
- •Оптоэлектроникаға кіріспе
- •Талшықты оптикаға кіріспе
- •Оптикалық электрониканың ерекшеліктері
- •Оптоэлектрониканың даму тарихы
- •1.4. Оптоэлектронды элементті базаның қазіргі уақыттағы күйі
- •1.5.Оптоэлектронды құрылғылар индекацияларын белгілеу жүйесі
- •1.6. Фотоқабылдағыш құрылғылардың және оптрондардың белгілеу жүйесі
- •Оптоэлектрониканың физикалық негіздері
- •2.1. Фотометриялық және энергетикалық сипаттамалардың айырмашылықтары
- •2.2. Оптикалық сәулеленудің фотометриялық сипаттамалары
- •2.2.1. Көріну функциясы және оның электромагнитті толқын ұзындығынан тәуелділігі
- •2.1 Кесте
- •2.2.2. Дененің бұрышы, жарықтық ағын және жарықтың механикалық эквиваленті
- •2.2.3. Жарық күші (IV)
- •2.2.4. Беттің жарықтануы (е)
- •2.3. Сурет. Жарықтануды анықтау
- •2.2.5. Жарықтылық заңы
- •2.2.6. Сәулеленетін беттін жарықтылығы (м)
- •2.2.7. Жарық беттің ашықтығы (l)
- •2.2.8. Ламберт заңы
- •2.2.9. Жарықтық экспозиция (Нv)
- •2.2. Кесте
- •2.3.1. Энергетикалық экспозиция (Не)
- •2.6. Сурет. Адам көзінің сезгіштігінің спектралды сипаттамасы
- •2.5. Колометриялық параметрлер
- •2.6. Оптикалық сәулеленудің когеренттілігі.
- •2.6.1. Монохроматты электромагнитті толқын
- •2.6.2. Электромагнитті толқындардың сәулеленуінің ультракүлгін, корінетін жарық және инфрақызыл диапазондардағы ерекшеліктері
- •2.6.3. Оптикалық сәулеленудің реалды параметрлері мен τк және lк арасындағы өзара байланыс
- •2.7. Кванттық өткелдер және сәулеленетін өткелдердің ықтималдығы
- •2.7.1. Энергетикалық деңгейлер және кванттық өткелдер
- •2.7.2. Спонтанды өткелдер
- •2.7.3. Мәжбүрлі өткелдер
- •2.7.4. Эйнштейн коэффициенттері арасындағы қатынастар
- •2.7.5. Релаксациялық ауысулар
- •2.8. Спектрлік сызық кеңдігі
- •2.9. Электромагнитті өрістің күшеюі үшін мәжбүрлі ауысуларды қолдану
- •2.10. Шалаөткізгіштердегі сәулелену генерациясының механизмі
- •2.12.Сурет. Р-n-ауысудағы тасымалдаушылардың рекомбинациясы
- •2.11. Тік зоналы және тік зоналы емес шалаөткізгіштер
- •2.3. Кесте
- •2.12. Сыртқы кванттық шығыс және сәулелену шығыны
- •2.13. Гетероструктуралар негізіндегі сәуле шығаршыштар
- •2.14. Қатты денелердегі жарықтың жұтылуы
- •2.15. Өткелдер типтері және сәулеленуші шалаөткізгіш құрылымының сипаттамасы.
