
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
Жартылай өткізгіштермен қатар, диэлектрик негізіндегі қатты лазерлер де белгілі. Әдетте бұндай құрылғылар люминосценстілерде қолданылады, ал электрлі еместерде қозу пайда болмайды,ал оптикалық әдісте болады.
Қатты лазерлердің түрлері мен параметрлері 5.3 суретте көрсетілген.
1960 жылы Т.Мейман рубин негізіндегі лазерді сипаттап берген. Al2O3 кристалдары Cr3+ ион негізіндегі хромдарға ие. Сонымен қатар, алюминий атомдардың көп бөлігі хром атомдарымен ауыстырылады.
Хром атомдары Al2O3 (EG _ 6 эВ) бөлігінің тыйым салынған зонасында орналасады. Энергияның жұтылуы мен шығуы жарықтанудың ортасында болады. 5.4 суретте көрсетілген.
Ксенонды лампалардың қуатты жарықтығы электрондарды Е1 деңгейден Е3 и Е4 қоздырылған деңгейге ауыстырып отырады. 10нс уақыт көлемінде электрондар Е2 деңгейіне құлайды , ол метастабильді деп аталады. Олар сол жерде 10-3с көлем уақытында бола алады. Ал Е3 – Е2 энергиялары жылуға айналады.
5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
Қатты дене лазерлердің параметрлері мен түрлері
Е2 деңгейінде электрондардың шоғырлануы болып Е1 деңгейде инверсиялық пайда болады.
υ жиілікті сәулені h υ = E2 – Е1 шартқа сәйкес Е2 деңгейден Е1 мәжбүрлі ауысу деп атайды.
Сәуле шығару қызыл жарықтың толқын ұзындығына сәйкес келеді.
Қатты дене конструкциясы 5.5 суретте көрсетілген.
Кристалл рубин ұз 10 см, диаметрі 1 см болатын цилиндр тәріздес болады. Кристалл шеттері тегістеліп айна ретінде қолданылады. Күшею мен таралу, цилиндрдің параллель бойында таралады.
Шағын оптоэлектронды құрылғыларға кристалл иттриево- алюминии негізіндегі лазерлер сәйкес келеді. Бұл кристалдарға неодим (Y3Al5O12:Nd3+) кристалын енгізеді. Неодим торда 1% атом иттриясын ауыстырады. Лазер 1,06 мкм көлемінде инфрақызыл сәуле шығарады. Қоздыру үшін GaAlAs инфрақызыл светадиодын қолданады, оның толқын ұзындығы неодимнің жұтылуына сәйкес келеді. Аса жоғарғы жарықтану концентрациясына байланысты неодимді лазер аса жоғарғы қуатты сәуле шығаруға ие. Кішкентай КПД YAG- лазерлердің шамасы 1...20% тең.
Дұры таңдалған спектрлі элементтердің таратуы 50% оптикалық таратуға ие.
Қатты денелердің негізгі режимі- импульсті. Оларға жоғарғы емес когорентті сәуле шығару тән. Олардың көбісі активті элементтердің сууын және тарату(накачка) элементтерін қажет етеді.
Спектральді және кеңістіктік таралу бірмодалы өткел, генерациялау, ПӘК энергиясының азаюы негізінде жүзеге асады.
5.4.
Сұйықтық лазері
Сұйықтық лазері өзінің белсенділігімен ортага тез әсерін тигізеді, тарту мүмкіндігінің арқасында сұйықтық лазері салқындайды, қайта құру жиілік мүмкіндігі және т.б пайда болады.
Сұйықтық
лазерінің түрлері мен парпметрлері
5.6 суретте көрсетілген.
5.6 Сурет
Лазерлер органикалық бояғыштарда кең қолданыс табады (Dye,Lasers). Түрлі бояғыштар генерацияның толқынының ұзындықтары диапазонында ондаған нанометрге және монохромдыққа мүмкіндік береді. Лазерлер органикалық бояғыштарда үздіксіз жұмыс жасайды, және импульсты, мерзімді режимдерде жұмыс істей алады. Бір импульстың қайраты жүздеген джоульге жетуі мүмкін, ал толассыз генерацияның алымдылығы - ондаған ватт және КПД да бірнеше ондаған пайызға жетеді егер, лазер тартушы болса. Синхрондаудың мод режимінде бірнеше пикосекундтің арасында лазерлі импульстар пайда болуы мүмкін.
Сұйықтықтың лазерінің құрылымдық сұлбасы сурет 5.7
Сурет 5.7
Сурет. 5.8
Родамина органикалық бояғышының құрылымдық формуласы 6G
Лазердің белсенді бояғыштарында молекулаларының органикасы қызмет етеді, бояғыштар суда немесе езгіштерде қолданылады. Бояғыштар күрделі органикалық құралымдар түйіндес химиялық байланыстың жүйесі болып табылады. Осы байланыс өңдеушеге ие, сондықтан ол спектордың айқын облысында орналасады. Бояғыштың молекулалық құрылымы күрделі. Ол бензольді(С6Н6) сақтайды, (С6Н5N)қарамастан, азотты(С4Н4N2) және басқа сақиналар. Лазерлік техникада коп қолданыс табатын бояғыш ол негізгі родамина 6G.
