
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
Жоғарғы энергетикалық деңгейден төменгіге когерентті ауысу кезінде қозған микробөлшектердің мәжбүрлі сәулелену жағдайы мәжбүрлі ауысуларды электромагнитті өрісті күшейту үшін қолданады деген ойға алып келеді. Мұндай күшейтудің мүмкіндігін бағалау үшін заттың және өрістің энергия алмасуын қарастырамыз. Зат N1 және N2 орнығуға, екі Е1 және Е2 энергетикалық деңгейге ие деп есептейік. Ал сыртқы өрістің жиілігі v21 квантты ауысудың жиілігіне тең. Энергияның Пv көлемдік тығыздығы кезінде бірлік көлемдегі бірлік уақытта n21 = BПvN2 энергия бөлінуімен мәжбүрлі ауысулардың саны және е қуаты былайша анықталады:
Энергия жұтылуы бар мәжбүрлі ауысулардың саны сәйкесінше былай болады:
Электромагнитті өрістің қуатының өзгеруі
Р – ны әсерлесу қуаты деп атайық.
Егер Р>0, және де бөлінетін қуат жұтылатыннан асса, онда жүйеде өріс энергиясы өседі немесе электромагнитті өріс күшейеді. Р<0 кезінде энергия жұтылуына иеленеді және сыртқы өріс энергиясы төмендейді.
Осылайша, Р>0 күшейту шарты (N2 – N1) > 0 немесе N2/N1 > 1 болып табылады.
Больцман заңына сәйкес, термодинамикалық теңдік жағдайында жоғарғы деңгейдің орналасуы төменгіге қарағанда төмен болып келеді (N2Б < N1Б). Сондықтан да, зат осындай жағдайда сыртқы өріс энергиясын жұтады (Р < 0), төменнен жоғарыға (1-2) n12 энергия жұтылуы бар кванттық ауысулар саны жоғарыдан төменге (2-1) энергия бөлінуімен n21 квантты ауысулар санынан көп болады.
N2 > N1 қатынасы N2Б < N1Б кездегі термодтнамикалық теңдік жағдайына қатысты кері немесе инверсті болып келеді. Сондықтан да, N2 > N1 кездегі жағдай және де мүмкін күшейтуді деңгейлердің орнығу инверсиясы бар жағдай деп атайды.
Термодинамикалық теңдік үшін Больцман заңын былайша жазған дұрыс:
Тп өлшемін ауысу температурасы деп атайды. Орнығу инверсиясы бар жағдай кезінде бұл температура теріс болады (Тп < 0).
Инверсті орнығудағы жағдайы бар орта активті орта деп аталады. Себебі онда электромагнитті өрісті күшейту мүмкіндігі бар.
N1Б > N2Б термодинамикалық тепе-теңдік жағдайында төменгі деңгей орналасуы азаяды, ал жоғарғы деңгейдікі жоғарылайды, сондықтан да, электромагнитті өрістің әсері кезінде төменнен жоғарыға мәжбүрлі ауысулар саны жоғарыдан төменге мәжбүрлі ауысулар санынан жоғары болады. Пvөрісіндегі жеткілікті энергия тығыздығының үлкен көлемі кезінде деңгей орнығуының түзуленуі мүмкін (N1 және N2), мәжбүрлі ауысулардың саны 1 - 2 және 2 – 1 тең болғанда динамикалық тепе-теңдік болады. Орныққан деңгейлерді түзулету құбылысын ауысудың қанығуы деп атайды. Осылайша, екідеңгейлі жүйеге электромагнитті өріс әсер еткенде ауысын инверсиясын емес, ауысудың қанығуына қол жеткізуге болады.
Өріс энергиясының көлемдік тығыздығының кез-келген мәні кезінде деңгейлердің орнығуы жылдамдықтық немесе кинетикалық теңдеулер шешімінен табуға болады. Екідеңгейлік жүйе үшін орнығу деңгейлерінің өзгеру жылдамдықтары үшін:
Бұл жердегі N-бөлшектердің жалпы саны.
