
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
Оптоэлектрониканың даму тарихы
Оптика – ежелгі ғылымдардың бірі. Оптикалық сәулеленуді екі үлкен тарихы бар этапқа бөлуге болады.
Бірінші этап негізінде көз арқылы басқарылатын сәулеленумен байланысты, оның көрінетін жарық қасиеті бар және классикалық оптиканың дамуына сәйкес келеді.
Табиғи жарыққа деген көзқарас танымның диалектілік сипаттамасын толықтырады. Ежелгі ұлы ойшылдар көру сәулелері көзден шығады деп ойлаған(Платон). Көзден шығатын көздік сәулелерді оқу негізінде Евклид, Птолемей және т.б. жалпақ және сфералық айналардан жарықтың шағылысу теориясын жасады және геометриялық оптиканың бастамасын тұрғызды. Ежелде көру сәулелерінің теориясына Эпикур мен Лукрецидің «слепка» фантастикалық теориясы қарама-қарсы қойылған, ол теорияда заттардан барлық бағытқа бағытталған сәулелер көзге түседі деп есептелінген. Кейін, бастапқыда Декарт, одан соң Ньтон қолдаған корпускулалық тұжырымдама пайда болды. Бұл теорияға сай, жарық өз алдына қандай да бір жарықтық сәуле траекториясымен қозғалатын ұсақ бөлшек жиынтығын көрсетеді. Бұл теорияны біртекті ортада жарықтың түзусызықты таралуы, айналардан жарықтың шағылысуы, екі ортаның шекарасында жарықтық сәуленең сынуы, сонымен қатар оның әртүрлі ортада таралуында қисық болуы секілді құбылыстар түсіндіреді. Осы уақытта (бір уақытта) Х.Гюйгенс аталған құбылыстардың жарықтық толқындар түсінігі негізінде интерпретациясын(талдап түсіндіру) ұсынды. Жарық өз алдына кеңістікте таралған толқын болып табылады. Жарық сәйлелері таза абстрактілі түсінік болып табылады және әдемі, ортогональді толқындық беттер болып анықталады. Ньютонның толқындық теорияға қарсы басты дәлелі әлемдік кеңістікте заттық ортаның(«эфир») болмауы. Периодтылықпен байланысты құбылыстар(Ньютон сақинасы) корпускулярлық теорияда бөлшектердің айналуымен түсіндірілді. Бір айналымда бөлшектер өтетін кеңістік әлдебір толқын ұзындығымен безбенделді(сопоставлялось). Ньютон полярлықты тек қатты бөлшектердің қасиеті деп санады. Ол иілу, дифракцияны жарықтық корпускулаға заттардың <<тебілу>> және <<тартылу>> әрекетімен талқылауға тырысты. XVIII ғасырда Ньютонның ізімен ғалымдардың көпшілігі корпускулярлық теорияға ығыса бастады, ал Гюйгенстің арқасында жақсы дамыған толқындық теория тек аз ғана өзінің артынан ерушілерін сақтап қалды.
Тек XVIII–XIX ғасырларда ағылшындық Т. Юнгпен интерференция және дифракция тиянақты зерттеле бастады, ал француздық О. Френель Гюйгенстің толқындық теориясы негізінде оларды толығымен теориялық түрде түсіндіріп берді. Одан өзге, Френель толқынның табиғаты туралы түсініктер жарықтың біртекті ортада түзусызықты таралуына қарама-қарсы емес екендігін көрсетіп берді. Толқындық теория XIX ғасырдың бірінші жартысында сапалық және сандық дәлдікпен жеңді. Д. Максвелл XIX ғасырдың соңына қарай,Френель толқындарына электромагнитті интерпретациясын берді және әртүрлі жарық толқындары ерекше электромагнитті ашылу екенін көрсетті. Г. Герц және А. С. Попов тәжірибелері экспериментті түрде мұны дәлелдеді.
Максвеллдің дифференциалды теңдеулер жүйесі түрінде таралған электромагнитті теориясы оптика және біздің жарық табиғаты туралы түсінігіміздің дамуындағы бірінші<<классикалық>> этабының шыңы болып табылады.
Екінші этап XX ғасырдың басындағы физика басынан кешкен революциялық түрлендірумен тығыз байланысты. Дәл жұту және шығару оптикалық спектрлерін оқу кванттық скачка және минималды жылдамдығы h болатын кванттық қозғалыс теорияларын енгізуге тура келді; Оларды 1990 жылы М.Планк қара дененің сәулелену спектрін түсіндіру үшін енгізген. Соның әсерінен [Дж*с] қозғалыс өлшеміне ие h тұрақтысы Планк тұрақтысы болып аталды. 1905 жылы Энштейн Планктың теориясы негізінде жаңа формада жарықтың корпускулярлық теориясын енгізді. Оның пайымдауынша, Е = hv энергиясының планктік кванттары реалды бөлшектер түрінде кездеседі, олар жарықтық кванттар немесе фотондар деп аталған. Осылайша, Энштейн бұрындары ашылған фотоэффектті түсіндіріп берді. Осы түсініктерді атомға қолданып, Нильс Бор 1913 жылы v сәулелену жиілігі мен Еn және Еm деңгейлер арасындағы энергиялар айырымы арасындағы қарапайым байланысты түсіндіріп берді:
Квантты электрониканың ары қарай дамуына 1917 жылғы А.Энштейннің жұмысы негіз болды, онда ол молекулалар жүйесінің термодинамикалық тепе-теңдігін қарастыру негізінде индуцирленген (индуцированное) сәулелену түсінігін енгізді. Индуцирленген (индуцированное) сәулеленуді кері жұтылуды(күшейту) бақылау үшін қолдану мүмкіндігін ең бірінші болып В.А.Фабрикант 1940 жылы көрсетті.
