
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
Шыныда кез келген температурада Т ≠ 0 фонондар кездеседі – құрылым түйініндегі иондардың жылулық тербелісі. Фонондардың болуы ρ механикалық тығыздықтың ∆ρ шамасына өзгерісіне алып келеді. Ρ өзгерісі абсолютті сыну көрсеткішінің (АСК) шыны құрылымының түйініндегі Х0 амплитудасына пропорциональды ∆п шамасына өзгерісін шақырады. Х0 << λ тәжірибелік теңдікте λ – шыныдағы жарық толқынының ұзындығы.
3.11.1 бөлімде АСК-дағы кез келген өзгеріс жарық рефракциясына әкелетінін айтып кеткен болатынбыз. Қарастырылып отырғын жағдайда ∆п фонон жағынан ретсіз кездейсоқ болады. Осыдан ретсіз және жарық микрорефракциясы шығады. Мұндай рефракцияны рэлелік таралу деп атайды. Таралған жарық интенсивтілігінің таралмаған жарық интенсивтілігі арасындағы өзара байланыс рэле деп мына түрде көрсетуге болады:
мұндағы α – қоспасы мен температурасы болатын, ион арасындағы байланыс типті шыны құрылымының типіне тәуелді пропорционалдық коэффициенті.
3.50 формуласының анализі λ < 0,85 мкм толқын ұзындығында опто –талшықты байланыс жүйесінің магистральды трактта шыны талшықтыда қолдану тәжірибе жүзінде қазіргі уақытта және λ ≥0,85 мкм кезінде рұқсат етілген.
3.14.3.
Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
Ерекше қауіпті қоспаларға өсу прцесі кезіндегі шыны талшықтыға енуге қабілеті бар ОН гидроқышқыл топпен байланысуға болады.Он группасы ылғи да ауада болатын Н2О жұбынан құралады. Шыны талшықтының жоғары температурасында Н2О молекуласы сутектің бір игнын жоғалтады және гидроқышқылды топқа айналады. ОН тобы шыны талшықтыға еніп, 1,39, 1,24, 1,13, 0,95, 0,88, 0,72 мкм толқын ұзындығына сай келетін өзіндік жұтылу жиілігін иеленеді. ОН тобы шыны талшықтыда 1 дБ/км-ға дейін жарық жұтылуын иеленуге қабілеті бар. ОН гидроқышқыл тобымен күрес әдісі шыны талшықты өндіріс технологиясының жүзеге асуымен белгілі.
3.24 –сурет.
Легірленген қоспалармен SiО2 негізіндегі шыны талшықтыда мөлдірлік «терезесі»:
λ1 = 0,85 мкм, λ2 = 1,31 мкм, λ3 = 1,55 мкм; К(λ) – бірлік шарттағы суммалы шығын коэффициенті.
Жоғары айтылған шығын анализі қоспалардың және ОН гидроқышқыл топтың SiО2 өзіндік резонанстық жиіліктері шыны талшық үшін тек бірнеше мөлдірлік терезесін қалдырады.
3.24 –суретте көрсетілгендей типтік толқын ұзындықтары 0,85, 1,3 және 1,55 мкм болып табылады.
3.14.04
Жарықтың комбинациялық таралуына байланысты жоғалуы
1928 жылы Роман мен Ландсберг жарықтың таралуын ашқан, олардың жиіліктері υ0-Δυ, υ0+Δυ диэлектриктің шығару жиілігі υ0 және сыртқы кедергінің болмау шартымен орындалады.
Диэлектрикте υ0 жиілікті толққынның орнына үш жиілікті υ0 , υ0-Δυ, υ0+Δυ толқын болғандықтан, бұл эффект комбинациялық жарықтың таралу атағына ие болған. Комбинациялық таралу табиғаты фотон-фоннон байланысымен жасалған.
Қатты денедегі фоннонның максималды энергиясы былай анықталады:
Eфон =K ϴ (3.51)
Мұндағы К-Больцман тұрақтысы, ϴ - Дебай температурасы.
;
h-
Планк тұрақтысы;
-тұрақты
байланыс тудыратын (SiO2
p=3),
иондар саны;M= диэлектриктердің 1 киломоль
массасы (SiO2
М=3
кг/кмоль);
-
диэлектрик тығыздығы; Ею
- Юнг модулі; NA
= 6,022*1026
1/кмоль-Авагадро саны.
