •5.Основные параметры р-п перехода.
- •6.Пробой р-п перехода.
- •7.Методы изготовления р-п перехода.
- •8.Выпрямительный диод.
- •10.Варикап.
- •11.Туннельный диод. Обращенный диод.
- •12.Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки.
- •13.Классификация транзисторов.
- •14.Устройство биполярного транзистора.
- •15.Принцип действия транзистора.
- •16.Токи в транзисторе.
- •18.Схемы включения транзистора с об, оэ, ок.
- •19.Основные параметры транзисторов: а) физические б) һ-параметры.
- •20.Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.
- •21.Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).
- •22.Униполярные транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •23.Униполярные транзисторы с изолированным затвором.
- •24.Тиристор, динистор.
- •27.Фотодиод, вах.
- •29.Классификация интегральных схем.
- •30.Усилители. Структурная схема. Классификация.
- •39.Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока (ду с гст)
- •40.Дифференциальный усилнтель с динамической нагрузкой (с зеркалом токов).
- •32.Однокаскадный усилитель.
- •41.Операционный усилитель, общие сведения.
- •42.Операционный усилитель, основные параметры.
- •43.Операционный усилитель, струкгурная и принципиальная схемы.
- •44.Основные логические операции и логические элементы.
- •45Анализ и синтез клс.
- •46Минимизация логических функций.
- •47. Схема ттл транзисторно-транзисторной логики с простым инвертом.
- •48Схема эсл эмитгерно-связанной логики.
- •49 Переключатель тока.
- •55.Схема и - не на мдп и кмдп.
- •56.Мультиплексор
- •57.Демультиплексор.
- •58.Дешифратор.
- •59.Шифратор.
- •60.Триггеры, классификация.
- •65.Регистр хранения.
- •6 6.Регистр сдвига.
- •67. Счетчики суммирующие.
- •68.Счетчики вычитающие.
- •69. Десятичный счетчик.
- •70.Операционный усилитель, внешние цепи.
- •71.0Перационный усилитель с отрицательной обратной связью.
- •79.Тригтер Шмита
- •80.Генераторы сигналов, условия самовозбуждения генератора.
- •82.Мультивибратор.
- •83.Генератор линейно-изменяющегося напряжения.
21.Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).
В
ходной
харкой транзистора, включенного по
схеме с ОЭ, является зависимость входного
тока Iб
от напряжения Uбэ,
Iб
=f(Uбэ)
при заданном напряжении
Uкэ.
(5.9,а). При Uкэ
=0 тепловой
ток Iк0
в цепи К отсутствует и зависимость
IБ
=f(Uбэ)
соответствует ВАХ р-n–перехода,
включенного в прямом направлении. При
Uкэ>0
в цепи К появляется ток -Iк0,
направленный навстречу току Iб.
Для компенсации этого тока в цепи базы
нужно создать ток Iб=
Iк0,
приложив соответствующее напряжение
Uбэ.
Это приводит к смещению входной харки
вправо вниз.*Выходной харкой транзистора
по схеме с общим э наз зависимость Iк
= f(Uкэ)
при заданном
токе Iб
(5.9,б).
Если Iб=0,
в цепи К протекает только тепловой ток,
так как в этом случае инжекция отсутствует.
При Uкэ
=0 ток в цепи
К не проходит, это объясняется тем, что
Uбэ
и Uкэ
направлены
встречно друг другу, т.е. потенциал К
выше потенциала Б, и коллекторный переход
закрыт. при Uк
= 0, Iк
= 0, так
как разность потенциалов на коллекторном
переходе равна нулю;в) кривая при Iб
= 0 соответствует режиму с оборванной
базой. *Харки прямой передачи тока
приведены
на рисунке 5.10:а) кривые составляют
значительно больший угол наклона, чем
с ОБ.б) отклонение харак от прямолинейного
закона с увеличением тока базы объясняется
снижением времени жизни неосновных
носителей в базе с ростом уровня
инжекции;в) смещение харк в зависимости
от Uкэ
есть следствие модуляции ширины базы
и соответственно роста тока К при
уменьшении
.
22.Униполярные транзисторы с управляющим р-n переходом.
унитрон
– полевой транзистор плоской конфигурации.
В транзисторе проводящий канал изолирован
от затвора p-n
переходами, смещенными в обратном
направлении. По каналу между электродами
стока и истока протекает ток основных
носителей. 6.1.
Допустим
Uзu<0:
а) если Uсu=0,
образуется равномерный р-п
переход, чем
больше напряжение |Uзи
|, тем шире переход;б) если напряжение
Uсu
не равно нулю, то ширина канала
неравномерна. Сечение канала сужается
от истока к стоку.*Принцип работы основан
на изменении сопротивления канала за
счет изменения под действием обратного
напряжения ширины области р-п
перехода,
обедненной носителями заряда.
При увел Uзи
увел р-п
переход в сторону канала, поперечное
сечение канала уменьш, умен ток стока.
При большом напряжении затвора Uзи
канал смыкается, ток стремится к нулю.
*На выходных харках можно выделить две
области: область 1
крутого изменения тока и область П
насыщения.
При малых Ucи
расширение
запирающего слоя незначительно. При
увеличении Ucи
ток стока
увеличивается по закону Ома. С некоторого
момента наступает насыщение. Наступает
своеобразное динамич равновесие: увел
тока стока вызывает увел падения
напряжения на
р-п
переходе и
сужение канала, которое уменьшает ток
стока. Сужение идет в сторону стока.
Сечение при этом минимально,ток стока
постоянный.*Преимущества: высокое
входное сопротивление, малые шумы,
простота изготовления, отсутствие в
открытом состоянии остаточного напряжения
между стоком и истоком открытого
транзистора.