
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
3.27 Сурет сөну коэффициенті
3,27 суретке сәйкес
(3.69)
Мұндағы
-<<
ауа- СВ
>>
,
-<<
СВ
-ауа>>
шекарасындағы жарық шығару коэффициенттері.
(3.69) формуласын(3.70) формуласына мүшелеп бөлсек
(3,71)
Теңдігін аламыз. Осыған (3,62) теңдігін қойсақ, онда
(3,72)
Iвх~Pнх, Iвых~Pвых болса, онда
(3,73)
k1 және k2 коэффициенттері СВ шекаралары арқылы өткен << ауа- СВ >> , -<< СВ -ауа>>
түсу және сыну бұрыштарына байланысты. k1 және k2 Френель теңдеуімен анықталады.
Қалыпты жағдайда СВ шегіне құлаған жарық түйіні
2
nc және nв – АПП шыны және ауаға сәйкес келеді.
Көп
жағдайда СВ жарық түйіндері 3,20 формулаға
сәйкес келетін
бұрышымен белгіленеді (3.11 сурет). Жарық
поляризациясының толқынына тәуелді,
KTE
және KTM
жарықтың
қисық түсуіне сәйкес келетін коэффициенттер:
2
2
KTE ,KTM – толқын және шыталшық коэффициенттері аналогты түрде анықталады.
3.15
Байланыс жүйелерінің сипатамаларына оптоталшықты жүйенің әсері
Байланыс жүйелерінің сипатамаларына оптоталшықты жүйенің түрлері өз әсерін тигізеді.
3,28 суретте оптоталшықты жүйелердің спектрлі сипаттамалары көрсетілген. Мұндағы, 1 қисығы бір модалы талшыққа сәйкес келеді (SMF), S,C ,Lдағы сегіз каналына дейін сигнал бере алады.
1,4 мкм гидроксиальді пикке байланысты қолданысы көптеген байланыс арналарынан алынып тасталған. ОН+ иондары уақыты келгенде SMF талшығына енеді. Бұл олардың і бастапқы сөну пикінен аз болса, тіпт толық спектральді диапазонында қолануына рұқсат бермейді.
3.28 сурет спектральді сипаттамасы мен әртүрлі оптикалық волокон дисперсиясы Нөлдік талшықты сулы шыңға(водяной пик) ZWPE 2 қисығына сәйкес келеді.
ZWPE талшығы SMF қарағанда жақсы сөну сипаттамасына ие. Бірақ бұл талшық үлкен дисперсиялық мәнге ие ( х=1,55 болғанда -17 пс/нм/км тең шама) және де 3 қисық сызықты көркемдейді. Ол аз қолданыстағы, регенерациысы жоқ шамалардың ұшу жылдамдығын азайтады. Ал егер көп канал саны керек болса, онда дисперсия компенсациясын қолдану тура келеді. Дисперсия компенсациясын қолдану - шығынды көбейтіп, күшейткіштегі күшейткіш коэффициентін жоғарлатуын талап етіп, модтық дисперсия поляризациясының өсуіне әкеледі.
Арзан магистральді талшық деп отырғанымыз- нолдік емес NZDSF дисперсиялы жылжуы бар талшық. Бұл талшық - кіші дисперсия мен кішкентай иілу сипаттамасына ие талшықтың түрі.
3,29
суретте көрсетілгендей NZDSF дисперсиядағы
талшықтар саны SMF дан 34 есе аз. Ол
компенсацияланбаған аймақты 3-4 есе
2,5-10 Гбит/с ішінде үлкейте алады. NZDSF
талшығы өткіннің ұзындығын ұзартып
қана қоймай, оның байланысты реализациялау
кезінде экономды тәсіл болып саналады.
