Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
Сызықты өзгерілмелі кернеу генераторыныі схемасы 9.2.суретте көрсетілген.Шығыс кернеуінің жұмыс ұзақтығының (тура) жүрісі диодты оптпронның О1 ашық қалпымен,кері жүрісі-транзисторлы оптрон О2 арқылы С конденсаторының разрядтылығымен беріледі.Шығыс кернеуінің амплитудасы шамамен Uп .Яғни (9.2б сурет)схемдана tp анықтау үшін
K1 –тоқ бойынша жіберу коэффициенті.
9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
0,5……15В кернеу диапозонында заманауи оптрондардың фотодиод тоғының өзгерісі 0,2….2 мкА құрайды.О2 база транзисторының тізбегіне R резисторын қоссақ ,онда СӨКГ кері жүрісінің ұзақтығын басқара аламыз.
9.1.3
Вин көпірлі генетраор
Вин көпірлі генератордың схемасы 9.3 суретте көрсетілген.Құрылғының құрамында DA операциялық күшейткіш және жолақты фазаланатын тізбек ,С кондесторы және Rф фоторезисторынан тұрады.Жолақты фазаланатын тізбек генрация жиілігінде нөлдік фаза ығысуын көрсетеді,ал ОК инверттерлмеген кірісіне қосылғанда фаза балансын ұстап тұрады.Амплитуда балансы теріс кері байланыс тізбек элементтері;R1 және R2 резисторларымен қамтамасыз етіледі.Егер ОК күшейту коффициенті ТКБ-пен A0 генерация жиілігінде фазалық тізбектің сөнуіне тең болса,онда құрылғы синусоидалы пішінді тербелісті генерациялайды.
Егер
Онда құрылғы тікбұрышты пішінді тербелісті генерациялайды.
Тербеліс жиілігі фоторезистордың кедергісіне тәуелді,VD светодиод арқылы өтетін тура тоқпен басқарылады:
9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
9.2.
Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
Аналогты оптрондар кеңжолақты трансформаторлық құрылғыларда,әртүрлі сигналды күшейткіштер,аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылады.Оптрон негізіндегі қарапайым күшейткішпен аналогты кілттің схемасы 9.4 суретте көрсетілген.
9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
Оптронның кірісіне берілген кіріс сигналы сәулеленген соң фототранзистордың базасына түседі,сонымен қатар RH –жүктеме кедергісінде оптопардың және кернеудің шығысында тоқ амплитудасын басқарады.Бар құрылғының жіберу коэффициенті транзисторлы оптронның k1 шамасымен анықталады.Егер светодиодтың кірісіне Uупр қамаланатын кернеу берсек,онда аналогты сигналдың коммутациясы болмайды(қалпы “өшірулі”).”Қосулы” қалпында болса,онда светодиодқа босататын кернеу ығысуы мен коммутацияланатын кернеу болады.
Электронды регулятор және потенциометрлік кілт 9.5 суретте көрсетілген схема бойынша орындалады.Онда диодты-резисторлы оптрон қолданылады.Фоторезистор светодиодтың жарық ағынын басқаратын кедергі ретінде болады.Жіберу коэффициенті мына формуламен анықталады:
Uупр=0 болғанад жіберу коэффициенті нөлге жақын болады.
9.5 сурет Потенциометрлік типтегі 9.6 сурет Оптроэлектронды ИМС К249КН1
кілт пен элетронды регулятордың схемасы принципиалды схемасы
Аналогты құрылғыларда диодты,резисторлы,транзисторлы оптопарлар қолданылады.Аналогты оптропарлардың шарты оның қолдану аясына байланысты.
Жіберілген сигналдың пішінін сақтау үшін сипаттамасысызықты болуы тиіс.Бұл шартқа көбінесе диодты оптрондар жауап береді,сонда да I1 интервал мәні K1 тұрақты болсада аз.Мысалы,АОД 101 оптопарында термостатираволанған жағдайда ақ бейсызық аналогты сигналдың жіберілуі кіріс тоқтың тар диапозонында қамтамасыз етіледі.Аналогты құрылғыны проектілеу кезінде,қолданылатын оптрондар,жіберу сипаттамасының линеаризациясы бойынша қосымша шарт орындалуы керек болады.Дифференциалдық оптрондардың қолдануы тиімді,сәулелену мен бірінші фотоқабылдағыш және сәулелену мен екінші фотоқабылдағыштың тоқ бойынша жіберу коэффициенті бір біріне тең.Фотоприемниктерді,сигнал берілгенде кіріс тоғы артатындай,келесісі креісінше кемитіндей қосады.
Оптоэлетронды ИМС К249КН1 принципиалды схемасы 9.6 суретте көрсетілген.Бұл микросхема аналогты сигналдың коммутациясы үшін арналған.Оның құрамынд екі диодты оптрон мен VT1 және VT2 транзистордағы электронды кілт бар.CD1 және СD2 светодиоды арқылы өткен тура тоқ есебінен жарық ағыны пайда болады,сонымен қатар фотогальваникалық режимде жұмыс істейтін ФD1 және ФD2 фотодиодтарына әсер етеді.Фотодиодтар “включено” қалпындағы биполярылқ транзисторлардың сенімді ашылуына жеткілікті суммарлы фото-ЭҚК қалыптастыру мақсатында қосылады.Бұл жағдайда биплорялы транзисторларда төмен шығыс кедергісі және жүктеме кілтіне кіретін сөнуі аз коммутациялайтын кернеу Uвх бар.
Егер басқарылатын кедергі болмаса,онда светодиодтар жарық шығармайды,фото-ЭДС нөлге тең,биполярлық транзисторлар жабық қалыпта боладығал кілт “выключено” қалпында болады.Микросхема гибридті-қабық (пленка) технологиясы негізінде орындалған,себебі светодиодтарды ИМС шалаөткізгіштердің кремний технолгиясының негізінде жасаі мүмкін емес.
9.3.