
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
OLED және PLED технологияларының негізгі айырмашылықтары - түрлі қондырғылар жұмыстарының параметрлерін анықтайтын жарық сәулелендіру материалдарының көп қабатты құрылымдар қасиеттері мен түсіру әдістерінде (тиімділік және жұмыс ресурстары; қарама-қарсылық; түс беру және шешу; бұйымдардың габаритті өлшемі және т.с.с.). OLED технологиясы бойынша материалдар қабаттарын тұндыру үшін VTE (VacuumThermalEvaporation) вакуумдық-термиялық булану әдісі қолданылады.
Мысалы, жоғары энергиялы шығыс металы, 12.17-суретте көрсетілгендей, төсемге анод 2 ретінде тұнады. 3 жұқа қабаты (HIL — HoleInjectionLayer) төменгі энергетикалық барьер арқылы кемтіктер инжекциясын қамтамасыз етеді (5эВ кем емес). Содан соң оған кемтіктерді тасымалдауға қызмет ететін қабат 4 тұндырылады (HTL — HoleTransportLayer). Оның үстіне эмиттер қабаты 4 түзіледі (EML — EmissiveLayer). 6 және 7 қабаттары тасымалдауды (ETL — ElectronTransportLayer) және электрондарды инжектрлендіруді(EIL — ElectronInjectionLayer) қамтамасыз етеді. 8 қабат катод болады.
1-кремний төсемі, 2-анод қабаты, 3-инжектрлейтін қабат, 4-кемтіктер транспортировкасының қабаты, 5-эмиссиялық материал қабаты, 6-электрондар транспортировкасының қабаты, 7- электрондарды инжектрлейтін қабат, 8-катод қабаты, 9-мөлдір қабат
12.17 сурет. Кремний төсемі негізіндегі органикалық жарық диод құрылысы
Қажет етілетін түс түстік сүзгіштерді қолдану есебінен қамтамасыз етіледі. Материалдар қабаттарын тұндыру үшін OLED технологисы бойынша және полимер материалдар органикалық ерітінділерде ериді, ал содан кейін сұйық түрде арнайы бүркігіш «принтер» көмегімен жағылады. PLED құрылымы 12.18-суретте көрсетілген.
12.18 сурет. Полимерлі жарықдиодтың құрылымы
12.1 кесте. OLED‑ и PLED құрылымдардың кейбір салыстыру сипаттамалары
Мөлдір ыңғайлы төсемге анод қабықшасын және содан соң HIL кемтіктерді инжекторлау негізі болатын полимер қабықшасын жағады. Одан әрі өткізгіштік аумағы түбінің едәуір төмен жағдайындағы EIL электрондар инжекторы болатын 2 қабатты тұндырады. Материалдар қалыңдығы мен электрлік сипаттамасы сәйкесті қабаттардағы электрондар мен кемтіктердің қабаттар байланысы шекаралары бойымен жиналатынындай іріктелген, осында олардың фотондар генерациясымен рекомбинациясы жүреді. 1 қабат катод болады. 12.1-кестеде OLED‑ и PLED құрылымдардың кейбір салыстыру сипаттамалары көрсетілген. Кестеде көрсетлгендей, қазіргі кезде OLED -құрылымдары PLED –құрылымдарынан сәулелену өлшемдері жиынтығы бойынша асып түседі. Алайда OLED‑технологиясы PLED‑технологиясынан үлкен өлшемді дисплей құруға мүмкіндік бермейді.
OLED‑құрылымдар түрлері. Қазіргі уақытта ОLED‑құрылымдарының бірнеше түрлері бар:
1) пассивті-матрицалы (ПМ) (Passive‑MatrixOLED, PMOLED). Кескін элементтері (пиксельдер) диодты құрылымдар түзеді. Сәулелену генерациясы үшін токтың жолаққа берілуі сияқты, матрица бағанына да қажет. PMOLED негізінде (2...3) ұялы телефондарда, қалталы компьютерлерде және МР3‑плеерлерде ақпараттардың бейнеленуі үшін кіші өлшемдер құрылымдары 5000 сағаттан кем емес үздіксіз жұмыс жасау мерзімімен орындалады. Алайда PMOLED үлкен диагональды және жоғары шешімді экрандар құру үшін жарамсыз;
2) белсенді-матрицалы (AM) (Active‑MatrixOLED, AMOLED)— пассивті-матрицалы құрылымдар аналогы, бірақ олардағы пиксел диодқа келетін энергия мөлшерін бақылайтын диод пен жұқа қабықшалы алаң транзисторынан (TFT) тұрады. Пассивті-матрицалы диодтарға қарағанда аз пайдаланылатын қуат және деректерді едәуір жоғары жиілікте жаңарту үлкен ТВ-экрандарын, портативтік қондырғылар дисплейлерін, мониторлар, электрондық ақпараттық және жарнамалық табло құру үшін AMOLED пайдалануға мүмкіндік береді;
3) мөлдір катодты OLED-құрылымдары немесе мөлдір диодтар (Transparent OLED, TOLED). Бұл PMOLED болуы да, сонымен бірге AMOLED0 құрылымдары да болуы мүмкін.