Родамина органикалық бояғышының құрылымдық формуласы 6G 5.8 суретте. Мынадай макромолекула күштің электрондық энергиясына бай терімге ие болады. Энергетиканың арақашықтығы осы күйлермен 1...3 келеді, 0,1...0,01 және 10-3...10-4эВ сәйкес келеді. Тербелмелі және айналмалы контурлар энергетикалық айғыздың топтамаларын күйлерге тағайынды.
Осы күйлерді екі топқа бөлуге болады: синглетті (S) және триплет(Т), 5.9 суретте көрсетілген сияқты. Бірінші топқа спиннің антиқатарлас бағдарлау күйлері қарайды (S = 0), ал екіге - қатарлас бағдарлаумен(S = 1).
Электронның әр қайсысы тербелмелі деңгейде топтастырылады (5.9 суретте майлы сызықтармен) және айналмалы деңгейде қарастырылады. Ереже бойынша оптикалық өткелдер бір қалыпты күйлер арасында (?S=0), S өткелдерінің - S(синглет- синглет) және Т–Т (триплет-триплетты) рұқсат етілген.
Молекуланың бір қалыпты шарттарында S0 күйі негізгі болады. Оптикалық сәулеленудің нәтижесінде молекула өзінің негізгі S0 деңгейінен тербелмелі және айналмалы S1күйіне ауысады. Спектордың бұндай өткелдері кең көлемде қолданылады. Спектральдік жағдайда максималды бояғыштың түсін анықтайды және бөлек заттар үшін шамамен 1 мкм-ден 0,3мкм-ға дейін өзгереді. Жолақ көлемі үшін бояғыштар әр түрлі және 0,2 эВ шамалас.
Оптикалық S0-S1 өткелін кездестіре отырып, S1 өткелінің қоздырушы күйлерінің бірі, молекула релаксациясының үдерістер поцессінде тербелмелі және айналмалы деңгейіндгі S1төменгі күйге ауысады. Осы термализация үрдісі өте тез болады, шамамен 1 пс. Термалды тасығыштар S1 күйінен сәулелі немесе сәулелі емес S0 негізгі күйіне ауысады. Коптеген белгілі бояғыштардың сәулелену үдерістерінде сәулелену емес дегейіне ауысып отырады. Сәулелену өткелінің S1- S0 уақыты өте аз ол шамамен 1 нс. құрайды.
Интерфейсті оптикалық тартуда төменгі күйлердің арасында S1жолағы жоғарғы S0 деңгейіне жетуі мүмкін. Генерация энергетикалық деңгейдің арасында жүзеге асады, ол S1 және S0 жолағының төртдеңгейліктің схемасында көрсетіледі. Т1 және Т2 триплет күйлері лазерлі генерация процессіне қатынаспайды, керісінше оған кедергі жасайды.
Көптеген қызығушылықты органикалық бояғыш лазері ұсынады, генератор толқынның ұзындығы сияқты. Осы мүмкіндікті жүзеге асыру ушін дисперциялы резонаторды қолданады, оның меншік жиілігін ауыстыруга болады. Дұрыс нұсқаның бірі ол - біртекті біржиіліктің резонаторы. S0 S1оптикалық бояғышының өткелінің мүмкіндігі өте жоғары, пайда көрсету және күшейту бұл заттар үшін өте үлкен. Олар шамамен екі тәсілде лазерді гранатта және рубинде төмен сигналдық күшейткішке асырады. Бояғыш лазерлері жоғары күшейткіщ коэффициентіне ие, ол белсенді ортада 1 мм3 көлемін сұрайды.
Интенсивті жіті сәулеленуінің тартуы және кейінгі қызу бояғышының кіші көлемі заттардың үздіксіз ауысып жұмыс істеу көлеміне әкеледі. Қарсы жағдайда бояғыштың термиялық жағымсыздануына әкеледі, және де молекулалардың триплетті күйінде жиналып, Т1 және генерацияның үзілісіне әкеледі.
Бояғыштың сәйкес терімімен сұйықтықтық лазерлері толқынның ұзындығының 0,34 тен 1,17 мкм дейін диапазонын жабады. КПД қазіргі лазерлердің органикалық бояғыштары 30% сәулелену лазерін тартуда және 1% - импульсты шамдар арқылы жетеді.
Лазерлердің қарастырып отырған үздіксіз режимде шығу қуаты бірнеше ваттқа жетеді, импульсті режимінде – 10 вт тан бірнеше мегаваттқа дейін, егер импульстың ұзақтығы 20 нс және қайталаушы жиілігі 200 гц дейін жетсе, онда лазер шоқшасы 2...2,5 мрад болады.
Мод
синхрондауының режимінде сәулелену
импульсының генерациясы өте қысқа -
5.5.