
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
§ 8.4. Диэлектрлік электроника
Микроэлектроникада металл мен диэлектриктің жіңішке пленкасы кең қолданылады. Жіңішке пленкаға өткен кезде көлемді структуралар мен үлгілерде көрінбейтін жаңа құбылыс пен заңдылықтар пайда болады. Аз шығыс жұмысына ие металл мен металлдық емес қатты дененің контактісі кезінде контактілік аймақ металлдан эмиттерленген еркін заряд тасушыларымен көбейеді. Көлемді үлгіде (в массивных образцах) электрлік өткізгішпен көтерілген бұл жіңішке контактілік аймақтар дене көлеміндегі еркін заряд тасушылар концентрациясымен анықталатын токтық режимге ықпал етпейді. Жіңішке пленкада эмиттерленген заряд тасушылары токтық құбылыстың заңдылықтарын анықтай отырып барлық көлемде басым бола алады. Заряд тасушылардың таралуы теориясымен қарайтын болсақ, кез келген металлдық емес қатты дене қалың қабатта – шалаөткізгіш, жіңішке қабатта – диэлектрик.
Металлдық емес қатты денедегі эмиссионды токтың ағып өтуімен байланысты эффекттер шалаөткізгішті физикада да, диэлектрик физикасында да қамтылмайды. Бұл құбылыстардың заңдылығы, сонымен қатар приборлық және схемалық өңдеулернегізінен қатты дене және электроника физикасының жаңа бөлімінің – диэлектрлік электрониканың мазмұны құрылады.
Егер, екі металлдық электрод арасына жіңішке (1 – 10 мкм) диэлектрлік пленка орналастыратын болсақ, онда металлдан көшуші электрондар кернеу мен барлық пленка қалыңдығын толтырады және мұндай жүйеге қосылғандар диэлектрикте ток тудырады.
Диэлектрлік электроника туннельдік эмиссия кезінде және металл мен шалаөткізгіштен тұратын термоэлектронды эмиссия кезінде диэлектрикте көлемді зарядпен шектелген токтардың ағып өтуін қарастырады.
8.20 – сурет. Диэлектрлік диодтың структурасы:
1 – сток (Au); 2 – пленкаCdS; 3 – исток (In); 4 - подложка
Сипаттамалары бар диодтар мен транзисторлар, аналогты сипаттамалары бар электровакуумды приборлар диэлектрлік электрониканың қарапайым приборлары болып табылады. Диэлектрлік диод өз алдына пленкалы структуралы металл – диэлектрик – металлды білдіреді (8.20 - сурет). Диэлектрлік диодтың жұмыс істеу принципі электровакуумды және шалаөткізгішті диодтың жұмыс істеу принципінен ерекшеленеді. Диэлектрлік диодта түзеткіш эффект сток пен истоктан шығатын жұмыс ерекшлігімен анықталады және өте аз шығыс жұмысы бар материалдан жасалған диэлектрик контактке өаптау есебінен едәуір бас тарта алады. Сондықтан, белгілі бір бағытта үлкен токтар пайда болады, ал кері бағытта – жоғалушы аз токтар. Диэлектрлік диодтың түзету коэффициенті 104 дейін жетеді және одан жоғарыға.
Диэлектрлік транзисторда басқарушы электрод (затвор) исток пен сток арасындағы диэлектриктің жіңішке қабатында орналасқан. Транзистордың кейбір типтерінде диэлектриктің ролін ойнайтын (8.21 – сурет), кемтіктік электрөткізгіштігі бар р – типті жоғарыомды шалаөткізгіште электронды электрөткізгіші бар п – типті шалаөткізгіштен эмиссия болады. Жоғары кемтіктік электрөткізгіштігі бар р – типті шалаөткізгіштен құралған төменомды аймақ электровакуумды триодтың торларының металлдық ұяшықтарының ролін атқарады. Бұл аймақтарға берілетін сыртқы кернеу исток пен сток арасында ағып өтетін ток мөлшерін басқарады.
Диэлектрлік транзистордың басқа түрінде (8.22 - сурет) затвор CdS диэлектриктен бөлен орналасады; оның ролі ток мөлшеріне әсер ететін диэлектриктегі потенциалдың таралуының өзгеруіне сәйкес келеді. МДП (металл – диэлектрик - полупроводник) және МОП (металл – окисел - полупроводник) структураларының изолирленген затворы бар транзисторлар кең таралған.
8.21 – сурет. Диэлектрлік транзистор (горизонталды кесу)
8.22 – сурет. Изолирленген затворы бар диэлектрлік транзистордың структурасы
Диэлектрлік электрониканың приборлары шалаөткізгіштер мен электровакуумды приборлардың артықшылықтары және оның көптеген кемшіліктер мұқтаждығының қатарын байланыстырады. Бұл приборлар микроминиатюралық, азинерционды, жоғары жиілікті сипаттамаға, шуылдың төменгі деңшейіне ие, температура мен радиация өзгерісіне сезімталдығы аз болады.