- •2.16. Оптикалық сәулеленудің параметрлері
- •Оптикалық толқынжүргізгіштер (волноводы)
- •3.1.Сынудың абсолютті көрсеткіші
- •3.2. Жарықтың сыну және шағылу заңдары
- •3.2.1.Жалпы мәліметтер
- •3.2.2. Жарықтың екі орта шекарасынан толық ішкі шағылысу шарты
- •3.3. Планарлық симметриялық оптикалық толқынжүргізгіштің конструкциясы
- •3.4. Гаусс-Хенхен эффектісі
- •3.5. Планарлы толқынжүргізгіш үшін көлденең резонанс шарты
- •3.6. Оптикалық сәулелену модасы
- •3.7. Цилиндрлік диэлектрлік толқынжүргізгіштің - стеклоталшықтың (св) конструкциясы
- •3.8. Стеклоталшықтың номиналды сандық апертурасы
- •3.9. Стеклоталшықта φ және γ бұрыштарының квантталуы
- •3.10. Стеклоталшықтағы импульсті сигналдарды кеңейту
- •3.10.1. Жарықтық шоқтың таралуына негізделген импульстік оптикалық сигналды кеңейту
- •3.10.2. Материалды дисперсияға негізделген импульсті оптикалық сигналды кеңейту
- •3.11. Градиентті жарықтыталшықтар қасиеттері
- •3.11.1. Жарықтықталшықтағы жарық рефракциясы
- •3.14. Сыну көрсеткішінің тербелмелі өзгеру ортасынжағы жарық рефракциясы
- •3.11.2. Градиентті стеклоталшықтар модаралық дисперсияны төмендету әдісі ретінде
- •3.12. Жарықтық толқынның е өрісінің электрлік компонеттерінің стационарлық толқынды теңдеуі және оның шешімі.
- •3.13. Шыныталшық бойымен тарала алатын мод-тың шекті саны.
- •Шыныталшықтағы оптикалық сигналдардың шығын түрлері
- •Материалдық дисперсияға сәйкес шығындар
- •Шыныталшықтыдағы рэлелік жарық таралуымен байланысқан шығындар
- •Шыны талшықтыда он гидроқышқыл топта болумен шартталған шығындар
- •3.27 Сурет сөну коэффициенті
- •3.30 Сурет периодтты екіеселі микроторлы бейнеде
- •4,1 Сурет шығарылатын жарықтың жіңізшке спектрлі диапазон жиілі.
- •4.2 Сурет светадиодтың сәуле шығару 4.3 сурет светодиодтың қосылуы
- •4.4 Сурет Светодиодтың вас 4.5 сурет вас түзу бағыттарының тиым салынған зонада қолданылатын материалдар айырмашылығы
- •4.6 Сурет спектральді диапазон және максималды фотосезгіш шалаөткізгіш материал структурасы
- •4.7 Сурет мезгілдік диаграмма
- •4.8 Сурет жарықтың тоқ(а) пен кернеуге (б)байланысы
- •Светодиодтардың құрылымы
- •4.6 Сурет
- •Светодиод қозуының негізгі схемалары
- •4.10 Суретте светодиод қозуының негізгі схемасы
- •Жарық диод түрлерін таңдау(выбор типа светодиода)
- •Жарық диодын таңдау негізі
- •4.11 Сурет
- •Светодиодтың электрлік моделі
- •Светодиодтардың инфроқызыл сәуле шығаруы
- •Ақ харық пен үлкен жарық көзі бар светодиодтар
- •4.14 Сурет ақ жарықтың алынуы 4.14 сурет сары люминаформен қапталған көк светадиод арқылы ақ жарықтың алынуы
- •Когерентті сәуле шығару құралдары
- •5.1 Сурет лазердегі кванттық ауысу
- •Лазердің құрылымды схемасы
- •Кристалды диэлектрик негізіндегі лазерлер
- •5.3 Сурет 5.4 сурет рубинді лазер схемасы
- •Сұйықтық лазері
- •5.6 Сурет
- •Газды лазерлер
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы инжекция монолазері
- •Шалаөткізгіштің құрылымы және әрекеттік ұстанымы гетероструктурамен
- •Талшықты -Оптикалық күшейткiштер және лазерлер
- •Талшықты лазерлер
- •Негiзде талшықты лазерлер мәжбүр Комбинациялық шашырату
