
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
OLED негізгі жетістіктеріне жатқызуға болатындар:
1) төтенше аз қалыңдық және салмақ, «электрондық қағаз» ретінде пластмассалық жұқа қабықшалы төсемде жүзеге асыруға болатын құрылымның жоғары технологиялылығы, осындай бейнелеу құралын әртүрлі портативтік құралдарда қолдану үшін ыңғайлы етеді. Болашақта OLED панельдері микросызбалар секілді дайындалмай, газет секілді басылуы мүмкін;
2) СКД-ға белгілі сипаттармен салыстырғанда едәуір жоғары ашықтылық пен контрасты қатынас;
3) жоғары шешім;
4) кең бұрышты шолу (170-ке дейін);
5) жарық берудің жоқтығы және тіпті ашық жарық беру кезінде жақсы көрініс беру;
6) суреттің жаңалануының жоғары жиілігі
(теледидар бейнесінің көрінуіне қажетті жиіліктен 3 есе жоғары), бұл қалта компьютерлері мен ұялы телефондарды түбегейлі өзгертуге мүмкіндік береді;
7) аз тұтыну қуаты, бұл портативтік құрылғылардың қызмет ету мерзімін ұлғайтудан басқа, диодтардың жоғары тиімділігін қамтамасыз етеді және бөлінетін жылу мен шығарылатын кедергілерді минимизациялауға мүмкіндік береді.
Негізінен, СКД немесе ЭСТ қолданылатын кез келген бұйым OLED қолдануға үміткер бола алады. Ойын құрылғылары, ұялы телефондар бейне камералары, DVDплеерлер, GPSаппаратуралар, қалта компьютерлері, ноутбуктер, мониторлар және теледидарлар – OLEDтехнологиясы негізінде келер ұрпақтың АӨҚ қолдануын қажет ететін саланың кейбір тізімі осы ғана.
OLED —кәдімгі жарық беру шамдарын қатты денелі құралдармен алмастыру үшін алғашқы үміткер.
Бұл мәселенің шешілуіне АҚШ энергетика Министрлігі алдыңғы дәрежелі маңызды мәселелердің бірі ретінде қарайды, мұндай алмастыру елдің энергия тұтынуының үштен бірін қысқартуға мүмкіндік береді деп есептеліп отыр. OLED-дисплейлі дұйымдар нарықта 1999 жылда пайда болды. Бұл Pioneer компаниясының автомобильге арналған OLED-дисплейлі монохромдық стереоқабылдағыштары, Samsung және NEC компаниялары бірлесіп шығарған панелді ұялы телефондар және де тіпті Philips фирмасының OLED-индикаторлы электр қырынғыштары еді. Бұл бұйымдарда пайдаланылған барлық OLED-құралдары пассивтік-матрицалы түрдегі құрылғылар болып есептеледі.
OLED/PLEDтехнологисының артықшылығы:
Жарық диодтарының иілмелі матрицаларын дайындау мүмкіндігі;
жауап берудің аз уақыты (10 мкс);
жарық диодты матрицалы құрылғылардың аз қалыңдығы;
жеткілікті жоғары тербеліс мықтылығы мен соққыға мықтылығы;
жоғары ПӘК, қоректенудің төмен кернеуі және матрицаның тұтынатын қуатының төмендігі; құрылғылардың жарық беруін кең көлемде өзгерту мүмкіндігі;
жеткілікті жоғары шешім және ашықтық.Пиксельдер өлшемдері жарықтанудың бірнеше бірліктен 100 000 кд/м2-ке дейін ашықтығы кезінде 5 мкм құра алады;
7) ашық жарық беру кезінде( 1000 лк) кескіннің түзілуін қамтамасыз ететін жоғары қарама-қарсылығы (106:1); 8) кең жұмыс температуралық диапазон (–50...70С).
Органикалық жарық диодтарының технологиясын дамытудың болжамы 12.2.-кестеде келтірілген.Теориялық мүмкін тиімділігі 360 лм/Вт.
