
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
§ 8.6. Биоэлектроника
Биоэлектроинка – тірі организмдердің тіршілік әрекеті мен структураның талдауы негізінде электроника тапсырмаларын шешуші бионика бағытының бірі. Биоэлектроника адамдар мен жануарлардың нерв жүйесін зерттеу мәселелерін және алдағы электронды есептегіш техникаларды жетілдіру үшін, жаңа элементтер және автоматика мен телемеханика құрылғысы өңдеу үшін нерв клеткаларын модельдеуді қамтиды.
Нерв жүйесін зерттей отырып, ең жетілдіруші есептегіш құрылғылар алдында бағалы ерекшеліктер мен артықшылықтарға ие екендігін көрсетеді. Олардың негізгілері мынала:
1)өзі түсетін формадан тәуелсіз ішкі ақпараттың жетілгіш және иілгіштігін қабылдау;
2)техникалық жүйенің сенімділігін едәуір арттырушы жоғары сенімділік;
3)элементтердің кішкентай болуы (миниатюрность);
4)жұмыс үнемділігі;
5)жаңа жағдайларға тез бейімделу.
Нерв жүйесі нейрон деп аталатын клеткалардан тұрады. Нейрондар қайда болмасын, барлық жерлерде де бірдей структуралара мен шамамен бірдей логикалық сипаттамаларға ие болады. Олар универсалды логикалық элемент болып табылады. Нейрондар негізінде қарапайым және ретке келтірілген нейрондық желілер тұрғызады.
8.26 – суретте нейрондардың схемалық кескіні көрсетілген. Луковицеобразды бөлігі ұяшық денесі болып табылады және сома деп аталады. Оның диаметрі байланыстырушы нейрондарға арналған 10 мкм және моторлы нейрондарға арналған 70 мкм болады. Нейрон денесінен алыс кетуші өскіндер дендрит деп аталып, нейронның кіріс байланысын білдіреді. Сомоның бір жағынан алыстаушы ұзын өскін аксон деп аталады және шығыс сигналды басқа нейрондарға беру үшін қызмет етеді; аксонның ұзындығы 1,8м және одан да көп болуы мүмкін. Аксон ақырын тарылады, және нейрон денесінен 50 – 100 мкм қашықтықта изолирлеуші қабат басталады. Нейронның өзі оны қоршаушы жіңішке мембрана сұйықтығынан изолирленген және зат алмасу процесіне орай оның ішінде калийдің теріс иондарының артық концентрациясы болады, дегенмен нейронды қаптаушы сұйықтықта натрий ионының қалдығы болады. Калий иондарының диффузиясын болдырмау үшін мемрана арқылы онда 70 мВ шамасында бөгеуш потенциал юолады. Аксон өзінің табиғаты бойынша электрлік тізбектің байланыс сымының аналогы болып табылады. Соңына қарай ол тармақталады және өте кіші тармақтар басқа нейрондармен контакт құрады.
8.26 – сурет. Нейронның схемалық кескіні:
1 – дендриттер; 2 – нейрон денесі (сома); 3 – аксон
Нейрондар көбіне электронды логикалық элементтер секілді. Белгілі бір әдіспен нейронды байланыстыруды орындай отырып, есептеуіш машинаның қарапайым схемасының біреуінің аналогты қасиетіне ие екендігін анықта қиын емес. Дегенмен нейрон өзге де қасиетерге ие, мысалы, кіріс амплитудасының өзгерісі бар шығыс сигналының жиілігінің көбею қасиеті, кіріс сигналды суммалау және т.б. Мұның бәрі қарапайым логикалық схемаға қарағанда нейрон күрделі элемент екенін көрсетеді. Нейрон ақпаратты аналогты формада бере алады. Нейрондардың адаптивті қасиетін белгілер мен кескіндерді тануға арналған құрылғыларды жасау кезінде және үйренуші машналарды тұрғызу кещінде де қолданылуы мүмкін. Егер интегралды микросхеманы нейронмен салыстыралытн болсақ, нейрондағы шашырау қуаты 107 есеге аз, ал интеграция деңгейі 107 есе көп.
Зерттеу бойынша нейронның моделі МДП – транзисторында екі интегралды микросхема түрінде орындау мүмкіндігін көрсетті.
Бірінші микросхема (импульсті сумматор) биологиялық нейронның синапсын модельдейді. Екінші микросхема (табалдырықты құрылғы) нейронның денесін модельдейді. Ол талап етілуші жіберуші сипаттаманы «кернеу - кернеу» формалайды және кернеуді жиілікке түрлендіреді.
Бұл микросхемаларды қолдана отырып, нейронның белгілі бір класының сипаттамаларына жақын шығыс жиіліктік сипаттамаларын алуға болады.
Қазіргі уақытта биоэлектрониканың әртүрлі бағытында көптеген зерттеулер жүргізілуде.