
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
ЖКИ жайпақпараллельды екі шыны пластинадан құралған. Екі пластина арасында қалыңдығы 10 … 20 мкм болатын сұйық кристалдар болады. 8.5.суретте көрсетілген. Бірінші шыны пластинаға токөткізетін қабат жұқа етіп жағылады да электродтар пайда болады. Бұл электродттар құрылымы сегмент түрінде болады. Осы сегменттер арқылы 0 …9 ға дейінгі сандарды шығаруға болады. Екінші шыныға сандарға жалпы бі р ғана электрод бар, ол да токөткізетін жұқа қабат болып жағылған. Пластиналар жағылған беттерімен бір – біріне қаратылған.Индикаторлардың түрлері көп солардың бірі шағылған жарық әсерінен жұмыс істейтін индикаторлар және түскен жарық әсерінен жұсыс істейтін индикаторлар.Бірінші жағдайда индикаторлың артқы шынысына шағылдыратын қабат қондыру қажет, ал екінші типті индикаторға қосымша жарық көзі қосылуы қажет.Басқарушы кернеуді қосқанда сұйық кристалдар электр өрісі әсер ету аймағында жарық өткізу қабілетін(прозрачность) жоғалтады. Осы кезде артқы шағылдыратын бет ақ түсті болса, онда бақылаушы индикатордан санды көре алады. Егер артқы шағылдырушы қара болса, онда ақ түсті сандар қара түсті бетте жақсы көрінеді. Жарық түсу типінде жұмыс істейтін индикатор сандары бет түсінен қаралау.Егер жарық көзінің қуаты 0.5 Вт болса, онда ЖКИ жарықтылығы газразрядты және жарықдиодты индикаторлар жарықтылығындай болады. Олар кәдімгі жарықталуда қолданылады. Сегменттердің шығыстары шыны бетіндегі сызық жолдар сияқты жасалған. Разъем арқылы индикатор шығыстары және басқаратын микросхема қосылады.
8.5.сурет Динамикалық таралу эффектін қолданатын ЖКИ. 1- төсеніш;2-сұыйқ кристалдар;3-шағылдырушы қабат;4-артқы шыны;5-жалпы электрод;6-сегмент электродттары;7-алдыңғы шыны;
ЖКИ жасаудың басқа принциптері бар, олар поляризация бетінің айналуына және поляризацияланған жарықты кристаллдар бетіне поляризациялау болып табылады. Ол жарық твист эффекті әсерінен жоқ болып кетеді.
8.6.сурет. жызықтықтың айналу негізінде құрылған ЖКИ.
1-шыны ұяшық;2-шағылдырушы;3-вертикаль поляризациясы бар поляроид пластина;4-сұйық кристаллдар;5-төсеніш;6-электродтар;7-горизонталь поляризациясы бар поляризоид пластина;
8.7.сурет. а)шағылу принципі бойынша жұмыс істейтін ЖКИ;б)түскен жарық арқылы істейтін ЖКИ;
1-шыны пластина;2-электрод;3-төсеніш;4-электрод;5-ЖК қабаты;6-шығыстар;
Мұндай принцип бойынша жұмыс жасайтын индикаторлар екі поляризоидтың арасына ЖК құю арқылы алады. ЖК жұқа қабыршақ секілді бүкіл аудан бойынша ағады.Поляроидтағы поляризация жазықтығы жарыққа перпендикуляр болғандықтан жарықты өткізбейді.Ал егер осы екі пластина арасында нематикалық сұйық крситаллдар болса және бұл сұйықтықтың поляризация жазықтығы жарыққа айналу бұрышы 90 градус болса,онда мұндай жүйе жарық өткізу қабілеті бар(прозрачность).Ол 8.6. суретте көрсетілген.
Электр өрісіне қосымшалағанда сұйық кристаллдың барлық молекулалары өріс бойына бағытталады және поляризация тығыздығының айналдыру эффектісі жоғалады. Нәтижесінде 8.7а –суретте көрсетілген жүйе жарық өткізбейді.
Егер сұйық кристаллдың барлық қабатары қозбаса, ал таңба түріндегі белгілі бі аймақтары ғана қозса, онда таңба бейнесі қозбаған облыстың өтуші жарықта қараңғырақ болады. Индикацияның бұл принципі қуатты пайдаланудан әлдеқайда ұтымды болғандықтан, әлдеқайда үдемелі болып келеді. Сұйықкристаллды индикаторлардың көптеген сериялық типтері осы принцип бойынша жұмыс істейді.
