
- •1.Электропроводность полу проводников.
- •3.Прямое и обратное смещение р-п перехода.
- •4.Вольтамперная характеристика.
- •5.Основные параметры р-п перехода.
- •6.Пробой р-п перехода.
- •7.Методы изготовления р-п перехода.
- •8.Выпрямительный диод.
- •10.Варикап.
- •11.Туннельный диод. Обращенный диод.
- •12.Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки.
- •13.Классификация транзисторов.
- •14.Устройство биполярного транзистора.
- •15.Принцип действия транзистора.
- •16.Токи в транзисторе.
- •18.Схемы включения транзистора с об, оэ, ок.
- •19.Основные параметры транзисторов: а) физические б) һ-параметры.
- •20.Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.
- •21.Характеристики с оэ (входные, выходные, прямой передачи тока).
- •22.Униполярные транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •23.Униполярные транзисторы с изолированным затвором.
- •24.Тиристор, динистор.
- •27.Фотодиод, вах.
- •29.Классификация интегральных схем.
- •30.Усилители. Структурная схема. Классификация.
- •39.Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока (ду с гст)
- •40.Дифференциальный усилнтель с динамической нагрузкой (с зеркалом токов).
- •32.Однокаскадный усилитель.
- •41.Операционный усилитель, общие сведения.
- •42.Операционный усилитель, основные параметры.
- •43.Операционный усилитель, струкгурная и принципиальная схемы.
- •44.Основные логические операции и логические элементы.
- •45Анализ и синтез клс.
- •46Минимизация логических функций.
- •47. Схема ттл транзисторно-транзисторной логики с простым инвертом.
- •48Схема эсл эмитгерно-связанной логики.
- •49 Переключатель тока.
- •55.Схема и - не на мдп и кмдп.
- •56.Мультиплексор
- •57.Демультиплексор.
- •58.Дешифратор.
- •59.Шифратор.
- •60.Триггеры, классификация.
- •65.Регистр хранения.
- •6 6.Регистр сдвига.
- •67. Счетчики суммирующие.
- •68.Счетчики вычитающие.
- •69. Десятичный счетчик.
- •70.Операционный усилитель, внешние цепи.
- •71.0Перационный усилитель с отрицательной обратной связью.
- •79.Тригтер Шмита
- •80.Генераторы сигналов, условия самовозбуждения генератора.
- •82.Мультивибратор.
- •83.Генератор линейно-изменяющегося напряжения.
47. Схема ттл транзисторно-транзисторной логики с простым инвертом.
Т
ТЛ
(2.17) ‑ результат развития
ДТЛ. Матрица
диодов заменяется многоэмиттерным
транзистором (МЭТ).
Это интегральный прибор, объединяющий функции диодных логических схем и транзисторного усилителя. ТТЛ относится к потенциальным элементам, выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала (логический 0) хотя бы на одном из входов МЭТ последний находится в состоянии насыщения, а VT1 закрыт. На выходе схемы присутствует высокий уровень напряжения (логическая 1). При высоком уровне сигнала на всех входах МЭТ работает в активном инверсном режиме (эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный – в прямом), VT1 находится в состоянии насыщения. На выходе схемы низкий уровень сигнала, т.е. ноль.
48Схема эсл эмитгерно-связанной логики.
49 Переключатель тока.
О
собенность
ЭСЛ
- схема логического элемента строится
на основе интегрального
дифференциального усилителя (ДУ)
в ключевом режиме,
выполненный на двух транзисторах (2.24),
кот могут
переключать
ток и никогда
не входят в режим насыщения. Функционально
схема ЭСЛ состоит из трех узлов: а)
токового переключателя
б) источника опорного напряжения в)
выходных эмиттерных повторителей,ускоряющие
процесс заряда емкости нагрузки,Rвых
мало, Iвых
большой. Парафазный выход позволяет
снимать прямые и инверстные значения,
умен число микросхем. Можно объединить
выходы элементов для расширения
возможностей.
Условное
обозначение ЭСЛ имеет вид
50Логические элементы на МДП. См51,54,55
51Схема НЕ – на МДП с линейной нагрузкой.
52Схема НЕ – на МДП с нелинейной нагрузкой.
Т
ранзистор
VT1
работает в ключевом режиме,
VT2
– всегда в активном. VT2
является нелинейной
нагрузкой.
При подаче на вход х
0 VT1
запирается, VT2
близок к насыщению, на выходе 1. При
подаче на вход х
1 VT1
отпирается, VT2
близок к отсечке, на выходе 0. Выполняется
операция
;
53Схема НЕ на КМДП.
О
снова-
каскад на двух соединенных
стоками МДП-транзисторах
VT1
и
VT2
(2.34)
с
различными типами проводимости.
Для КМДП
принято, чтобы единица отображалась
высоким уровнем, а ноль – низким. При
подаче на вход 1
транзистор VT1
открывается,
а транзистор VT2
закрывается.
На
выходе 0.
При подаче на вход 0 транзистор
VT1
закрыт,
а транзистор VT2
открыт.
на выходе каскада —1.
54.Схема ИЛИ - НЕ на МДП и КМДП.
в
двухвходовой схеме ИЛИ-НЕ на МДП ( 2.32)
входные транзисторы VT1
и VT2
соединены параллельно. Если хотя бы на
один из входов подана 1, соответствующий
транзистор отпирается, и на выходе схемы
будет 0. И только при подаче на все входы
схемы 0 транзисторы VT1
и VT2
запрутся, и на выходе появится 1. *Схема
ИЛИ-НЕ на КМДП 2.35.
Если на оба входа поданы 0,
то транзисторы VT3
и VT4
будут открыты,
так как имеют канал
с проводимостью р-типа, а транзисторы
VT1
и
VT2
—
закрыты,
так как имеют канал с проводимостью
n-типа.
Установится 1.
При подаче 1 хотя бы
на один из входов соответствующий
транзистор VT3
или
VT4
закроется,
а транзистор VT1
или
VT2
соответственно
откроется. На выходе 0.