1954 жылы Н. Г. Басов және А. М. Прохоров нақты проект жасады, ал Ч. Таунс аммиак молекулаларына әсер ететін мазер ойлап тапты. Бұл кванттық принциптер бойынша жұмыс істейтін бірінші құрылғы, оның негізіне индуцирленген (индуцированное) сәулелену көмегімен электромагнитті тербелістерді күшейту құбылысы қойылған. Бұл жұмыс үшін кеңестік оқымыстыларға Н. Г. Басов және А. М. Прохоровқа Лениндік, кейін Нобельдік премияларды берді. Осылайша, 1954 жыл кванттық электрониканың жеке ғылым ретінде туған күні болуы мүмкін.
Радиодиапазонда(бірінші аммиакты мазер 1.25 см толқын ұзындығында жұмыс істеген) бастапқы дамыған әдістерді оптикалық диапазонда қолданған және 1960 жылы рубиндік лазерь жасалынған, ал 1961 жылы гелий және неон араласқан газ лазері пайда болды. Ғылым мен техника бірінші болып жарықтық толқындардың когерентті көзінде орын алды. Бұл бейсызық оптика, голография және т.б. жаңа ғылымдар аймағына серпіліс берді. Голография бойынша негізгі болып табылатын жұмыстар Д. Габоро және Ю. Н. Денисюкпен жасалынды.
Квантты радиофизика және квантты электрониканың дамуымен қатар, жартылайөткізгішті физика және жартылайөткізгішті электроника қарқынды дамыды. Бұл облыстағы жетістіктер эффективті шалаөткізгішті қабылдағыштар және жарық генераторларының жене де шалаөткізгішті оптоэлектрониканың негізін құрайтын құрылғылардың жасалуына алып келді. Оның дамуы осылайша болып келеді. 1873 жылы В.Смит селеннің қабаттарында ішкі фотоэффектті аша отырып, фотоөткізгіштікт және де жарықтану әсерінен кедергінің өзгеруін анықтады. Сыртқы фотоэффектті 1888 жылы А.Г.Столетов ашты. 1923 жылы О.В.Лосев электрлік токтың әсерінен карборунның(карбида кремния) кристалының жарқырауын бақылаған және де заманауи электролюминесцентті жарық көздеріне негіз болған бұл құбылысқа дұрыс анықтама берді. 1960 жылы Москвадағы АН СССР физикалық институтында шалаөткізгішті инжекциялық лазерьдің жұмыс принципі қарастырылды, ал 1962 жылы Ленинградтағы АН СССР физика-техникалық институтында эффективті рекомбинациялық сәулелену және арсенид галий кристалындағы мәжбүрлі сәулелену анықталды. Сонымен қатар, физика-техникалық институтта Ж. И. Алферов әріптестерімен бірге гетероөткелдерді алу және оларды эффективті қабылдағыштар мен жарық көздері базасында өте жақсы жұмыстар атқарды. 1968-1970 жылдары олармен бөлме температурасында үздіксіз режимде жұмыс істейтін төменөткізгішті лазерлер жасалынды. Оптикалық электрониканың дамуындағы маңызды момент эффективті оптикалық толқынжүргізгіш ретінде қолдануға мүмкіндік беретін аз шығынды(< 1 дБ/км) оптикалық талшық алу болды. Үздіксіз режимде жұмыс істейтін эффективті шалаөткізгішті лазерлерді алу және шығыны аз талшықты оптиканы жасау информацияны опто-талшықты байланыс сызықтары арқылы жіберудің жаңа жүйесінің жылдам дамуының тууына және опто-талшықты жіберу жүйесін жасалуына алып келді.
Ғылым тарихында опто-талшықты жіберу жүйесінің бес ұрпағын ерекшелеуге болады.
Брінші ұрпақты опто-талшықты жіберу жүйесі (1977–1980) толқын ұзындығы 0,8...0,9 мкм диапазонды қолданған және жылдамдығы 45 Мбит/с цифрлік ағын жасауға мүмкіндік берген.