Теңдеулерді құру процедураларын анықтайық. Бірлік уақытында 1 деңгейінің орнығуы 1-2 мәжбүрлі ауысуынан N1BПv өлшеміне азаяды, ал 1-2 сәулеленбейтін ауысу әсерінен N1E12 өлшеміне азаяды. Сол уақытта 2-1 ауысуынан N1 орнығуының N2BПv, N1A21 (спонтанды ауысулар) және N2E21 мәніне өсуі жүзеге асады(мәжбүрлі ауысулар). Мәжбүрлі және сәулелендірмейтін ауысулар 1-2 нәтижесінде алғашқы екі қосылғыштарды N2 үлкейткіштері санайды, ал қалғандарын N2 азайтуы мәжбүрлі, спонтанды және сәулелендірмейтін 2-1 ауысулардан анықтайды.
Бөлшектердің жалпы санын сақтау кезінде екі деңгейлі жүйе үшін:
Стационарлы жағдайда
Сондықтан да екі теңдіктің жүйесін былайша жазуға болады:
Теңдеудің бұл жүйесін шеше отырып, N1 және N2 стационарлы өлшемдерді табуға болады, ал кейін олардың қатынасын:
N1 мен N2-нің Пv энергияның көлемдік тығыздығынан тәуелділіктерін Больцман заңымен анықталатын N1Б және N2Б орнығулары бар электромагнитті өріс термодинамикалық тепе-теңдікке орналасқанға дейінгіі жүйе үшін қарастырайық. Пv-ның аз мәні кезінде N1 төменгі деңгейінің орнығуы азаяды, ал N2 жоғарғысы сызықтық заң бойынша жоғарылайды. (Пv-∞) энергия тығыздығының үлкен мәендері кезінде N1 мен N2 ауысулардың қанығуына сәйкес келетін орташа N/2 = (N1Б + N2Б)/2 мәніне ұмтылады.
(Пv = 0) өріс жоқ кезде деңгейлердің орнығуы N 01 және N02 –ге тең, оның үстіне N 02> N 01. Пv N2 –нің өсуімен азаяды, ал N1 сызықты заң бойынша N 01 және N02 мәндерінен өседі. Бірақ, Пv мәні үлкен болғанда олар ауысу қанығуына сәйкес асимптоталық түрде орташа мәнге жақындайды:
(N2 – N1) деңгейлер орнығуының айырмасын Р әсерлесу қуаты анықтайды:
Бұл формула затпен әсерлесетін электромагнитті өрістің әсерлесу қуатының Пv энергияның көлемдік тығыздығынан тәуелділігін анықтауға мүмкіндік береді. P(Пv) тәуелділігі Пv/(1 + δ12П ) қатынасымен анықталады. Пv мәнін үлкейткен кезде, қуат (δ12Пv<<1) алдымен сызықты өседі, ал кейін Рпред мәніне ұмтылады, ол Пv мәні шексіздікке ұмтылған кездегі анықталмағандықты ашу жолымен және де ауысудың қанығу жағдайында анықталады
Әдетте, релаксациялық ауысулардың ықтималдылығы спонтандының ықтималдылығынан әлдеқайда көп екндігін ескере отырып, 2.65. формуласын қарапайым түрде былайша жазуға болады:
Бұл жердегі τрел – релаксация уақыты.
Қанығу жағдайында Пv-∞ (N1 = N2) кезінде 2-1 мәжбүрлі ауысуларда бөлінетін қуат 1-2 мәжбүрлі ауысуы кезіндегі жұтылатын қуатқа тең, электромагнитті өрістен Рпред қуат алынады. Бұл қуат деңгейлердің орнығу тепе-теңдігін сақтап тұру үшін қажет, олар A21, Е21 және Е12 ықтималдылықтары бар мәжбүрлі және сәулелендірмейтін ауысулардың әсерінен үнемі бұзылуға ұмтылып тұрады. Бұл ауысулардың саны энергия тығыздығына тәуелді болмайды және тек деңгей орнығуымен анықталады. Электромагнитті өрістен алынатын энергия затта шашырайды, мысалы, жылу күйдегі кристалдық торда т.б.