
- •1.Электропроводность полу проводников.
- •3.Прямое и обратное смещение р-п перехода.
- •4.Вольтамперная характеристика.
- •5.Основные параметры р-п перехода.
- •6.Пробой р-п перехода.
- •7.Методы изготовления р-п перехода.
- •8.Выпрямительный диод.
- •10.Варикап.
- •11.Туннельный диод. Обращенный диод.
- •12.Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки.
- •13.Классификация транзисторов.
- •14.Устройство биполярного транзистора.
- •15.Принцип действия транзистора.
- •16.Токи в транзисторе.
- •18.Схемы включения транзистора с об, оэ, ок.
- •19.Основные параметры транзисторов: а) физические б) һ-параметры.
- •20.Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.
- •21.Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).
- •22.Униполярные транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •23.Униполярные транзисторы с изолированным затвором.
- •24.Тиристор, динистор.
- •27.Фотодиод, вах.
- •29.Классификация интегральных схем.
- •30.Усилители. Структурная схема. Классификация.
- •39.Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока (ду с гст)
- •40.Дифференциальный усилнтель с динамической нагрузкой (с зеркалом токов).
- •32.Однокаскадный усилитель.
- •41.Операционный усилитель, общие сведения.
- •42.Операционный усилитель, основные параметры.
- •43.Операционный усилитель, струкгурная и принципиальная схемы.
- •44.Основные логические операции и логические элементы.
- •45Анализ и синтез клс.
- •46Минимизация логических функций.
- •47. Схема ттл транзисторно-транзисторной логики с простым инвертом.
- •48Схема эсл эмитгерно-связанной логики.
- •49 Переключатель тока.
- •55.Схема и - не на мдп и кмдп.
- •56.Мультиплексор
- •57.Демультиплексор.
- •58.Дешифратор.
- •59.Шифратор.
- •60.Триггеры, классификация.
- •65.Регистр хранения.
- •6 6.Регистр сдвига.
- •67. Счетчики суммирующие.
- •68.Счетчики вычитающие.
- •69. Десятичный счетчик.
- •70.Операционный усилитель, внешние цепи.
- •71.0Перационный усилитель с отрицательной обратной связью.
- •79.Тригтер Шмита
- •80.Генераторы сигналов, условия самовозбуждения генератора.
- •82.Мультивибратор.
- •83.Генератор линейно-изменяющегося напряжения.
8.Выпрямительный диод.
В
ыпрямительный
диод предназначен для преобразования
переменного тока в постоянный. Используется
свойство односторонней проводимости
р-n-перехода.
Основной характеристикой выпрямительного
диода является его вах. ВАХ р-n-перехода
(1) или теоретическая и диода (2) или
реальная.*Отличия:а) в области малых
прямых токов характеристики совпадают,
в области больших прямых токов становится
значительным падение напряжения на
сопротивлении полупроводников и
электродов. Характеристика идет ниже
и почти линейно;б) при повышении обратного
напряжения ток медленно растет в
результате:1) термической генерации
носителей в переходе. С увеличением
ширины перехода увеличивается его объем
и увеличивается число генерируемых
носителей, т.е. увеличивается тепловой
ток. 2) поверхностной проводимости р-n перехода за счет ионных и молекулярных пленок на поверхности перехода.
9
.
Стабилитрон
− это кремниевый плоскостной диод с
нормированным напряжением пробоя и
резким возрастанием обратного тока в
точке пробоя. Напряжение на нем сохраняется
при изменении проходящего через него
тока в заданном диапазоне. Принцип
действия диода основан на использовании
лавинного пробоя низких обратных
напряжениях.Так как рассеиваемая
мощность мала, лавинный пробой не
переходит в тепловой.Бывают:а) стабилитроны
общего назначения для стабилизации
источников питания, ограничителях
напряжения;
б) прецизионные – с высокой точностью стабилизации и термокомпенсации уровня напряжения;в) импульсные – для стабилизации постоянного и импульсного напряжения;г) двуханодные д) стабисторы – для стабилизации малых значений напряжений.
4.6,б -параметрический стабилизатор напряжения при изменении напряжения Е изменяется ток, протекающий через стабилитрон, а напряжение на стабилитроне и подключенной параллельно ему нагрузке практически не меняется.
линия нагрузки E = IСТ Rб + UСТ на вах. При IСТ = 0 UСТ = Е, при UСТ = 0 IСТ =E/Rб.
Основные
параметры:а) напряжение стабилизации
UСТ;б)
минимальный IСТ
min
и максимальный IСТ
mах
токи
стабилизации;в) максимально допустимая
рассеиваемая мощность Рmах
;г) дифференциальное сопротивление rдф
= dUCТ
/
dICТ
;д)температурный коэффициент напряжения
-
отношение относительного изменения
UCT
к изменению темпер при пост токе стабилиз
10.Варикап.
П
ринцип
действия основан на зависимости барьерной
емкости р-n
перехода от приложенного обратного
напряжения. Варикап представляет собой
управляемую емкость. На рис 4.7 зависимость
емкости варикапа от приложенного
обратного напряжения.
Емкость
варикапа обратно пропорциональна
приложенному обратному напряжению.
В
арикапы
изготавливаются из кремния. Используются
в качестве элементов с электрически
управляемой емкостью. Чаще всего
применяют в системах дистанционного
управления и автоматической подстройки
частоты.
На рис 4.8 схема включения варикапа в колебательный контур в качестве переменной емкости. R1 включен, чтобы добротность контура не понижалась от влияния R. Cр– разделительная емкость, чтобы постоянное напряжение не проходило на катушку. Изменяя с помощью R обратное напряжение Uобр, можно менять резонансную частоту fрез контура.