- •Сәулелену диодтары үшiн талшықты- оптикалық жүйелер
- •Лазер және жарық диодтарының Салыстырмалы сипаттамасы
- •Сурет қабылдағыш қалыптары мінездеме, параметрлері
- •Сурет қабылдағыш мінездемелері
- •Сурет қабылдағыштың параметрлері
- •Сурет қабылдағыш параметрлері сияқты оптопар элементі
- •Көз өзгеше құрамды фотоқабылдағыш есебінде
- •Фотоқабылдағыштардың шулық параметрлері
- •Фотоқабылдағыштардың электрлік моделдері
- •Фотоқабылдағыштардың шулы моделдері
- •Шоттки фотодиодтары
- •Гетероқұрылымды фотодиодтар
- •Лавинді фотодиодтар
- •Фототранзисторлар
- •Фототиристорлар
- •Фоторезисторлар
- •Фоторезистордың негізгі сипаттамалары мен параметрлері
- •Заряд байланысы бар құрал – қабылдағыш фотоқұралдар
- •Пиротехникалық фотоқабылдағыштар
- •7 Тарау оптрондар
- •Оптрондардың жұмыс істеу принципі және құрылғысы
- •Оптронның структуралық схемасы
- •Оптрондардың параметрлері және классификациясы
- •Оптронның электрлік моделі
- •Резисторлық оптопарлар
- •Диодты оптопарлар
- •Транзисторлы оптопарлар
- •Тиристорлы оптопарлар
- •Динамикалық таралу эффектісі негізіндегі ұяшықтар(дт-ұяшықтары)
- •Твист-эффект негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.3.Твист эффектісі негізіндегі ұяшықтар
- •8.1.4.Жки(сұыйқкристалды индикатор) негізгі типтері және параметрлері
- •Ск индикаторды қосу схемасы
- •Көпразрядты индикатормен басқару схемасы
- •Электролюминесценттік индикаторлар(эли)
- •Эли құрылғысы және оның жұмыс істеу принципі
- •Эли параметрлері мен типтері
- •Эли қосу схемалары
- •Плазмлы панельдер және олардың негізіндегі құрылғылар
- •Электрохромды индикаторлар
- •8.5. Индикаторлық құрылғылар арқылы ақпараттың бейнеленуі
- •Оптоэлектрондық құрылғылардың қолданылуы
- •Оптоэлектрондық генераторлардың жұмыс істеу принципі және құрылғылар.
- •Блокинг-генертаор
- •Сызықты өзерілмелі кернеу генераторы
- •9.2 Сурет.Сызықты өзгермелі кернеу оптронды генераторы.
- •Вин көпірлі генетраор
- •9.3 Сурет Вин көпірлі оптоэлектронды генератор схемасы.
- •Оптоэлектронды құрылғылардың аналогты кілттерде және регуляторларда қолданылуы.
- •9.4 Сурет Оптрондардың аналогты құрылғыларда қолданылу мысалы
- •Логикалық функцияларды орындау үшін оптрондардың қолданылуы
- •9.8 Сурет Операцияны орындауға арналған оптрондық логикалық элементтер;
- •Оптрондардың электрорадиокомпоненттердің аналогы ретінде қолданылуы
- •Оптоэлектрондық күшейткіштердің жұмыс істеу принипі мен құрылғысы
- •9.9 Сурет
- •Оптоэлектронды сандық кілттердің құрылғысы және жұмыс істеу принципі
- •9.11 Сурет
- •Оптоэлектронды құрылғылардың жоғары қуатты құрылғыларды басқару мен жоғары кернеуді өлшеу үшін қолданылуы
- •Ақпаратты жазудағы оптикалық құрылғылардың жұмыс істеу принципі.
- •9.14 Сурет
- •Лазерлік-оптикалық ақпаратты оқудағы принцип
- •9.15Сурет
- •9.17 Сурет
- •Компакт дискіден ақпараттың ойнауы мен сандық оптикалық жазудың принципі
- •Компакт-диск құрылғысы
- •Компакт-дискке жазу
- •Штампталғаннан айырмашылығы.
- •Дисктердің маркировкасы
- •Қарағандағы пайдалану уақыты
- •Компакт-дискілердің жасалынуы мен тиражированиесі.
