
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
§ 8.5. Хемотроника
Хемотроника жаңа ғылыми бағыт ретінде екі дамушы бағытың тоғысқан жерінде пайда болды: электрохимия және электроника. Хемотроника өзінің дамуының алғашқы кезеңінде техникалық тарау ретінде электрохимиялық түрлендіргішті құрудың жалпы теориялық және технологиялық принципін құруға тартылды. Сонымен қатар, осындай айырмашылығы бар электронды приборлардың негізгі аналогында қатты денеде немесе газда, вакуумдағы электрондар емес раствордағы иондарзаряд тасушылар болып саналады. Осылай электрохимиялық түзеткіштер, интеграторлар, күшейткіштер құрастырылды. Қатты денедегі немесе газдағы электрондардың қозғалғыштығына қарағанда раствордағы иондардың қозғалғыштығы едәуір аз, сондықтан, электрохимиялық приборлар физикалық табиғаты бойынша төменжиілікті болып табылады, дегенменэлектронды приборлар алдында ерекшеліктер қатарына ие.
8.23 – сурет. Электрохимиялық басқарылмалы кедергінің структурасы:
1, 2, 3 – шығыстар; 4 – басқарушы электрод; 5 – резистивті электрод
Қазіргі уақытта, хемотроника процесстер негізінде ақпараттық және басқармалық жүйелерді құру перспективасын оқытушы ғылым ретінде құрылды.
Көптеген әдебиеттерде «хемотроника» терминінің орнына «ионика» термині қолданылады, себебі барлық электрохимиялық приборларда ионнды процесстер қолданылады.
Зерттеулердің көрсетуі бойынша, қатты денелер негізіндегі жүйелердің алдында сұйықтық жүйелер маңызды ерекшеліктерге ие. Ең алдымен оларға шағын көлемде бір уақытта әртүрлі жылдамдықпен көптеген түрлі физико – химиялық процесстер болатын тұтастық (компактность) және сұйықтық элементтерінің көпфункционалдығы жатады. Бұл жүйелер сенімді және өзінің ішкі структурасының өзгерісінің мүмкіндігімен қамтамасыз етеді. Сұйықтық жүйенің негізгі мысалына адам миын айтсақ болады.
Сөйтіп, хемотрониканың даму перспективасы – бұл сұйықтық негізде ақпараттық және басқарушы жүйенің құрылуы, ал алдағы уақытта – ақпаратты биотүрлендіргіштер. Алдағы уақытта хемотрониканың дамуы үшін тек сұйықтық физикасын ғана емес, сонымен қатар физико – химиялық және электрохимиялық процесстерге күрделі зерттеулер жүруі керек.
Қазіргі уақытта электрохимиялық құбылыстың негізінде хемотронды приборлар жасалды: диод – түзеткіштер, интеграторлар, күшейткіштер, электрокинетикалық түрлендіргіштер, твердофазалық электрохимиялық түзеткіштер және т.б.
Электроника үшін басқармалы кедергі мен есте сақтап қалушы құрылғылар ерекше назар аудартады. Басқармалы кедергі өз алдына - кедергісі электрлік сигналдың әсерінен өзгеретін және басқармалы сигнал берілгеннен кейін уақыт ұзақтығы өзгеріссіз қалатын айнымалы резистордың контактсіз аналогын білдіреді. Кейде бұл приборды мимистор деп атайды. Басқармалы кедергі екі электроды бар 4 және 5, инертті металлдан орындалған, резистивті болып табылатын және кейбір омдық кедергіге ие герметикалық жабық корпуста орналасқан (8.23 – сурет). Мұнда электрод 4 басқарушы болып табылады. Оны металдан орындайды, бұл металлдың қышқыл қалдығымен қосындысын электролит дайындауға қолданады. Электролитке сонымен қатар металл тұндыруға мүмкіндік беретін қышқыл мен заттар қосылады. Басқармалы кедергінің үш шығысы болады (1, 2, 3), 1 және 2 шығыстары резистивті электродқа қатысты және өлшеуіш тізбекке қосуға қолданылады. 2 және 3 шығыстарына тұрақты токтың басқарушы сигналын берген кездерезистивті электрод катод болған кезде, прибор арқылы сол қарама – қарсылықтың тогы ағып өте бастайды; онда раствордан мыстың электролиттік тұндыруы болады. Сол кезде басқарушы электрод ериді. Кіріс тізбектен басқарушы сигналдың қарама – қарсылығының (полярность) өзгеруі кезінде электродтам роль бойынша өзгереді және ұяшықтағы электрлиттің құрамы өзгеріссіз қалады. Резистивті электродтың мысының ерітіндісі немесе оған мысты тұндыру қиманы өзгертеді, және де электрод кедергісін де.
