Навесные компоненты гис
В ГИС применяются как активные, так и пассивные навесные компоненты. В качестве активных навесных компонентов ГИС применяют бескорпусные диоды и диодные матрицы, корпусные диоды и транзисторы в миниатюрном исполнении, бескорпусные полупроводниковые микросхемы и кристаллы; в качестве пассивных навесных компонентов – конденсаторы, наборы прецизионных конденсаторов и резисторов, выполненных на отдельных платах, трансформаторы.
Способ монтажа дискретного компонента на подложку ГИС должен обеспечивать отвод теплоты, сохранение целостности ГИС при термоциклировании, стойкость к вибрациям и ударам, отсутствие загрязнений, возможность последующей сборки и герметизации микросхемы.
Для крепления к подложке компонентов с гибкими и балочными выводами используют термостойкие клеи. Толщина клеевого соединения 0,05 – 0,1 мм. Компоненты с металлизированными основаниями можно прикрепить к подложке с помощью припоя или эвтектических сплавов.
Соединение выводов навесных компонентов с контактными площадками микросхемы, а также контактных площадок с выводами корпуса осуществляют сваркой (термокомпрессией, ультразвуковой и др.), а также пайкой низкотемпературными припоями.
Сборка микросхемы в корпус
После резки подложки на отдельные платы, последующей приклейки платы к основанию корпуса специальной пленкой или клеем и монтажа дискретных компонентов проводится герметизация ГИС. Герметизация предусматривает окончательную защиту ГИС от климатических и механических воздействий, оговоренных техническими условиями на микросхему или аппаратуру. Этим определяется выбор конструкции корпуса и технологии его герметизации. Для тонкопленочных ГИС обычно используют металлостеклянные и металлополимерные корпуса. В первом случае герметизация проводится с помощью сварки, а во втором – заливкой компаундом.
АППАРАТУРА
Для выполнения работы используется следующая аппаратура:
лабораторный макет, состоящий из кассет с образцами;
микроскоп;
лупа.
ВНИМАНИЕ! Пластины с образцами очень хрупки. После рассмотрения пластин сразу же вставьте их в кассету.
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
1. Ознакомьтесь с описанием техпроцесса и маршрутной картой изготовления изделия 1.
2. Определите наименование операций, выполненных для изделия 1.
3. Укажите характерные признаки каждой операции.
4. Укажите явные и возможные виды и причины брака каждой операции.
5. В соответствии с вариантом задания нужно измерить: сопротивления резисторов R3 и R9 до и после подгонки изделия 1, принципиальная электрическая схема которого представлена на рис. 2.5.
Методические указания
При формировании элементов ГИС резистивные пленки всегда имеют более темный зеркальный оттенок, чем проводящие пленки.
При последовательном напылении резистивной и проводящей пленок на всю поверхность подложки на ее краях можно видеть границу напыления каждого слоя.
Рисунок 2.5 Электрическая схема изделия 1
Контрольные вопросы
1) Какие методы формирования конфигураций пленочных элементов Вы знаете?
2) Какова последовательность нанесения слоев пленочных элементов при изготовлении масочным методом гибридных интегральных схем, содержащих:
- резисторы, проводники и конденсаторы?
- резисторы, проводники и пересечения пленочных проводников?
- резисторы, проводники, пересечения пленочных проводников, конденсаторы?
3) Какова последовательность нанесения слоев пленочных элементов при изготовлении фотолитографическим методом гибридных интегральных схем, содержащих:
- резисторы и проводники?
- проводники и контактные площадки?
- резисторы с разными сопротивлениями пленки и проводники?
4) Какова последовательность нанесения слоев пленочных элементов при совмещении масочного и фотолитографического методов для изготовления гибридных интегральных схем, содержащих:
- резисторы и проводники?
- резисторы, проводники и конденсаторы?
5) Назовите методы герметизации ГИС.
6) Какие корпуса используются для тонкопленочных ГИС.
7) Назовите методы монтажа дискретных элементов на плате тонкопленочных ГИС.
8) Назовите методы электрического контактирования дискретных элементов с пленочными элементами на плате.
9) Какие материалы применяются для создания резистивных тонкопленочных элементов?
10) Какие материалы применяются для создания тонкопленочных конденсаторов?
11) Как и с использованием каких материалов формируется металлическая разводка тонкопленочных ГИС.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3
ИЗУЧЕНИЕ ТЕХПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИС НА ПОЛИИМИДНОМ НОСИТЕЛЕ И ТЕХПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТИТАЛАНОВОЙ ПОДЛОЖКИ
Цель работы:
Изучить процесс изготовления гибридных микросхем на полиимидном носителе
Изучить технологический процесс изготовления титалановой подложки
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