Индикатордағы сұйықкристаллды қабаттың қозуы синусоидалды формадағы айнымалы кернеумен немесе 2,7-ден 30 В-қа дейін және 30...1000 Гц жиілік арасындағы әсерлік мәнмен «меандр» типті формамен іске асады. Тұрақты кернеу құраушы индикатор қызметінің қысқару мерзіміне әкелетін электролитикалық эффекттің пайда болу әсерінен жіберілмей ді.
Сұйықкристаллды сантаңбалы индикаторлардың негізгі параметрлері мыналар болып табылады:
К фонға қатысты таңбаның қарама – қарсылығы - процент бойынша шешілген фон жарықтылығының коэффициентіне индикатордың белгісі мен фон жарықтылығы коэффицинтінің айырмаларының қатынасы;
пайдалану тогы Іпай – индикатор арқылы ағатын айнымалы токтың орташа мағынасы;
басқару кернеуі Uбас – номиналды эффективті айнымалы кернеу;
басқару кернеуінің жұмыс істеуші жиілігі fжұм;
минималды басқару кернеуі Uбас.мин – минималды индикатор сегментіне қосымшаланған эффективті айнымалы кернеу;
максималды басқару кернеуі Uбас.мак – максималды индикатор сегментіне қосымшаланған эффективті айнымалы кернеу;
реакция уақыты tреак – қосқан кездегі период, пайдалану тогы 0,8 –ге дейін артады;
релаксация уақыты tрел – қосқан кездегі период, пайдалану тогы 0,2-ге дейін төмендейді.
Сан таңбалы сұйықкристаллды индикатордың маңызды сипаттамасы басқару кернеуінен таңбаның қарама – қарсысына тәуелділігі болып табылады. Кернеуді арттырған кезде қарама-қарсылық деңгейлік мәнге дейін бірден көтеріледі, одан кейін тәжірибе жүзінде басқару кернеуі көтерілмейді. Uбас.мин жабушы аймақта қисық болып таңдалады. Индикатор таңбасының қарама –қарсылығы эффективті басқару кернеуінің функциясы болып табылады және тәжірибе жүзінде оның формасына тәуелді емес.
Сұйықкристаллды
индикатор электр тізбегінің элементі
ретінде конденсаторға эквивалентті.
Осыған сәйкес басқарушы кернеудің
номиналды жиілігі кезінде вольт –
амперлік сипаттамасы
сызықтыға
жақын, ал жиіліктік сипаттамасы
монотонды
өсетін функция түрде болады. Басқарушы
кернеудің тұрақты құраушысы оның әсерлік
мәнінен 1% -ке аспау керек.
Сұйықкристаллды индикатордың маңызды ерекшелігі бір немесе жүздеген микроампер болатын төмен деңгейде ток пайдалану болып табылады. Жұмыс істеуші температура интервалында (1...500С) ток пайдалану температура көтерілуіне байланысты біршама өседі. Сұйықкристаллды индикатор төмен жылдам қозғалысымен ерекшеленеді. Жылдам қозғалыс температураға тәуелді. Төменгі шекке жақын температура зонасында жылдам қозғалыс бірден төмендейді.
Сұйықкристаллды индикаторлардың мағына жүйесі бірнеше әріп пен саннан тұрады. ИСК тіркесі мынаны білдіреді: индикатор сұйықкристаллды. Төртінші элементі әріп: С – сандық, Т – таңбалық. Бесінші элемент – сан, ол талдау нөмірін білдіреді. Дефистен кейінгі сан индикатор разрядының санын білдіреді, ал қисық сызықтағы сан миллиметрдегі разряд санын не таңбасының биіктігіне сай келеді.
Сұйықкристаллды индикатордың негізгі параметрлері 8.1 –кестеде көрсетілген.
Индикатордың
негізгі параметрлері
8.1 -кесте
Радиоэлектронды аппаратураларда сұйық криталлды индикаторларды қолдану олардың ерекшеліктерімен болады: төмен ток қолдану және кернеу басқару, интегралды микросхемалармен сай келуі,төмен баға болуы. Индикаторлы құрылғыларда өлшеу аппаратурасымен электронды сағатта және микрокалькуляторда, информационды панельдерде және бағытағыштарда оларды қолдануға болады.
Сұйық кристалды құралдарда маңызды сферасы басқару жүйесі болып табылады.
8.1.5.