3.16
Фотонно- кристалды талшық
Оптикалық талшықты шыны кварц негізінде жасау байланыста айланпас(поворотный) әдіс боп табылады,ол жүйедегі байланыстың жіберу жылдамдығын азайтып қана қоймай, сөну сигналының мәнін бірнеше шақырымға ешқандай тіркелусіз таралуға мүмкіндік берді. Қазіргі таңда басқа да перспективті талшықтардың түрі ойланып табылуда, соның ішінде фотонно-кристалды талшықтардың түрі де кіреді.
Бұл талшықтар Оптикалық талшықтардың қасиеттерін басқарып қана қоймай фотонды-кристалды талшықтар қасиетіне ие болып ,талшықтарды тыйым салынған зонаны да түрлендіре алады. Тіпті, ол арқылы толқынды дисперсияның толқын ұзындығын көрінетін спектрге әкеп мәнін нолдік дисперсияға әкелуге болады. Онда сырқы қабықша көрінісі анық, ол бірмодалы шексіз талшық түзіп қана қоймай, сонымен қатар жарық толқынынының қуатын арттыра түседі. Бұнда сырқы қабықшада ғана ауалы(воздушный ) канал тудырып қана қоймай,талшықтағы сигналдың сөну коэффициентінің перспективасын азайтуға да болады.
Ең алғаш ОТ шамамен 40 жыл бұрын пайда болып, 20 дБ/км сөну коэффициентіне ие болған. Сол кезден бастап бізде ОТ сигналды опто талшықты тарату, локальді анықтау жүйелерінде , ішкі обьективті байланыс жүйелерінде және т,б қолданған.
Шыны кварц талшықтар- аморфты бір изотопты горизонталь және вертикаль толқын тарала алатын ортада жасалады.
Жарық өзекше сыртындағы шекарадан шағылу арқылы талшық(сердечник) ретінде оптикалық талшық каналдарында таралады. Мода деп- жарық толқыны, электромагнитті толқын ретінде, талшықтарда бірнеше тербелістен тұратын, кері сыну пропорционал корсеткішті фазалық жылдамдықпен таралатын тербелістерді айтамыз.
Мода- Максвелл теңдеуімен анықталады. Онда : көлденең Т, электр сызықты Е, магнитті Н және аралас ЕН,НЕ төрт түрлі тербелістер бар.
Өзекше диаметрі аз болған сайын мода пайда болу ықтималдығы аз болады. Магистральді байланысқа бірмодалы сөну коэффициенті 0,2,,,,0,7 дБ/км болатын талшықтарды қолданған жөн.
Бірмодалы талшықтың өткізу жолағы (100ТГц) ВОСП үшін өте маңызды, себебі, кеңжолақты жүйелерде бұл көрсеткіш 10 ТГц болған. Бірақ талшықтардың басты кемшілігі-көлденең өзекшесінің қиылысуы. Бастапқы жүйедегі ағынның қуаты синхронды сандық көрсеткіші 3дБм аспаған, қазіргі таңда ол +12дБм,ал көп каналды WDM да +23дБм көрсеткішіне ие.
Оптикалық тасқынның қуаты үлкейген сайын ОТда сызықсыз эффект пайда болады. Олардың пайда болуы қаттеліктер санының үлкеюіне, бөлік ұзындығының және бірканалдылырдың жіберу жылдамдығының азаюына, көп каналды жүйенің жиілігінің азаюын тудырады.
Осы айтылған қателіктерді шешу үшін кристалл фотонды талшық ойлап табылуда. Фотон-кристаллды талшық шыны кварц пен ауалы структуралы, ОТ сыртында формаланады.
Фотонно –кристалды талшық деп- көлденең ұзындықты,екіеселі фотонно-кристалды кемшілігі бар, ОТ симметриялы орталығында орналасқан талшықты айтамыз.
Екіеселі фотонно кристалды талшықтың структурасы өзекшенің жан жағында симметриялы капилярға толы және алтыбұрышты диэлектрлі трубалары тығыз орналасқан,3,30 суретте көрсетілгендей периодтты екіеселі микроторлы бейнеде көреміз.