
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
9.21 Сурет
Матрицалық фотосенсорлі модульдің басқару схемасы
9.22
сурет
Интегралданған көпфункционалды интерфейс негізінде
ThinSight интерфейстің қолдану нұсқалары.
Ұсынылған әдіс негізінде мынадай кілттік кезеңдер бар ;
a-Si транзистордың фотосезгіштігі;
сенсорлы матрица технологиясы мен аморфты кремний негізіндегі активті матрица адресация технологиясымен сәйкес келеді;
сурет сигналының сандық өңделуі;
қымбат емес сенсорлық матрица драйверін құру интегралды технологиясы.
Оптикалық сенсорлі панельдің конструкциясы дисплейге матрицалық көрініс датчик
орнатылғанын көрсетеді.Бұндай конструкцияны құруда адресацияны басқару схемасында фотодатчиктің модулін көрсететін қосымша элементтер формаланады. Толық рұқсат етілімін қамтамасыз ету үшін фотодатчиктің модулін әр пиксельге формаламаса да болады.Осы себептен фототранзистордың матрицасының шагы суреттегі элементтердің шагынан көп.
9
.23
суретте орнатылған фотодатчигі бар
активті адресацияның бір элементінің
структуралық схемасы көрсетілген.”Пайдалы”
сурет курсорлы сілтегіш болып табылады,ол
не контактті перо,не оператордың
саусағының ұшы болуы мүмкін.Сілтегіш
ретінде лазерлі сілтегіштің жарық дағы
қолданылуы мүмкін.Бұл технология
шағылыстырғыш типті дисплейлермен
қатар жарықтандырғыш дисплейларда да
қолданылады.Американдық PlanarSystems
Inc.фирмас серіктестігі диагоналы 86мм
ЖК-дисплейдің TFT негізінде интегралдық
оптикалық сенсорлі экран жасалған
болатын.Фотодатчиктің массиві 60x60
форматта болады.Сенсорлі датчиктердің
шагы 0,96 мм құрайды.Құрылғыны өңдеушілердің
алдына қойған мақсаттары оңай емес;50ден
50000ға дейінгі у кең жарықтандыру кең
диапозонында жұмыспен қамтамасыз ету
керек болды және фонды көлеңкелер
түріндегі артефактарға әсер етуін үзу
керек болды.Одан басқа бірлік өңделген
суретті құру,жанасудың фактін
анықтау,объекттің шекарасын анықтау,үлкен
нақтылықпен жанасу координаталарын
санау керек болды.9.24 суретте көрсетілген
фотосенсорлы матрицамен орнатылған
ЖК-дисплейдің TFT басқару структуралық
схемасы көрсетілген.
Датчиктің фототранзисторлы матрицасын және жанасудың нүкте координаталарын есептеуін басқарылуы бөлек модульде,яғни сенсорлы матрицаның драйверінде орындалады.Драйвердің құрамында жолдың фототоғын санайтын 60-каналды схема және оларды кернеу сигналына түрлендіретін,аналогты сигналдырдың жолын сақтайтын схема мен датчиктегі сигналдардың кезектес коммутациясы үшін 60каналға арналған аналогты мультиплексор ,сигналды процессор және координатаның кодтарын хост-контроллерге жіьеру схемасы кіреді.Сенсорлы құрылғының жұмысы екі фазадан тұрады.Бірінші фазада фотодатчиктің матрицасы жолдық сканирлеуі мен сурет профилінің аналогты оқылуы орындалады.Сурет фон мен сілтегіштің көлеңке контуры кіреді.Екінші фазада сурет сандықталады және өңделуге түседі,нәтижесінде одан фондық суреттің фильтрациясы және сілтегіш көлеңкесінің шығуы байқалады.Сілтегіш көлеңкесінің ауданы үшін курсордың координаталары ретінде қолданылат ауырлық орталықтың(центр тяжести)координатасын анықтау керек болады.