- •Компакт-дисктердің ойналуы
- •9.18 Сурет
- •Cd дағы дыбыстық сигналдардың параметрлері
- •Джиттер
- •Оптоэлектронды сенсорлы жүйелер адамның электрондық техникамен әрекеттесуі
- •9.21 Сурет
- •9.26 Сурет
- •Опто-волоконды байланыс жүйесі
- •Жалпы мағлұмат
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы
- •Оптоталшықты жүйелер таралуы классификациясы
- •Оптоталшықты таралу жүйелерінің схемалары
- •10.2 Сурет
- •Оптикалық таратқыштар
- •10.3 Сурет
- •10.4 Сурет
- •10.5 Сурет
- •10.6 Сурет
- •Опто-волоконды байланс жүйесінің қабылдағыштары
- •Оптикалық сәулелену қабылдағыштары
- •10.7 Сурет
- •10.9 Сурет
- •Қабылдайтын оптоэлектронды модульдер
- •10.10 Сурет
- •Сандық опто-волокондық байланыс жүйесі
- •10.11 Сурет
- •10.12 Сурет
- •10.13 Сурет
- •Аналогты талшықты -оптикалық байланыс жүйелері
- •Смартлинк негізіндегі “Ақылды” байланыстырғыштар.
- •10.7.1. Смартлинктің техникалық шешімдері
- •Өздігінен құрылатын компьютерлер
- •Оптоталшықты нейроинтерфейстер
- •Мүмкіндік желілері үшін талшықты-оптикалық технологиялар.
- •Жалпы мәліметтер
- •10.8.2 Мүмкіндік желілерінін әлемдік дамуынын үрдістері
- •10.8.3 Оптикалық мүмкіндік желілерінін технологиялары
- •Оптикалық мүмкіндік желілерінің категориялары
- •10.8.5 FttBusiness- бизнес үшін талшық
- •10.8.6. Ftth – үйге арналған талшық
- •10.8.7. Fttb – көп пәтерлі үй үшін талшық
- •10.8.8. Ауылдық аймаққа арналған талшық
- •Нанофотониканың физикалық негіздері
- •11.1.Нанофотоникаға кіріспе
- •11.2. Төменгі өлшемді объектілердің классификациясы
- •11.3. Жартылайөткізгіштердегі кванттық эффект
- •11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
- •11.4.2 Металдық нанокластерлердің оптикалық қасиеттері
- •11.4.3. Шалаөткізгішті нанокластерлердің оптикалық қаси
- •11.4.4.Фотонды нанокристалдар
- •11.4.5. Квантты шұңқырлардың оптикалық қасиеттері
- •11.4.6. Кванттық нүктелердің оптикалық қасиеттері
- •11.5. Лазерлер жасалуында квантты- өлшемдік эффектерді қолдану
- •12.1. Жалпы түсінік
- •12.2. Наноэлектронды лазерлер
- •12.2.1. Горизонталды резонаторлары бар наноэлетроникалы лазерлер
- •12.2.2 Вертикальды резонаторлары бар наноэлектронды лазерлер
- •12,6 Сурет. , кезінжегі лвр-2 ватт-амперлік сипаттамалары
- •12,7 Сурет. Лвр-1 вольт-амперлік сипаттамалары:
- •12.2.3.Оптикалық модуляторлар
- •12.3. 12.3.1. Наноэлектронды құрылғылар және сұйық кристаллды негіздегі жүйелер
- •12.3.2.Электрооптикалық модулятор
- •12.3.3 Жарық клапанды модулятор
- •12.3.4. Жалпақ теледидарлар, дисплей және видеопроекторлардың жарық клапанды модуляторы
- •12.3.5. Кең қолданыстағы сұйық кристаллды дисплей.