Екінші ұрпақты опто-талшықты жіберу жүйесі (1980–1983) жұмысшы ретінде 1,31 мкм толқын ұзындығын қолданған, ал цифрлік ағынды жасау жылдамдығы 500 Мбит/с болады.
Үшінші ұрпақтың жіберу жүйесін (1983–1990) лазерлерді сәулелендіргішретінде зерттеген, олардың толқын ұзындығы 1,31 және 1,55 мкм, цифрлік ағынды жасау жылдамдығы 2 Гбит/с.
1989–1994 жылдары төртінші ұрпақты опто-талшықты жіберу жүйесі қарқынды түрде жүргізілді. Олар 1,55 мкм толқын ұзындығында жұмыс жасады, цифрлік ағынды жасау жылдамдығы 10 Гбит/с. Опто-талшықты жіберу жүйесінің төртінші ұрпағының құрамына талшықты оптикалық күшейткіштер кіреді.
1994 жылдан бастап, кеңжолақты бесінші ұрпақтың опто-талшықты жіберу жүйесі шыға бастады. Олардың жұмыс толқындары 1,53...1,61 мкм диапазонында болады. Жүйелер спектралдық тығыздауды және бірнеше жарық көздерін қолданады. Цифрлік ағынды жасайтын жылдамдығы 10 Гбит/с арналарды біріктіру қарастырылуда. Бесінші ұрпақты көпканалды опто-талшықты жіберу жүйесінде 1 Tбит/с өнімділікке шейін жеткізілуде. Жылдамдықты арттыру бойынша жұмыстар жалғасуда.
Опто-талшықты жіберу жүйесінің дамуы барлық кеңжолақты технологияның ену үдеуіне сәйкес келеді. Бұл 1.2-суретте келтірілген.
Европалық конференцияның ХХIХ докладында Маурицио Дечина оптикалық байланыс бойынша (ЕСОС-2003) болашақ он жылдықтағы байланыс желілерінің дамуын және информациялық қызметтерді қарастырды. Бәрінен бұрын, информациялық қажеттілік ретінде экспоненциалды өсу характерлік сипаты болып қалады.
1.2-сурет. Радиожелілердің және магистралды,қалалық опто-талшықты даму.
Соңғы үш он жылдықта SDN (Synchronous Digital Hierarhy-синхронно-цифрлық иерархия) технологиясы бойынша магистралды цифрлық желілердің активті дамуы бақылануда. Ол дегеніміз-ақпаратты жіберу жылдамдығын 155 Мбит/с-тан 10 Гбит/с-қа дейін қамтамасыз ететін транспортты телекоммуникациялық желілердің технологиялары. Соңғы онжылдық арналарды спектралды тығыздау үшін қолданылатын WDM (Wave+
length division multiplexing —толқын ұзындығы бойынша бөлшектеуі бар мультиплексирлеу) технологиясына ену сипатталуда; 3,2 Тбит/c жылдамдыққа қол жеткізілді.
ОТН (Optical Transport Hierarchy — оптикалық трансформаторлық иерархия) – иілгіш мультисервистік оптикалық желілердің стандарты жасалынған жіне енгізілуде.
PON (Passive optical network — пассивті оптикалық жүйелер) желілері жасалынған және де енгізілуде, жылдамдығы 10...100 Гбит/c.
Ethernet (IEEE 802.3 стандартының синонимі) - CSMA/CD коллизияларына рұқсат бар ортаға кездейсоқ әдістері бар мәліметтерді жіберу желісі. G-Ethernet (Gigital Ethernet) – компьютерлік желілердегі ақпаратты жіберудің ақпараттық желілері (жылдамдығы 1...10 Гбит/c), және де FDDI (Fiber Distributed Data Interface) — локалдық желілердегі ақпаратты жіберудің орналасқан талшықты интерфейсі (жылдамдығы 100 Мбит/c).
Сонымен қатар, гибридті талшықты-коаксиалды желілер және AON (All-Optical Networks) толық оптикалық желілер қолданылуда.
Байланыс желілерінің дамуы техникалық көрсеткіштердің сәйкес өсуімен қорғалады, ол көрсеткіштерге процессорлар қуаты, жады көлемі, ақпаратты алмасу жылдамдығы және т.б. жатады. Осы уақытта интернет-протоколдарды қолдану үшін арналған барлық информациалық-телекоммуникациялық қызметтерді аудару, соңымен қатар қазіргі уақыттағы приложениялар(дыбыстар, видео) маңызды момент болады.
Глобалдық және қалалық байланыс желілерінің транспорттық деңгейінде ақпаратты жіберудің оптикалық(фотондық) технологияларын ашық түрде доминирлейді (будут доминировать). Байланыс желілерінің дамуы талшықты оптиканың толық және альтернатив түрінде қолданылуы мүмкін оптикалық технологиялардың және әртүрлі сымсыз технологиялардың конкуренциясымен анықталады. Сымсыз байланыс технологияларының жылдам дамуына Wi-Fi,Ultra Wide Band, Ad Hoc Networks, Sensor networks, RFID және т.б. жатады.