Сонымен қатар сілтегіш көлеңкенің динамикалық ауысуында дисплей бетіне жанасуы фиксироваланады,және сурет объектін таңдау үшін экранды басу арқылы орындалады.Фототоқ мәліметінің оқылуы жолма-жол және ЖК-дисплейдің TFT параллельді орындалады.Фотодатчиктің жолын таңдау үшін дисплей жаймасының (развертка) сигналы қолданылады.Экрандағы пиксельдердің жолын таңдау импульстері өңдіріледі және60 сенсордан тұратын жол таңдалынады.Сигналдардың оқылуы бөлек шыналарды орындалады.Матрицаның сканирлеу жиілігі дисплей жаймасының жиәләгәмен сәйкес келеді және ол 60Гц тен тұрады.Фототоқ оқу шиналары қосымше жасалынады және датчик матрицасының барлық элементтері үшін кернеу шинасы жылжытылады.9.25 суретте фотодатчикпен орнатылған бір пиксельдің адресация схемасы көрсетілген.
9.25 сурет
Матрицаның бір сенсорлы элементінің басқару схемасы
Датчиктің электрлік тізбегі Cп2 фототранзистордың ағынында сақтағыш сыйымдылығы бар фототранзистордан және оқу кілтінен (TFT-оқылуы) тұрады. Оқылу схемасы драйвердің микросхемасында орналасқан.Фототоқтың әрбір 60 каналды оқылуы ,ОК негізінде тоқты кернеуге түрлендіруін көрсетеді,ол тоқ интегратор режимінде жұмыс істейді.ОК кері тізбегінде интегралдайтын сыйымдылықпен разряд кілті қосылаған.Оқылу процесіекі фазадан тұрады-интегралдау және оқылу.
Cп2 сыйымдылығы оқылу кезінде ол Uоп т3рек кернеут тірек кернеуін дейін зарядталады.Оқылу кілті жабылған соң,фотодатчик бекітпесіне түсетін сыйымдылықтың разрядтылығы жарық әсерінен басталады.Разрядталу фотодатчик бекітпесінен кернеу жылжу(смещение) Uсм шинасына дейін орындалады.
Қанығу режимінде фототранзистордың жарықтандырудың үлкен деңгейлерінде Cп сыйымдылық Uсм деңгейлерінде разрядталады. Мәліметтерді оқыған кезде TFT –кілті оқу шинасына сыйымдылықты коммутациялайды. Осы шина бойынша ОК кірісіне келген есте сақтайтын сыйымдылықты айнала қоршаған сыйымдылық ток арқылы зарядталады. ОК шығыс кернеуі интегралдау кезінде сыймдылықтың қоршауында жиналған зарядқа пропорционал. Оқылғаннан кейін интегралданған сыйымдылықтың разрядталуы болады. Оқудың келесі циклнде матрица датчиктерінің келесі жолдың сенсорлы элементі фототоктан зарядталады.
Сыйымдылықтағы зарядты оқу процесінде оның потенциалы бастапқы мәнге жетеді. Мысалы, жылжу кернеуі -5 В, ал тірек кернеуі 5 В болса, онда конденсаторда кернеу 10 В болады.
Конденсатордағы заряд төмендегідей анықталады:
Uсм-фототранзистордың ығысу шинасындағы кернеу,ал Uоп-ОК оң интегралдайтын кірісіндегі тірек кернеуі.
ОК шығысындағы кернеу былай анықталады:
Iф(t)-TFT-транзистордың фототоғы,t0-тоқтың оқылу уақыты,C-конденсатор сыйымдылығы.
Фототоқтың кәдімгі мәні қашаудың фиксироваланған периодтың уақыты үшін қажет,бірақ контактті қауырсынның немесе саусақтың тез жылдамдығы кезінде өзгеруі мүмкін.Шығыс кернеудің максималды мәні:
Экранға жанасу кезінде жарық бөлігінің өтуі сыртқы көзден датчиктегі матрицаның локальдық аумақтары құлыптанады,оларға көлеңке түседі.
Фотодатчиктің матрицасы.
9.26 суретте фотодатчиктің матрицасы орнатылған ЖК-панельдің TFT алдыңғы қиылысы көрсетілген.