- •12.4. Органикалық наноматериал негізіндегі тарататын құралдар
- •12.4.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.4.2. Органикалық жарық диодтары
- •12.4.3. Органикалық жарық диодтарын алу технологиясы
- •12.4.4. Oled-дисплейде түрлі-түсті кескінді алу
- •12.4.5. Amoled транзисторлары орнына mems-кілттерін пайдалану
- •12.4.6. Органикалық жарық диодтары негізінде қондырғылар мен жүйелерді жасақтау жағдайы
- •12.5. Көміртекті талшықтар автоэмиссиясы негізіндегі жарық көздері
- •12.5.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.5.2. Автоэлектронды эмиттерлі катодолюминесцентті дисплейлер
- •12.6. Фотоқабылдағыш наноэлектрондық құралдар
- •12.6.1. Квантты шұңқырлардағы фотоқабылдағыштар
- •12.6.2. Кванттық нүктелер негізіндегі фотоқабылдағыштар
- •12.32 Сурет. Фотоқабылдағыш құрылысы мен диодтың энергетикалық диаграммасы.
- •12.7. Кең қолданылатын фотоматрицалар
- •12.7.1. Жалпы мағлұмат
- •12.7.2. Матрицалар сипаттамасы
- •12.7.3. Қолдану технологиясы бойынша матрица түрлері
- •12.7.4. Фотоматрицаларда түрлі-түсті кескіндерді алу әдістері
- •12.8. Тізбекті жаймалы ұялы құрылғыларға арналған лазерлік микропроектор
- •12.9. Квантты нанотехнология және оның өнімі
- •12.9.1. Жалпы мағлұматтар
- •12.9.2. Кванттық компьютерлерді жасақтау
- •12.36 Сурет. Кк жұмысының структуралық схемасы
- •12.9.3. Кванттық криптография жоспарлары
11.4. Наноматериалдардың оптикалық ерекшеліктері
11.4.1. Жалпы түсінік
Оптикалық және электрөткізгіштік қасиетімен ерекшеленетін нанокластерлер және наноматериалдар.
Келесі маңызды фактор, нанометрлердің ерекшелігін анықтайтын кластері бар матрица. Наноматериал негізінде толқын ұзындығы өзгерген лазерлер және диод алуға болады, сонымен қатар оптикалық түрленгіштер үшін бейсызық оптикалық наносистемалар да бар. Нанокластерлердің матрицадағы реттілігі фотондық салыстырмалы толқын ұзындығы және тұрақты решеткасы бар кристалдар құруға мүмкіндік береді.
Металлдардың және шалаөткізгіштердің оптикалық құрылымы зона өткізгіштік, валенттік зона және Ферми деңгейімен айырылады. Осыған байланысты нанокластердегі металлдар және шалаөткізгіштер өлшемді эффект арқылы ажыратылады.
Жартылайөткізгішті заттардың нанобөлшектері қарқынды оқытылды. Көптеген зерттеулер электрондық құрылымы бар кванттық нүкте ретінде қолданылатын бөлшектерге қатысты. Германий және кремний нанобөлшектері жартылайөткізгіш болып табылмайды. Sin нанобөлшегі гелий ағынындағы кремнидің лазерлі булануымен пайда болады. Фотолиз процесінде кластерлердің бейтарап түйіні ультрафиолетовый лазер арқылы ионизацияланады және зарядтың салмаққа қатынасы масc- спектрометр арқылы есептеледі. Жартылайөткізгішті нанобөлшектердің оптикалық құрылымындағы материалдар және көлемді материалдар тез ажыратылады. Бөлшектердің өлшемі кішірейгенде, оптикалық спектрдің жұтылуы толқын ұзындығы кішірейген бетке ығысады.
Жартылайөткізгіштің тыйым салынған зонасында тең немесе шамадан асып кететін ені бар энергиялы фотондар электрон-кемтікті жұптар шығара алады. Электрондар және кемтіктер бір бірінен байланыссыз қозғалады.Кейбір жағдайда кулондық әрекет арқасында электрондар және кемтіктер экситон дейтін бейтарап квазибөлшек шығарып бірге қалуы мүмкін. Органикалық облыстардағы локализация электрондардағы және кемтіктердегі толқындық эффектіні тоқтатуын күшейтетіндіктен және экситондар электр зарядына ие болмағандықтан, заттардың электрөткізгіштігіне әсер етпейді.