Eфон =K ϴ=h υфон ( 3.51 формуласы) және энергияның сақталу заңына сәйкес комбинациялык фотонның максималды таралуы:
Δυфон
=
Δυфот
=
;
(3.52)
Комбинациялық жарықтың максималды жиілігінің таралуы
υ max = υ0 + (3.53)
ал минималды жиілігі: υ min = υ0 - (3.54)
Оптикалық υ max жиілікті таралу күлгін спутникті , ал υ min жиілікті таралу қызыл спутникті таралу деп атайды. Комбинациялық υ0 жиілікті таралу негізгі сигналды бәсеңдетеді және монохромды таратуды нашарлатады. Оптикалық таралу комбинациялық таралу негізінде аз рэльефті таралу мен материалдық дисперсия есебінен комбинациялық таралу едәуір аз ал оның есебінен оптикалық таралу аз.
Мәжбүрлі комбинациялық таралу (МКТ)жылдамдығы сызықсыз-оптикалық эффект классына жатады, ондағы күшті толқындық жарық ортадағы элементтердің қозуын және нақты таралуын индуцириялайды. МКТда сөз когерентті оптикалық фотон қозуынан шығады. Бұл аналогты мәжбүрлі өздігінен комбинациялық таралу процессі, ондағы жарық таралу хаотикалық тербеліс ортасына жатады. МКТны классикалық теория бойынша сызықсыз осцилятор байланыс моделі арқылы сипатауға болады.
Электронның меншікті жиілік тербелісі (v1) және молекуладағы ядро тербелісі (v2) мына формула бойынша анықталады:
v1=
(3.55)
v2
=
(3.56)
мұндағы
-молекуладаы сепімді (упругий) коэффициент;
М мен m- келтірілген электрон мен атом
массаларының осциляторлары.
Нақты
молекулар үшін v1
15
Гц,
v2
1013Гц
тең. Егер молекулаға υ0
жиілік
әсер
етсе, онда электронды тербелістер осы
жиілікте қозады. υ2
жиілігімен бір уақытта молекула мен
ядролар қозғалады. Оған мысал ретінде,
жылу тербелістерін келтірсек болады.
Электронды осцилятордағы электронды
және ядролық байланыс қозғалысына мына
эффективті комбинациялық жиіліктер
v1
- v2
, v1+
v2
әсер етеді. Басқаша айтқанда, ядродағы
тербелістер молекуладағы электрондар
тербелісін тудырады. Нәтижесінде
молекула v0
жиілігінде
ғана жарық шығармай, жаңа комбинациялық
v1
v2
жиіліктерін
де шығара береді. Яғни, осымен комбинациялық
жарықтың таралуы түсіндіріледі. v0
- v2
жиіліктегі
тербеліс, шашыраңқы қоздырушы таралу
, стоксты компонент деп аталады. v2
жиілікте
бір уақытта меншікті тербеліс пайда
болады. Комбинациялық таралу нәтижесінде
резонансты күш пайда болады, ол молекула
тербелісін қоздырады. Егер де бұл жүйе
мықты болса, онда жүйеде оң кері байланыс
түзіледі:молекула қозғалысын жарықтың
таралуы күшейтсе, ал молекулалық қозғалыс
жарықтың таралуын күшейтеді. Нәтижесінде
жүйе өздігінен қозып мәжбүрлі таралу
жүйесіне айналады, ондағы қоғалыс
интенсивтілігі секірмелі түрде өзгереді
де интенсивті лазер сәулесінің түріне
келеді.
Жарықтық толқын тербелісті резонансты қозғалып қана қоймай, оны үлкен көлемде фазалайды.
Басқаша айтқанда, МКТ да когерентті молекулалық толқын пайда болады. Жарық шекарасы толқынмен эффетивті түрде әсерлесіп, стоксты жиіліктің сәулеленуін күшейтеді. Жаңа эффектілер приципиалды түрде сызықсыз классикалық осцилятор: жарық күшеюі мен таралуы осциляторлы толқын фазировкасының негізінде пайда болды.Яғни , сызықсыз классикалық осцилятор ансамблі кванттық осцилятор ансамблімен ұқсас, ол лазердегі жарықтың когерентті түрде күшеюін бақылайды.
Мәжбүрлі жарықтың когерентті лазер таралуы қуатын басқа жиіліктегі когорентті жарық түйіні негізінде қолдануға болады. Экперимент көрсеткіші бойынша, бұл тәсіл бұрыштық таралуды азайтуға болатынын көрсетеді. Энергиялық эффективті түрленуі 50% құрайды.
3.14.5.
Шыныталшықты қатпарлармен байланысты жоғалтулар Макро және микро иілулер R>>D радиуысымен анықталады. Жалпы микрорефракцияны, біріншіден иілуде механикалық қалыңдықтың АППда үлкеюі себеп болады.
3,25
суретте АВ ның жиылуын, СВ олысында S
сызығының бағытында CD олысы созылып
CB ортасының орнын ауыстыруын, СВ
микроиілуін байқаймыз.
Жарық түйіні және СВ орталығындағы штрихталған таралу, СВ түзетілгеннен кейін СВ ортасына қайта оралмайды және жаймен ортада таралады.
