- •Термины и определения (гост 17021-88)
- •Характеристика полупроводниковых пластин
- •Методы нанесения тонких пленок.
- •Навесные компоненты гис
- •Сборка микросхемы в корпус
- •Методические указания
- •Контрольные вопросы
- •Технологический процесс изготовления фольгового чувствительного элемента на полиимидном носителе
- •Технологический маршрут изготовления тонкопленочной имс на полиимидном носителе
- •Технологический маршрут изготовления титалановых подложек
- •Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры бис на биполярных транзисторах (1051ха3)
- •Определение толщины пленок двуокиси кремния
- •Определение толщины эпитаксиальных и диффузионных слоев
- •Зависимость цвета термически выращенной пленки двуокиси кремния от ее толщины
- •Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры ис на биполярных транзисторах (133лаз)
- •Маршрутная карта технологического процесса
- •Маршрутная карта технологического процесса кмдп имс с поликремниевыми затворами.
- •Конструктивные исполнения бескорпусных бис
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Технология сборки и монтажа бескорпусных имс на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами
- •Бескорпусная защита имс, смонтированных на полиимидных носителях
- •Значения коэффициентов диффузии влаги для герметизирующих полимерных материалов
- •Термины и определения (гост 17021-88)
- •Параметры интегральных микросхем
- •Классификация и система обозначений микросхем
- •Подложки гис
- •Требования к подложкам
- •Элементы гис
- •Компоненты гис
- •Корпусные и бескорпусные гис
- •Топология гис
- •Технологические требования и ограничения
- •Схемотехнические требования и ограничения
- •Конструктивные требования и ограничения
- •Последовательность нанесения слоев тонкопленочной гибридной микросхемы
- •Последовательность нанесения слоев толстопленочной микросхемы
- •Изучение подложек гис
- •Изучение конструкций гис
- •Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс Конструкция и топология резисторов
- •Характеристики интегральных резисторов
- •Конструкция конденсаторов
- •Параметры интегральных конденсаторов
- •Конструкции диодов
- •Параметры диодов
- •Конструкция биполярных транзисторов
- •Конструкции мдп - транзисторов
- •Вспомогательные элементы пимс
- •Способы изоляции элементов
- •Характеристики и параметры изучаемых имс
- •Основная литература
- •Дополнительная литература
Технология сборки и монтажа бескорпусных имс на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами
Технологический процесс (ТП) сборки предусматривает следующие основные операции:
разделение пластин на кристаллы;
установку кристалла на гибком носителе.
ТП монтажа включает следующие основные операции:
присоединение выводов;
защиту поверхности кристалла;
измерение параметров ИМС и электротермотренировку.
Бескорпусная защита имс, смонтированных на полиимидных носителях
Современная технология изготовления ИМС предусматривает обычно защиту поверхности полупроводникового кристалла тонкими неорганическими пленками SiO2, Si3N4, Al2O3, легкоплавких стекол, основное назначение которых заключается в стабилизации состояния поверхности. В ряде случаев они не являются достаточно надежной защитой от воздействия окружающей среды (паров воды, агрессивных газов), внешних загрязнений, механических воздействий, не способны обеспечить укрепление конструкции и электрических выводов ИМС.
Для бескорпусных ИМС период от сборки и монтажа ИМС до установки их в блок МЭА и герметизации в составе блока довольно продолжителен. При эксплуатации в герметичном объеме блока МЭА ИМС испытывают воздействие знакопеременных температур, механических ускорений и вибрации, подвергаются влиянию паров воды, других компонентов парогазовой среды и т.д. Поэтому, помимо защиты тонкими пленками неорганических материалов, для бескорпусных ИМС применяют защиту органическими полимерными материалами, к которым предъявляется целый комплекс требований по физико-механическим и электрофизическим свойствам.
Защитные полимерные материалы должны обладать следующими свойствами:
иметь высокую адгезию к материалам конструкции, достаточно высокую прочность, малые внутренние напряжения для надежного укрепления конструкции и электрических выводов бескорпусных ИМС;
иметь минимальную усадку при отверждении, сохранять в диапазоне рабочих температур достаточную эластичность, иметь близкие с материалом конструкции значения ТКР;
иметь высокое удельное объемное электрическое сопротивление, минимальную поляризуемость, чтобы не влиять на перераспределение зарядов в подзатворном диэлектрике;
быть коррозионно пассивными по отношению к металлам и сплавам электрических межсоединений и выводов ИМС, иметь минимальное количество ионогенных примесей, которые могут интенсифицировать процессы коррозии, привести к термополевой нестабильности параметров ИМС и другим отрицательным последствиям;
быть гидрофобными, обеспечивать стабильность поверхностного состояния полупроводника и электрических параметров ИМС в условиях повышенной влажности и необходимое время влагозащиты;
быть термо- и радиационно устойчивыми, иметь незначительное газовыделение при повышенных температурах;
легко наноситься на поверхности изделия и отверждаться за сравнительно короткий срок.
Потеря работоспособности ИМС в бескорпусном исполнении, защищенных органическими полимерными материалами или герметизированных в монолитные корпуса, вызывается поглощением герметизирующим полимерным материалом влаги и увлажнением поверхности ИМС. Отказ ИМС наступает при достижении критической концентрации, соответствующей критическому давлению паров воды. Время, в течение которого на поверхности ИМС достигается критическая концентрация влаги, определяют из выражения
где Ркр – критическое давление паров воды, приводящее к отказу; Р0 – парциальное давление паров воды окружающей среды; d – толщина герметизирующей оболочки; D – коэффициент диффузии молекул воды в герметизирующей оболочке, м /с.
Как видно из формулы, время определяется толщиной герметизирующего материала d, коэффициентом диффузии воды D в нем и отношением Ркр/Р0. Формула предполагает, что с поверхностью ИМС полимер имеет слабую адгезию.