Экситонның қарапайым моделі электрон және кемтік ретінде сипаттайды.
Экситонның негізгі екі типі бар:
Электрондардағы және кемтіктердегі толқындық функцияны бөгеу экситоны. Мұндай экситондардың өлшемі бірнеше решетка параметрін құрайды. Егер эксипондар әлсізбайланысқан электрон-кемтікті жұп болса, онда олар Ванье–Мотта экситоны деп аталады.
Өлшемі бар, тұрақты решеткаға жақын Френкель экситоны. Олар электрон- кемтікті жұппен тығыз байланысты.
Экситонның кедергі күйінін энергиясы тең:
n = 1, 2, 3, ...; RH – атом сутегі үшін Ридберг тұрақтысы; Rex – экситон үшін Ридберг тұрақтысы.
11.6- суретте экситонның энергия ионизацияның және түрінің байланысы көрсетілген.
11.6-
сурет. Экситонның байланысқан түрі
Фотон энергиясы экситон құру үшін керек, аз энергия жартылайөткізгіштегі электрон- кемтіктік жұпты құру үшін керек, сондықтан толық процесті электрон және кемтікті ажырату деп атасақта болады. Ажырату процесі энергияны қажет етеді.
Экситонның күйіне байланысты энергия өткізгішті зонаның шекарасынан кішкене төмен, жартылайөткізгіштің тыйым салынған зонасында орналасқан.
Экситондардың жұтылу спектрінің пиктары болады. Төмен температурада экситондар бірқалыпты болады және фонондардың әрекетінен ыдырап кетпейді.
11.7- сурет
Cu2O – ның оптикалық спектрінің жұтылуы 11.7- суретте көрсетілген. Нанобөлшектердің өлшемін кішірейткенде не болатыны қызық. Екі жағдай болуы мүмкін, мықты және әлсіз режим. Әлсіз режимде бөлшектің радиусы экситонның радиусынан үлкен болады, бірақ экситонның ығысу облысы шектеулі. Бөлшектің радиусы электрон- кемтікті жұптың орбита радиусынан кіші болғанда, электрон және кемтіктің қозғалысы бір бірінен тәуелсіз болады және экситон жоқ болып кетеді. Электрон және кемтіктер жеке энергетикалық деңгейге ие. Ол сонымен қатар, көк(голубой) ығысуға және жаңа жұтылу линиясының пайда болуына алып келеді.
Нанобөлшектерді микроскопиялық қатты денелермен салыстырғанда жарықтың жұтылу және шағылу ерекшелігіне ие. Бұл ерекшеліктер көп мөлшерлі бөлшектермен зерттеу жүргізгенде анық байқалады. Сонымен, калоидты ерітінділер және ұнтақталған пленкалар нанобөлшектердің спецификалық оптикалық қасиеттеріне байланысты интенсивті түрде боялуы мүмкін. Дисперциялық орталардың оптикалық қасиеттерін зерттегенде, классикалық объекті ретінде құрамында алтыны бар ерітінділер табылады. Фарадейдің өзі алтынның калоидты ерітіндісімен алтын пленкасының түстерінің ұқсастығын байқап, алтынды пленканың дисперциялық құруын мәлімдеді.
Металдардың жұқа қабыршақты пленкаларына жарықтың жұтылуы кезінде олардың спектірінің көрінетін бөлігінде массивті металдарда болмайтын жұтылу шектері пайда болады.
Ұнтақталған пленкалардың тағы бір ерекшелігі болып спекирдің көрінетін аймағынан инфрақызыл аймаққа өту кезінде жарықтың жұтылының азаюы болып табылады.
