Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов
Выполнил (а) ст-т (ка) гр. _____ _______________
Проверил _______________
Общие сведения
Транзистор (рис. 4.1.1) представляет собой полупроводниковый триод, у
которого тонкий р-проводящий слой помещен между двумя п-проводящими слоями (n-p-n транзистор) или n-проводящий слой помещен между двумя p- проводящими слоями (p-n-p транзистор).
p-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.
Носители заряда, которые ускоряются от эмиттера через проводящий p-n переход в чрезвычайно узкую зону базы, проникают в противоположный запертый p-n переход между коллектором и базой и могут притекать к коллектору. Ток базы IБ меньше тока эмиттера IЭ на величину тока коллектора IК :
IБ = IЭ - IК
С другой стороны, на величину тока коллектора влияет ток базы. Отношение этих двух токов именуется коэффициентом усиления по току В:
В = IК∕ IБ
Усиление по току при малых сигналах определяется так
β = ∆IК ∕∆IБ
Способ подсоединения транзистора к рабочему напряжению (+ или -) зависит от типа транзистора. У n-p-n транзисторов база и коллектор положительны по отношению к эмиттеру, а у p-n-p транзисторов - отрицательны.
Лабороторная работа №3
Цель работы: Изучите влияние тока коллектора на ток базы в статике применительно к n-p-n транзистору.
Порядок выполнения
• Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.2.1) и приложите к ней напряжение постоянного тока 15 В. Измерьте ток базы IБ при разомкнутой цепи коллектора (потенциометр отсутствует) и занесите его величину в табл.4.2.1.
Рис 4.2.1
• Включите в цепь потенциометр и установите последовательно значения тока коллектора, указанные в табл.4.2Л. Занесите соответствующие значения тока базы в таблицу.
Таблица 4.2Л
IК,мА |
0 |
20 |
25 |
30 |
35 |
40 |
45 |
50 |
55 |
60 |
IБ, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
• На графике (рис.4.2.2) постройте кривую зависимости тока базы IБ от тока коллектора IК (при неизменном напряжении цепи база/эмиттер).
Рис 4.2.2