- •Термины и определения (гост 17021-88)
- •Характеристика полупроводниковых пластин
- •Методы нанесения тонких пленок.
- •Навесные компоненты гис
- •Сборка микросхемы в корпус
- •Методические указания
- •Контрольные вопросы
- •Технологический процесс изготовления фольгового чувствительного элемента на полиимидном носителе
- •Технологический маршрут изготовления тонкопленочной имс на полиимидном носителе
- •Технологический маршрут изготовления титалановых подложек
- •Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры бис на биполярных транзисторах (1051ха3)
- •Определение толщины пленок двуокиси кремния
- •Определение толщины эпитаксиальных и диффузионных слоев
- •Зависимость цвета термически выращенной пленки двуокиси кремния от ее толщины
- •Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры ис на биполярных транзисторах (133лаз)
- •Маршрутная карта технологического процесса
- •Маршрутная карта технологического процесса кмдп имс с поликремниевыми затворами.
- •Конструктивные исполнения бескорпусных бис
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Технология сборки и монтажа бескорпусных имс на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами
- •Бескорпусная защита имс, смонтированных на полиимидных носителях
- •Значения коэффициентов диффузии влаги для герметизирующих полимерных материалов
- •Термины и определения (гост 17021-88)
- •Параметры интегральных микросхем
- •Классификация и система обозначений микросхем
- •Подложки гис
- •Требования к подложкам
- •Элементы гис
- •Компоненты гис
- •Корпусные и бескорпусные гис
- •Топология гис
- •Технологические требования и ограничения
- •Схемотехнические требования и ограничения
- •Конструктивные требования и ограничения
- •Последовательность нанесения слоев тонкопленочной гибридной микросхемы
- •Последовательность нанесения слоев толстопленочной микросхемы
- •Изучение подложек гис
- •Изучение конструкций гис
- •Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс Конструкция и топология резисторов
- •Характеристики интегральных резисторов
- •Конструкция конденсаторов
- •Параметры интегральных конденсаторов
- •Конструкции диодов
- •Параметры диодов
- •Конструкция биполярных транзисторов
- •Конструкции мдп - транзисторов
- •Вспомогательные элементы пимс
- •Способы изоляции элементов
- •Характеристики и параметры изучаемых имс
- •Основная литература
- •Дополнительная литература
Значения коэффициентов диффузии влаги для герметизирующих полимерных материалов
Материал |
Коэффициент диффузии влаги D, м /с |
Назначение материала |
Компаунд ЭК-16 "Б" |
6,4x10-13 |
Герметизация заливкой |
Кремнийорганический эластомер |
8,2x10-13 |
Тоже |
Компаунд ЭКМ |
7,1x4x10-13 |
Бескорпусная и корпусная герметизация полупроводниковых ИМС |
Порошковый компаущ ПЭП-177 |
1,14х10-12 |
Бескорпусная герметизация толстопленочных гибридных ИМС вихревым напылением |
Тиксотропный компаунд Ф-47 |
1,5х10-12 |
Герметизация толстопленочных гибридных ИМС |
Тиксотропный компаунд ЭК-91 |
3,0x10-12 |
Тоже |
Таблетируемый компаунд ПЭК-19 |
2,1х10-12 |
Герметизация заливкой |
Эмаль ЭП-91 |
1,08х10-13 |
Бескорпусная герметизация |
Лак АД-9103 |
1,21х10-13 |
Бескорпусная герметизация полупроводниковых ИМС |
Эмаль КО-97 |
1,1х10-13 |
То же |
ЛакУР-231 |
3,5x10-12 |
Бескорпусная герметизация гонкопленочных гибридных ИМС |
Лак ФП-525 |
1,18х10-12 |
То же |
Покрытие СИЭЛ |
6,1х10-13 |
Бескорпусная герметизация полупроводниковых ИМС |
Для защиты полупроводниковых приборов и ИМС используется достаточно широкая номенклатура органических полимерных материалов. Наибольшее распространение получили кремнийорганические защитные компаунды, эпоксидные и полиимидные композиции.
Для защиты поверхности кристаллов БИС, собранных на гибкой полиимидной плате с алюминиевой металлизацией, нашел применение полиимидный лак АД-9103. После нанесения лака на поверхность кристаллов проводят его имидизацию – термическую циклизацию. При этом происходит удаление растворителя и влаги из покрытия:
Термический режим имидизации – ступенчатый (Тmax = 325 ± 15 °С).
Для устранения коробления полиимидного покрытия и дополнительного увеличения прочности сварных соединений внешних Аl выводов к золоту на стадии изготовления гибкой платы применяют дополнительную термообработку при 300 °С. Покрытие из лака АД-9103 прозрачное, слегка желтоватое.
Технологические процессы сборки и монтажа бескорпусных ИМС включают следующие основные операции для создания защитных покрытий на кристаллах:
сушку изделий (смонтированных на ПН кристаллов) перед нанесением покрытия;
нанесение защитного покрытия из полимерного материала;
сушку (термообработку) защитного покрытия;
контроль внешнего вида ИМС после сушки.
Технология обеспечивает качество и надежность изготавливаемых бескорпусных интегральных микросхем на гибких полиимидных носителях.
Пути дальнейшего совершенствования технологии полимерной защиты бескорпусных ИМС, монтируемых на гибких ПН, – повышение адгезии покрытия к поверхности кристалла, уменьшение содержания ионогеиных примесей в защитном покрытии, снижение влияния на ИМС отрицательных факторов (внутренних механических напряжений, высокотемпературных воздействий и др.), применение для защиты поверхности кристаллов кремнийорганических материалов, отверждаемых по механизму полиприсоединения.
АППАРАТУРА
Для выполнения работы используется следующая аппаратура:
лабораторный макет, состоящий из кассет с образцами;
микроскоп.
ВНИМАНИЕ! При выполнении лабораторной работы совершенно недопустимо касаться пальцами поверхности образцов. О замеченных неисправностях сообщите преподавателю.
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
Изучить технологический процесс сборки и монтажа ИМС с гибкими ленточными выводами на алюминиевых полиимидных носителях.
2. Изучить конструктивно-технологические особенности ИМС
3. Рассчитать необходимые толщины защитного полимерного покрытия для бескорпусной герметизации ИМС, обеспечивающие влагозащиту ИМС в течение, одного месяца t1 и одного года t2.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
Каковы особенности и тенденции развития современных методов сборки и монтажа?
Для достижения каких целей используются сборочные и монтажные операции?
Какие методы микросварки вам известны?
Особенности проволочного монтажа: материалы, методы реализации.
Методы беспроволочного монтажа.
Какие конструкции ленточных носителей вам известны?
Какие материалы используются для создания ленточных носителей?
Какие зоны различают в конструкции полиимидного носителя?
Какие конструкции выводов ленточного носителя вам известны? Охарактеризуйте их.
Каковы конструктивные особенности измерительного полиимидного носителя?
Каков состав основных операций технологии сборки и монтажа ИМС на алюминиевых полиимидных носителях?
Для чего необходима бескорпусная защита ИМС полимерными материалами?
Какие полимерные материалы используются в настоящее время для бескорпусной защиты ИМС?
Каковы пути дальнейшего усовершенствования технологии полимерной защиты бескорпусных ИМС?
В чем разница между монтажом и сборкой?
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 9
ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ, ТОПОЛОГИИ И КОНСТРУКЦИИ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Цель работы: изучить подложки ГИС; изучить конструкции и топологии микросхем (ГИС)
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