Оптикалық
қасиеттердің өлшемді эффектері өлшемі
толқын ұзындығынан аз және 10-15 нм аспайтын
нанобөлшектерге жатады. Нанобөлшектер
мен массивті металдардың жұтылу
спектірінің айырмашылығы олардың
диэлектрлік өткізгіштігі мен
түсіндіріледі. Энергетикалық спектрі
бар нанобөлшектердің диэлектрлі
өткізгіштігі бөлшектердің өлшемі және
сәулелену жиілігіне тәуелді. Сонымен
қатар диэлектрлік өткізгіштік жиілікке
монотонды түрде емес, электронды
күйлердің арасындағы өткелдің әсерінен
осцилляцияға ұшырауы арқылы тәуелді.
Оптикалық қасиеттердің тәжірибелік зерттеулері үшін қажет болатын бөлшектердің минималды саны 1010 құрайды. 1010.....1013 бір өлшемді және бір формалы бөлшектерді алу мүмкін емес, сондықтан тәжірибелер кезінде бөлшектердің ансамблін құру үшін осцилляциялар тегістеледі. Дегенмен, ансамбль бойынша заттың орташа диэлектрикті өткізгіштігінің массивке қарағанда айырмашылығы бар. Диэлектрикті өткізгіштің құраушы бөлігі бөлшектің радиусына кері пропорционал:
Мұндағы εx , 2(ω)- макроскопиялық кристалдың диэлектрлік өткізгіштігінің құраушы бөлігі: А(ω) – жиіліктің белгісіз функциясы.
Λ=500нм тұрақты толқын ұзындығы кезіндегі r= 0.9…3.0 нм өлшемі бар алтынның бөлшегі үшін алынған тәжірибелік нәтижелер ε2=1/r тәуелділігін көрсетеді. Сондай- ақ бөлшектердің өлшемдеріне жұтылу жолағының кеңдігі және оның формасы тәуелді болады. Өлшемін азайтқанда жарықтың жұтылу жолағының Au және Ag нанобөлшектерімен оның кеңеюі байқалады.
Басқа өлшемдік эффект болып жарықтың жұтылуының резонансты шыңының(пиковое) жылжуы болып табылады. Λх еркін электрондардың қозғалуының ұзындығынан аз болатын диаметрге ие металдық бөлшектердегі еркін электрондардың ұзындығы бөлшектің радиусына тең. Бұл жағдайда жарықтың жұтылуы кезінде эффективті релаксация уақытын былай анықтауға болады:
Мұндағы τ = λх/VF- массивті металдағы релаксация уақыты; VF- Ферми деңгейіндегі электронның жылдамдығы. Аралық өткелдерді және электрондардың қозғалысын есепке алғанда;
Мұндағы ωp- плазмондардың жиілігі
Мұндағы
N,e,m*
- еркін электрондардың сәйкесінше
концентрациясы, заряды және эффективті
массасы. Жарықтың жұтылуының максимумы
εm=
ε1(
ω1);
Ал өте кіші бөлшектер үшін
. Резонансты жиілік үшін шама төмендегідей
болады.
Резонансты жиілік бөлшектің өлшемін кішірейткенде кішірейеді, себебі жұтылу жолағы төменгі жиілікті аймыққа жылжуы тиіс. Резонансты жиіліктің нанобөлшектердің өлшеміне тәуелді жұтылуы туралы тәжірибелік мәліметтер анықталмаған. Зерттеушілер Ag нанобөлшектерінің жұтылу пигінің, олардың өлшемдерін 1…2нм дейін төмендеткен кезде көгілдір жылжуын байқады. Бөлшектердің бетіндегі электронды бұлттардың дәрежесіне тәуелді түрде көгілдір және қызыл жылжу байқалды. Бір эффекттен екінші эффектке өту үшін диффузиялық шайылу аймағының өлшемін өзгерту жеткілікті. Жарықтың жұтылу жолағының кеңдігі бөлшектің өлшемінің қиын функциясы болып табылады және D= 1,1 нм маңайында максимумға жетеді.