Арнайы конструкцияланған СВ кабелі арқылы микроиілулер шығыны азаяды. Макроиілулермен байланысты шығындарды төсемелердегі кабель радиуысының минимум шамасымен байланыстыруға болады.
3.14.6
Термомеханикалық шығындар
Бұрын айтылғандай, СВны механикалық бұзылудан қорғау үшін оны полимерлік жұқа пленкамен қаптау керек. Жарықтың микрорефракциялық таралуына:СВ ның сызықты және кең көлемде үлкеюінің қорғау пленкаларының әртүрлігі, ±Δρ механикалық тығыздық және сәйкесінше АПП-±Δn локальдік өзгерісі температуралық тербелістері әсер етеді. СВ қорғаушы қабат ойлап тапқаны, температуралық коэффициенттерінің үлкеюі мен СВ коэффициентінің макимальді түрде қусырауы(сжатия) СВ ның жалпы мақсаты болып табылады.
3.14.7
Дифракциялық шығындар
Егер, СВ өзекшесінің толқын ұзындығы λ= 1мкм, ал диаметрі D=5...50 мкм болса, онда λ мен D өлшемдес. Осы кезде, СВның жарық таралуынан дифракциялық көрінісін, түйінінің сырқы өзекшесіне жарық энергиясының таралуын байқаймыз. Нәтижесінде ПВО шарты орындалмайды. СВ дифракциялық шығындарынан айырылуынан көмектесетін эффективті әдіс - сызықсыз оптикалық орта. Егерде жарық интенсивтілігі жоғары болғанда, СВ өзекшесінде сызықсыз оптикалық орта пайда болады. Өздігінен фокусталу әдісін- СВ механикалық тығыздығы перифериядан симметриялы түрде өскенінен, ал СВ симетриялы түрде дифрагиразиялауынан ПВО режимінің қалыпқа келуін көреміз.
3.14.8
Шыныталшықтағы толық оптикалық таралу шығынын сараптау(оценка)
СВ нақты экспериментальді шығыны физика-техникалық түрде қиын екенін 3.14.1-3.14.7 тарауларынан көреміз. СВ кабелінің эксплуатациялық көрінісінен бізді қызықтыратыны олардың толық шығындары мен пайда болуы.
Жарықтың интенсивтілігі Iаумақ(величина) деп аталады. Оны
(3.57)
формуласымен анықтаймыз. Бұндағы, Е- t уақыт мезетіндегі S ауданының, оптикалық энкргия таралуы, Р- Е энергиясына сәйкес келетін таралу.
Егер
СВ интенсивтілік таралуы шығысында I0
тең болса, онда L қашықтығы арқылы өткен
СВ жарық интенсивтілігі 3,26 суретте
көрсетілгендей I<I0
шамасына дейін азаяды.
СВ ішіндегі аз өлшемді dx қалыңдығын таңдаймыз. Кірісіндегі интенсивтілік 3.26 сурет светодиод шығыны
жарықтығы Ix , ал шығысында Ix-dIx, мұндағы dIx- интенсивті шығыны(убыль) деп аталады. Көріп отырғанымыздай, Ix және бір-біріне пропорционал. β коэффициентін енгізу арқылы біз:
dI=-βIxdx (3.58)
теңдігін аламыз. <<минус >> таңбасы dIx интенсивті шығынын білдіреді. Айнымалыларды ажыратып теңдікті интегралдау арқылы
Бугер
– Ламберт формуласын аламыз.
-
СВның толық жарық энергиясының жоғалу
коэффициенті деп аталады. Физикалық
мағынасын түсіндіретін болсақ, бізге
шарты
керек болады. 3,59 және 3,60 формулаларынан
(3,61)
формуласын
аламыз. (3,61)
формуладан СВ физикалық ауданы СВ
кері екенін байқаймыз.
(3,59)
формуласына сәйкес
анықтаймыз.
(3.57),(3.62)формулаларына сәйкес
тең.
(6,64) теңдігінің оң және сол бөліктерін 10 көбейтсек:
10
(3.66)
теңдігін
жарықтың децибельмен өлшенетін сөну
коэффициенті деп атаймыз.
формулаларынан
байланыстарын көре аламыз:
10
10
км берілген (3.66) теңдігін шыныталшықтың L ұзындығына қатынасын қарасақ:
β
методикалық сөну коэффициентін анықтау
шамасы.
формулаға кіретін I0,
I
интенсивтіліктерін 3,26 суретте көруге
болады, себебі ондағы датчикті шыныталшыққа
енгізуге болмайды.
3,27 суретте: I0 интенсивтілігі , I және СВ ның кірісі мен шығысындағы интенсивтілігінің байланысы, сонымен қатар жарық интенсивтілігі,сол және оң жақ шетіндегі тоқтары көрсетілген.