
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
Көк түсті светодиодтарды жасау RGB-шеңберді тұйықтап ақ түсті светодиодтың пайда болуына әкелді. Қазіргі таңда ақ светодиодты светодиод арқылы алудың үш жолы бар. Бірінші – қызыл, жасыл, көк түсті светодиодтарды пропорция бойынша араластыру. Бұл ретте оларды, жеке жеке немесе бір корпуста үш кристалды бірге қолдануға болады.
4.14 суретте қызыл, жасыл, көк түсті светодиодтарды керекті шамада біріктіре отырып ақ жарықты алуға қажетті спектрлерік таралу тығыздығы көрсетілген.
Арзан және көп тараған ақ светодиод болып шалаөткізгішті InGaN кристалл структурасы болып табылады, ол беткі қабаты YAG негізінде әкелінген , 460...470 нм толқын ұзындығында тарататын, активті Ge3+ сары облысында көрінетін кең жолақты таратушы.
Сары люминаформен қапталған, көк кристалл арқылы ақ жарықтың алынуы 4.15 суретте көрсетілген.
Бұндай комбинацияны адамның көзі ақ түс ретінде қабылдайды.
Осындай светодиодтарға ұқсас үш кристалдыларға қарағанда арзанырақ, олардың айырмашылығы, түсті жақсы таратады, жарық таралуы бойынша қыздыру шамынан асып түсті.
Ақ жарықты алудың тағы бір түрі – ультрафиолетті спектр светодиоды арқылы үш қабатты люминафорды қоздыру.
4.16 суретте ақ жарықтың RGB-люминофор және светодиод арқылы алынуы бейнеленген.
Светодиод кристалы – жарықтың нүктелік көзі, сондықтан да оның сыртқы қабаты ықшамдалған бола алады. Светодиод корпусының құрылысы оған шығысынды минималды жарық жоғалуын және артқы бөлігінде жарық фокусталуын қамтамасыз ету керек. Ең көп тараған светодиодтың құрылыс түрі ол- бес миллиметрлі корпус.
Luxeon III ақ светодиодының номиналды жарық беруі 0,7 А түзу тоқта 25лм/В, ал жарық ағыны 65лм тең.
Luxeon III шұылысы( Светоотдача) классикалық және галогенді шамдардан асып түседі, және жақын арада Lumileds Lighting 80...100 лм/В жарық беретін люминесенциялық шам шығаруды жоспарлауда.
5 бөлім
Когерентті сәуле шығару құралдары
5.1
Күшейтудiң физикалық негiзi және Лазер сәуле шығаруыдың негізі
Лазер – сәуле шығарудың өндіргіші, кеңістік пен уақыт мезетіндегі когкркнтті шама, мәжбүрлі сәуле шығаруға негізделген құрал. Мәжбүрлі сәуле шығару келесідей болады. Атомдардың сыртқ қоздырылған фотондар әсер еткендіктен ,атом тағы бір фотон шығаратын энергетикалық күйге ауысады. Активті қоздырылған атомдарда өзінен өтетін сәуленің қозуы әбден мүмкін, егер де фотондар мәжбүрлі сәуле шығарудың шығынынан асып түссе, ол жұтылу мен таралу арқылы түсіндіріледі. Оптикалық сәулеленудің күшеюі, мәжбүрлі сәулеленуге негізделген, ол лазерлі күшею ретінде белгілі.
Сыртқы энергия әсерінен Ен электрондардың бір бөлігі Е1 тепе теңдікті бұзып, жоғарғы деңгейге ауысып, содан кейін қозу деңгейіне Е2 көшеді . 5.1 сурет
5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
Е2 деңгейінің Е1 деңгейіне ауысуы толқын ұзындығының фотондар шығаруымен бiрге.
жүредi
Мұндағы λ- микрометрмен өрнектелген, Е-электрон вольт шамасында.
Электрондардың Е2 деңгейден Е1 деңгейге ауысуы әртүрлі болуы мүмкін. Тіпті жоспарсыз ауысуда болуы мүмкін, онда векторлардың сәуле шығару немесе бағыттау кезінде поляризацияланған фотондар мәні кездейсоқ, ал қорытынды ағыны орташа статистикалық параметрмен сипатталады. Осындай қоздырылған бірқалыпты атомдардың сәуле шығаруы когерентті емес сәуле шығардың пайда болуына әкеледі.
Жоспарсыз ауысумен бірге мәжбүрлі Е2 ден Е1 қарай электрондардың ауысуы да болуы мүмкін. Бұл ауысулар мәжбүрлі электрондар ауысуының әрекетімен байланысты, ондағы фотондар шығарылғандар мен шақырылған фотондардан еш айырмашылығы жоқ. Бұндай когерентті сәуле шығаруды мәжбүрлі деп атайды.
