- •Термины и определения (гост 17021-88)
- •Характеристика полупроводниковых пластин
- •Методы нанесения тонких пленок.
- •Навесные компоненты гис
- •Сборка микросхемы в корпус
- •Методические указания
- •Контрольные вопросы
- •Технологический процесс изготовления фольгового чувствительного элемента на полиимидном носителе
- •Технологический маршрут изготовления тонкопленочной имс на полиимидном носителе
- •Технологический маршрут изготовления титалановых подложек
- •Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры бис на биполярных транзисторах (1051ха3)
- •Определение толщины пленок двуокиси кремния
- •Определение толщины эпитаксиальных и диффузионных слоев
- •Зависимость цвета термически выращенной пленки двуокиси кремния от ее толщины
- •Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры ис на биполярных транзисторах (133лаз)
- •Маршрутная карта технологического процесса
- •Маршрутная карта технологического процесса кмдп имс с поликремниевыми затворами.
- •Конструктивные исполнения бескорпусных бис
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Технология сборки и монтажа бескорпусных имс на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами
- •Бескорпусная защита имс, смонтированных на полиимидных носителях
- •Значения коэффициентов диффузии влаги для герметизирующих полимерных материалов
- •Термины и определения (гост 17021-88)
- •Параметры интегральных микросхем
- •Классификация и система обозначений микросхем
- •Подложки гис
- •Требования к подложкам
- •Элементы гис
- •Компоненты гис
- •Корпусные и бескорпусные гис
- •Топология гис
- •Технологические требования и ограничения
- •Схемотехнические требования и ограничения
- •Конструктивные требования и ограничения
- •Последовательность нанесения слоев тонкопленочной гибридной микросхемы
- •Последовательность нанесения слоев толстопленочной микросхемы
- •Изучение подложек гис
- •Изучение конструкций гис
- •Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс Конструкция и топология резисторов
- •Характеристики интегральных резисторов
- •Конструкция конденсаторов
- •Параметры интегральных конденсаторов
- •Конструкции диодов
- •Параметры диодов
- •Конструкция биполярных транзисторов
- •Конструкции мдп - транзисторов
- •Вспомогательные элементы пимс
- •Способы изоляции элементов
- •Характеристики и параметры изучаемых имс
- •Основная литература
- •Дополнительная литература
Термины и определения (гост 17021-88)
Микросхема – микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов.
Интегральная микросхема (ИМС) – микросхема, ряд элементов которой нераздельно выполнен и электрически соединен между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.
Элемент интегральной микросхемы – часть интегральной микросхемы, выполняющая функцию какого-либо радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от подложки или кристалла и не может быть выделена как самостоятельное изделие.
Примечание: под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор.
Компонент интегральной микросхемы – часть интегральной микросхемы, выполняющая функцию какого-либо радиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие.
Пленочная интегральная микросхема – интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Пленочные ИМС могут быть толстопленочными и тонкопленочными.
Тонкопленочная интегральная микросхема – пленочная ИМС с толщиной пленок до 10-6 м. Элементы тонкопленочной ИМС наносятся преимущественно методами термовакуумного осаждения и катодного распыления (рис. 9.1).
Толстопленочная интегральная микросхема – пленочная ИМС с толщиной пленок свыше 10-6 м. Элементы тонкопленочной ИМС наносятся на подложку методами трафаретной печати путем продавливания паст (проводящих, диэлектрических, резистивных) через специальный сетчатый трафарет. Нанесенные на подложку пасты высушиваются, а затем вжигаются в подложку.
Гибридная интегральная микросхема – интегральная микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и (или) кристаллы. Кристалл – часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы все элементы полупроводниковой интегральной микросхемы.
Корпус интегральной микросхемы – часть конструкции ИМС, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями с помощью выводов.
Подложка интегральной микросхемы – заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
Плата интегральной микросхемы – часть подложки (подложка) гибридной или пленочной ИМС на поверхности которой сформированы все пленочные элементы, соединения и контактные площадки.
Контактная площадка – металлизированный участок на плате, служащий для соединения выводов элементов, компонентов, кристаллов, перемычек, а также контроля электрических параметров и режимов функционирования.
Бескорпусная интегральная микросхема – кристалл полупроводниковой ИМС, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную схему.
Микросборка – микросхема, состоящая из различных элементов и (или) интегральных микросхем, которые имеют отдельное конструктивное оформление и могут быть использованы до сборки и монтажа в изделие. Элемент микросборки имеет внешние выводы, корпус и рассматривается как отдельное изделие.
Рис. 9.1. Тонкопленочная ГИС. 1 – подложка; 2 – транзистор; 3 – проволочные проводники; 4 – резистор; 5 – конденсатор ( навесной ); 6 – паянный шов; 7 – контактные площадки; 8 – пленочные проводники.