12.2 кесте. Органикалық жарық диодтарының технологиясын дамытудың болжамы
OLED/PLED-технологияларының бірқатар кемшіліктері бар. OLED-экрандар үшін ең жоғары ашықтыққа ие көршілес қосылған пиксельдердің сәулеленуінің орталықта орналасқан сөндірілген «қара» пиксельге әсері маңызды.Бұл жағдайда қарам-қарсылық көршілес пиксельдердің зиянды сәулелену дәрежесін анықтайды. Қарама-қарсылықты ұлғайту үшін пиксельдер арасындағы эмиттердің сәулелену диаграммасының және OLED-экранның жұмыс бұрыштарының 150...160 дейін тарылуына әкелетін оптикалық оқшаулауды құру қажет болады. Органикалық жарық диодтарының тұрақты жұмысы үшін құрылымдарды қоршаған орта әсерінен (оттегі, ылғалдылық және т.б.) қорғауды қамтамасыз ету қажет. OLED/PLED-технологиялардағы түстің берілуіне таңдауы шектеулі белгілі композитті материалдарды іріктеумен жетеді.Спектрді тегістеу үшін негізгі жарық эмиссиялы материалына қосымша фосфор және люминесцентті материалды қосады, олардың қасиеттері уақыт өте келе қатты жарық пен жоғары температура әсерінен тез бұзылады.Бақыланған полимер өлшемдерінің деградациясы қоректенудің берілген кернеуі кезінде жарықтың азаюына әкеледі.Түрлі түсті дисплейлерде түстік компонеттердің деградациясы бірдей емес, бұл түстер тепе-теңдігінің бұзылуына әкеледі. Жарық берудің жоқтығына қарамастан, кейбір OLED-экрандар басқа аз форматты СК дисплейлерден қалыңдау болады (артқы жарық берудің түйінімен бірге). Қазіргі кезде матреиалдар шығарылуының жарамсыздығы және жоғары бағасы әсерінен OLED-экрандар өндірісі шығындары ЖК-дисплейлер өндірісіне қарағанда жоғары.
Ресейде органикалық жарық диодтарын өндіру болашағы.
Ресейде органикалық жарық диодтарын зерттеумен бірнеше ғылыми-зерттеу институттары мен ұйымдары айналысады. «Волга» ҒЗИ мамандары «Ангстрем» ААҚ және «ПолиЭл» ҒӨ (Зеленоград қаласы ) мамандарымен бірлесіп, OLED-, сонымен бірге PLED-технологилары негізінде құрылған органикалық жартылай өткізгіштік материалдардан бейне модульдер құру бойынша жұмыстар жүргізуде. Мұнда қабықшалы жабын матриалдары төсемге вакуумдық шашырату әдісімен жағылатынына басқа, полимер материалдары негізінде екі қабатты құрылымдар жасақталады.
«НИИМЭ и Микрон» (Зеленоград қаласы) ААҚ жұмыс алаңы өлшемі 100x100 мм, шешімі 388x268 пиксел және ашықтылығы 1900 кд/м2 болатын полимерлі жарық диодтарын жасақтап шығарды. Ф. В. Лукин атындағы
НИИФП (Зеленоград) барлық диапазонда көрінетін спектр сәулелендіретін органикалық жарық диодтары жасақталды. Жарық диодтарының ашықтығы сәулелену толқыны ұзындығына байланысты 100-ден 400 кд/м2-ге дейін жетеді. Органикалық жарық диодтарын OLED технологиясымен лавсанда және аморфты кремнийде немесе жартылай кремнийде төсемдер құру технологиясын біріктіру негізінде құру бойынша жұмыстар жүргізілуде
ЦНИИ «Циклон» ААҚ А. Н. Фрумкин атындағы РҒА және Физикалық химия мәселесі Институтымен бірлесіп, жарық диодтары мен 8x8 және 128x64 пиксел шешімді мини/дисплейлердің тәжірибелі үлгілерін жасақтады.
Сәулеленудің қол жеткен ашықтығы: 6 лм/Вт жарықтану тиімділігімен 5000 сағат ұзақтықта жасыл — 341 кд/м2, ақ — 100...400 кд/м2, көк— 253 кд/м2 , қызыл— 63 кд/м2
Отандық органикалық жарық диодтары өндірісі мәселелері:
органикалық жарық диодтары өндірісі үшін отандық арнайы технологиялық жабдықтардың жоқтығы; РФ-да ТЕД тобының көптеген қажетті органикалық материалдары өндірісінің жоқтығы (мөлдір анод және катодтан басқа);
РФ-да TFT-матрицалары өндірісінің жоқтығы;
бірыңғай өндірістік стандарттардың жоқтығы;
4) қажетті жоғары кәсіби мамандардың жоқтығы.
OLED өндірушілердің Алдыңғы кезектегі ғылыми-техникалық міндеттері: 1)
Жарамды бұйымдар шығарудың жоғары пайызымен нанотехнологиясын топтама меңгеру және ашықтықтың ең жоғары деңгейі кезінде дисплей жұмыстары ресурстарын үздіксіз 5000 сағатқа дейін жеткізу;
2) сәулеленулер тиімділігінің 76 лм/Вт дейін өсуі;
3) жаңадан жарық сәулелендіруші құрылымдардың жұқа қабықшалы қабаттары ретінде ұзақ мерзімді композициялық органикалық материалдар жасақтау;
4) ішкі қабаттарды ауа мен ылғалдан қорғауды жақсарту (корпусты және корпуссыз герметизация) ;
5) жарықтанушы үстіңгі беттің ауданы мен ашықтығының өсуі;
6) тиімді басқару электрондық жүйелерін құру.