Сонымен, мәжбүрлі сәуле шығару дегеніміз- ол бағыт бойымен дәл келетін өткелдердегі мәжбүрлі сәуле шығару әсерінен, жиілігі, фазасы, мәжбүрлі поляризация әсерінен пайда болатын когерентті электромагнитті сәуле шығару процесін айтамыз. Ерiксiз сәуле шығарудың күшейту шарттын анықтайық. Генерациялау немесе күшейту кезінде қолданылатын энергиялар, лазер деңгейі деп аталады. Сәйкесінше зона мен лазер деңгейі арасында – лазерлі ауысу пайда болады, ол 5.1 формуладағы толқын ұзындығы арқылы өрнектеледі. Е2 ден Е1 дейін лазердің ауысуында Е2 ден Е1 ге жоспарсыз ауысу пайда болады және де Е1 ауысу кезінде сәуле шығарудың жұтуына әкелетін энергетикалық күй пайда болады.
Лазерлік күшею тек, лазерлік ауысу саны, ерiксiз көндiретiн сәуле шығарудың жұтуға қатысты, жоспарсыз ауысу санынан көп болған жағдайда ғана мүмкін. Δt уақыт мезетіндегі лазерлік ауысуды былый өрнектесе болады:
В21- лазердің өту ықтималдығы, Евын- сәуле шығарудың мәжбүрлеу энергиясы, N2- Е2 күйдегі атомдардың концентрациялау коэффициенті.
Е2 ден Е1 мәжбүрлі ауысулар еріксіз пайда болады және пайдалы лазер сәуле шығару қатыспайды. Мәжбүрлі ауысуларды бірінші жуықтауда былай өрнектеуге болады:
А21- Е2 ден Е1 мәжбүрлі ауысу.
Кванттық ауысулардың , мәжбүрлі жұтылуға әкелетін сәуле шығару түрі былай анықталады:
В12- сәуле шығарудың кванттық ауысудың жұту ықтималдығы , N1-Е1. Күйдегі атомдар концентрациясы.
Бірінші теңдіктен B21 = B12 = B екенін ескере отырып , лазердегі сәуле шығарудың күшеюін мына түрде аламыз
Жоспарсыз төменгі деңгейде сәуле шығаруда лазер мына шарттарға ие болады:
ВЕвын(N2 – N1) >0 немесе ΔN = (N2 – N1) > 0.
Инжекцияланған тасмалдағыш зарядтарда, газдардың разрядталуында, оптикалық немесе электрлік қозуда- тепе теңдік күйі N2 > N1 мен лазерлік күшею тек сыртқы әсер негізінде ғана пайда болады.
Сонымен, лазерлік күшею , мәжбірлеуші лазлік күшею,жұтылуға қарағанда лазердің ауысуынан энергияны көп алады.
Лазерлік күшеюдің эффективтілігі лазерлік ауысуға байланысты екенін көреміз, оның шамасы үлкен болған сайын күшеюдің шамасы өседі. Шалаөткізгіштерде лазерлік ауысу мен энергетикалық тығыздыұтың шамасы лазерде жартылай өткізгішті лазерлік күшею алғанға мүмкіндік береді. Қатты және газдалған лазерлерде изоляцияланған ионды шалаөткізгішті прибор қолданылады, атомдар мен молекулалар өзара дискретті. Ондағы күшею шалаөткізгішті лазерлерге қарағанда төмен болғандықтан сәйкесінше көлемі де аз болады.
Үлкен лазерлердің энергия көлемін көбейту үшін Больцман статистикасына бағынатын термодинамикалық тепе теңдік заңы қолданылады:
бұндағы N2 – атомдардың қозуы (E2 жағыдайында), N1 атомдардың қозуы(E1 жағыдайында). Сонымен қатар:
дю
егер қозған атомдар қозбаған атомдар концентрациясынан аз болса онда лазерде қалыпты режим пайда болады. Әр элемент бірдей жағыдайда болып, күшею мүмкін емес болады.
Егер болса онда энергияның жиналуы пайда боп, шыққан сәуле қозған атомдар есебінен инверсия пайда болады.
Инверсия болған орта активті орта деп те аталады. Сонымен, мәжбүрлі күшею немесе лазерлік күшею, біріншіден аумақты инверсияы қажет етсе, екіншіден, өздігінен таралуды бәсеңдетуді талап етед. Минималды энергия толтыру деңгйі , инверсия бастамасы деп аталады.
5.2.