Жұқа мөлдір шыны немесе пластмасса төсемдердегі мөлдір органикалық жарық диодтары оптикалық диапазон сәулелерін, жоғары және төменгі, сонымен бірге екі сыртқы беттері диапазон сәулелерін түрлендіруге мүмкіндік береді. Жұмыс жасамаған кезде панельдер мөлдір болады. TOLED көзілдірік әйнектерінде, бас киім дисплейлерінде, автомобиль, самолеттердің алдыңғы әйнектерінде және т.б. болады;
4)жинақтық OLED-құрылымдар (stacked OLED, SOLED). Олардың түзілу ерекшелігі субпикселдердің вертикаль орналасуы болып табылады. Түс берудің сәулелену жиілігін және сұр түс шкаласын тәуелсіз реттеу арқасында OLED жиынтық құрылымдары жоғары шешімді толық түсті экрандар құруға мүмкіндік береді;
5) иілмелі OLED-құрылымдар (Foldable0flexible OLED — FOLED) иілімді металл қағазда, сонымен бірге пластмасса үстінде түзіле алады. Иілмелі OLED дисплейлер құтқару қызметі және әскери адамдар үшін тігілетін киім маталарына кіргізіледі. Аранйы киімге фондық кескін беру кезінде (ғимарат қабырғасы, жергілікті жер бедері және т.б.) адам фонмен бірге ұласып «көрінбейтін» болады;
6) UniversalDisplayCorp (UDC) компаниясы жасақтаған фосфоресцирленген OLED-құрылымдар (phosphorescent OLED — PHOLED). Бұл құрылымдарда кемтіктерді және электрондарды тасымалдау қабаттары полимерде фосфоресцирленген төмен молекулалы материалдың еруі негізінде орындалған. PHOLED фосфоресценциялау арқасында теориялық негізде жарықтық сәулелендіруге іс жүзінде 100% тұтынатын энергияны айналдыра алады (кәдімгі органикалық жарық диодтары - 23%), бұл тұтынатын қуаттың едәуір азаюына, жылу шығынының қысқаруына және сәйкесті үлкен өлшемді матрицалар алуға әкеледі. PHOLED сонымен бірге аморфте немесе жартылай кремнийде TFT-мен AMOLED дайындау үшін жарамды. Қабаттар төсемдерде бүркігіш баспа көмегімен органикалық бумен түзіледі (OrganicVaporPhaseDeposition — OVPD): органикалық материал булары микроскопиялық ағындар арқылы өтеді, олар төсемде қажетті суретті құрайтын коллимирленген газ шоғырын құрайды. PHOLED және TOLED технологиялары негізінде ауа райы және жарықтандыру жағдайларына байланысты не өзбетімен күндізгі жарық бере алатын, не оны өткізе алатын терезелер жасақталады. 2008 жылдың соңғы сауда рейтенгісі бойынша AMOLED сату көлемі PMOLED артып түсті. Қазіргі кезде бұл қызмет саласында екі компания алда келеді — ұялы телефондар үшін дисплей шығаратын SamsungSDI және теледидар өндірісін қалыпқа келтіруші Sony.
Sony фирмасы 960x540 пиксель шешімді және небәрі 25 Вт тұтыну қуаты негізінде экран қарама-қарсылығы 106:1-ге дейін SonyXEL-l-П сериялы теледидарларын шығарады. Матрица қалыңдығы 3 мм-ге жуық. Алдағы уақытта 2009 жылдың қаңтарында Лас-Вегаста CES (ConsumerElectronicsShow — CES) электроника көрмесінде көрсетілген 21” экранды OLED-теледидарын саудаға түсіру жоспарлануда. 2008 жылдың ортасында CeBIT-2008 электроника көрмесінде Samsung компаниясы қалыңдығы 4,3 мм диагоналі 31” OLED-дисплей ұсынды.