1.5.Плазменное травление.

Плазменное травление – это использование газоразрядной плазмы для удаления вещества с поверхности детали. Применяется для формирования проводящих дорожек и контактных площадок при производстве печатных плат. Реакторы в этой технологии часто делают цилиндрическими и больших объемов позволяя загрузить большое количество обрабатываемых подложек. Одновременно можно обрабатывать от 20 до 100 подложек. Одним из основных параметров процесса является рабочее давление.

Виды травления:

• Химическое (жидкое)

• Электрохимическое

• Ионно-плазменное (сухое)

Химическое травление использует жидкие травители которые соприкасаются с обрабатываемой поверхностью. Электрохимическое травление предполагает использование электрического поля.

При ионно-плазменном травлении обрабатываемую деталь необходимо разместить вблизи действия плазмы это позволяет обработать большую площадь равномерно. Процессы ионно плазменного травления проводятся в вакууме порядка 0,5-10^-4 Па. [7]

1.6.Нанесение тонких пленок в вакууме.

Для нанесения тонкой пленки на полупроводниковую подложку необходимо сгенерировать направленный поток частиц направленный в сторону обрабатываемой подложки. Тонкопленочный слой образуется на поверхности за счет конденсации. Установки нанесения тонких пленок состоят из вакуумной системы, генератора потока частиц транспортно-позиционирующих устройств. Вакуумная система должна обеспечивать вакуум порядка 10^-5- 10^-7 Па.

Процесс нанесения пленки можно разделить на несколько этапов

1. Установка подложки в вакуумную камеру

2. Откачка объема до рабочего вакуума

3. Включение генератора потока частиц

4. Нанесение пленки

5. Охлаждение подложки и напуск воздуха в камеру

6. Извлечение обработанных подложек из рабочей камеры

Используют два метода генерации потока частиц – это термическое испарение и ионное распыление.

Метод термического испарения основан на нагреве веществ в специальных испарителя электронно-лучевым способом или резистивным. Испаренные частицы осаждаются на подложке образуя небольшие скопления частиц которые потом формируются в пленку.

Метод ионного распыления основан на том, что поток частиц образуется от бомбардировки мишени изготовленной из осаждаемого материала. [8]

1.7.Масс-спектрометрический течеискатель.

Масс-спектрометрический течеискатель представляет собой упрощенный течеискатель для малых количеств индикаторного газа. Масс-спектрометрический течеискатель применяют для обнаружения неплотностей в лабораторных и производственных условиях.

Для обнаружения течей в откаченный объем запускают газ, чаще всего это бывает гелий. Далее проводят щупом чувствительным к гелию по местам возможных утечек. Установки состоят из Вакуумной системы, масс-спектрометрического течеискателя и блоков контроля и управления.

Выбор газа не случаен, гелий дешев, безопасен в применении. Он обладает малой молекулярной массой и способен проникать в малые щели.[9]

Все основные характеристики вакуумных технологий сведены в таблицу 1

Технология	Па	V3. М3	W, кВт	S , м2	Откачиваемые газы	t, °C
Молекулярно-лучевая эпитаксия	10-7-10-11	0,1-0,4		0,02-2,4	Атмосферный газ	400°-800°
Нанесение тонких пленок в высоком вакууме	10-5 -10-7	0,2-0,6	5,5 - 30	1,5-7,5	Ar N2 O2 CH4 Атмосферный газ	350°
Электронная микроскопия	1-10-7	0,1-0,2	1 - 5	0.12- 5	Ar Атмосферный газ	-30° - 60°
Масс-спектрометрическое Течеискание	10-6-10-10	-	0,4-1	0,15 -0,3	He Атмосферный газ	10°-35°
Электронная литография	1-10-4	0,2-0,6	4-6	0,5-2	Атмосферный газ	25°
Плазменное травление	0,5 -5*10-4	0,2-1	2 – 5	0,6-1,5	Атмосферный газ	-20°..60°
Ионная имплантация	10-3-10-6	0,4-0,6	20-35	9-12	Атмосферный газ	600°

Таблица 1 – Сравнение характеристик вакуумных технологий.

Pраб – рабочее давление S – занимаемая площадь

V – откачиваемый объем W – потребляемая мощность

t – рабочая температура