8.24 – сурет. Жадының электрохимиялық ұяшығы:
1 – пластинкалы электрод (Au немесе Pt); 2 – эпоксидті изолирлеуші жабын; 3 – жіңішке межэлектродты зазор; 4 – Cu – нан жасалған электрод (немесе Cr, Zn, Ni)
Әртүрлі констуркциялар жадысының электрохимиялық элементтері қолданылады, мысалы, екілік кодта ақпаратты сақтау үшін электротұндыру процессі қолданылатын үшэлектродты ұяшықтар. Мұндай ұяшықтардың жұмыс істеу принципі 8.24 – суретте көрсетілген.
8.24 – суретте жадының электрохимиялық элементі кіретін электрлік схема көрсетілген. Трехпозиционды ауыстырып – қосқыш (переключатель) П операцияның үш түрінің – жазып алу (запись), салыстырып оқу (считывание) және өшіруге (стирание) қосылуы үшін қызмет етеді. І ауыстырып - қосқыш жағдайы кезінде 1 электродта R1резисторы арқылы Е1 э.қ.к. көзіне 4 электродына қатысты теріс кернеу түседі. Жазу жүреді – саңылауда мыс тұндырылады. ІІІ ауыстырып – қосқыш жағдайы кезінде 1 электродына Е1 батареясынан оң кернеу түседі. Өшіру жүреді – мыс саңылауда ериді. ІІ ауыстырып – қосқыш жағдайы кезінде салыстырып оқу процессі сәйкес келеді, яғни 1 электродына R2 резисторынан және Е2 э.қ.к. көзінен тұратын өлшеуіш схема қосылады. R2 резисторына UВ кернеу түсуі шығыс сигнал қызметін атқарады. Жабық саңылау кезінде UB ≈E2 , ажыратылған саңылау кезінде UB «E2.
8.25 – сурет. Ионистордың жұмыс істеу принципі:
1 – күмісті катод; 2 – қатты электролит; 3 – көмірлі анод (угольный анод)
Электрохимиялық қатты элементтер – жоғарыөткізгішті берік электролиттердің негізінде орындалатын ионисторлар қызығушылықтар туғызады.
Жоғары салыстырмалы өткізгіштігі (250С температура кезінде 0,27 См/см) бар қатты электролиттер (RbAg4I5) ионистордың негізі болып табылады. Заряд кезінде қатты электролитте болатын күмістің жылжымалы иондары катодқа көшіріледі (8.25 - сурет) және онда металлдық күміс түрінде тұнады. Оң бұрыштық электродта зарядтардың бөлінуі мен екілік электрлік қабаттардың құрылуы болады. Бұл процесс электролиттің ыдырату кернеуіне (Ер=0,67 В) шейін ағып өтеді.
Диэлектриктің болмауынан ионистордың жұмыс кернеуі аз: ол электролиттің ыдырату кернеуінен кіші болуы керек және ~0,5 В болады. Өте жоғары кернеу мен ток алу үшін ионисторларды конденсаторлар мен батареялар секілді последовательно – параллельно байланыстыруға болады.
Конструктуралық отандық ионисторлар (тип И50-1) металлдық немесе пластмассалық корпуста гермитизерленген үш нығыздалған таблеткалардан орындалған. Ионисторлар 50 Ф және одан да көп сыйымдылыққа ие, аз кему тогының арқасында зарядтарды ұзақ сақтайды және – 60 - +1450С температура диапазонында нық жұмыс жасайды.
Ионисторлар кернеу интеграторы болып, қорек көзі болып, сақтаушы құрылғы болып та қызмет ете алады.
Ионисторды кернеу интеграторы ретінде қолдану заряд – разряд процесстерін жақсы жүргізумен қамтамасыз етеді. Тұрақты ток заряды кезінде сызықтыққа жақын, уақытқа тәуелді кернеу алынады; разряд кезінде ұқсас тәуелділік бақыланады.
Ионисторларды последовательно байланыстыру арқылы өте жоғыра жұмыс кернеуіне қол жеткізуге болады. Мысалы, 50 Ф сыйымдылығы бар 10 элемент 5 Ф сыйымдылығы бар және 5 В кернеуі бар, 64 мм биіктік пен 25 мм диаметрлі модульді құрады. Мұндай қорек көзін әртүрлі микроэлектронды аппаратурада қолдануға болады.
Ионисторлардағы сақтаушы модульдер бірнеше секунд немесе минут іріктеу уақытынан бірнеше сағат немесе күндер ішінде ақпаратты сақтауға қабілетті. Ионисторды сақтаушы құрылғы ретінде қолдану мынаған негізделген: толық зарядталған ионистор – логикалық «1», ал толық разрядталған – логикалық «0». Планарлы технология бойынша дайындалғын, подложкада формаланған кішкентай ионисторлар қарапайым сақтаушы құрылғыларға қызмет ете алады.