1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:

а- жартылай өткізгішті пластина, берілген ретпен ИМС элементтері (екі транзистор, диод, резистор) бар; б - микросхеманың ішінде элементтердің жалғануы; в -корпустағы ИМС.

Интегралды микросхемаларды дайындау технологиясына тәуелді сонымен бірге пленкалы немесе гибридті болуы мүмкін.

Пленкалы интегралды микросхема деп, барлық элементтер және межэлементтер жалғануы, тек қана пленка түрінде орындалғанИМС аталады. Пленкалы интегралды микросхеманың техникалық орындау нұсқасы жұқа және қалыңпленкалы ИМС болып табылады.

Жұқа және қалыңпленкалы ИМС-ң арасындағы айырмашылық сандық және сапалық болуы мүмкін. Жұқапленкалыға 1 мкм - ға дейінгі қалыңдықтағы интегралды микросхемалар,ал қалыңпленкалыларға - 1 мкм - нан көбірек қалыңдықтағы пленка ИМС қатысты. Сапалы айырмашылығы пленканы дайындау технологиясынан анықталады.

Гибридті интегралды микросхема деп, құрамында пленкалы элементтер және компоненттер бар ИМС аталады. Гибридті микросхеманың құрамында қарапайымнан басқа күрделі компоненттер (мысалы, жартылай өткізгішті ИМС - ң кристаллдары) болуы мүмкін. Гибридті ИМС- ң әр түрлілігі, бір подложкада бірнеше корпуссыз ИМС - ң жиынтығын көрсететін, көпкристаллды ИМС болып табылады.

60 - шы жылдардың бірінші жартысында гибридті интегралды микросхемалар кеңінен таралды. Ары қарай, дайындау үнемдірек болып табылған, жартылай өткізгішті микросхемаларды өндірудің өрлеу қарқыны тез болды. Интегралды микросхеманың дамуының негізгі бағыты бір кристаллдағы элементтер санын көбейту болып табылады,яғни олардың функционалды күрделілігін жоғарылату болып табылады. Микросхеманың функционалды күрделілігімен біріктірудің деңгейін (степень интеграции), яғни корпустағы немесе кристаллдағы элементтердің (әдетте транзисторлардың) санын сипаттау қабылданған.

Микросхеманың біріктірудің дәрежесіИМС – ң күрделілігін көрсететін, ондағы элементтердің және компоненттердің санымен сипатталатын болып табылады. Біріктіру деңгейі формуласымен анықталады, мұндағы біріктіру деңгейін анықтайтын коэффициент, N–ИМС – ға кіретін элементтер және компоненттер саны. Осы формулаға сәйкес интегралды микросхема біріктірудің 1– ші дәрежесі 10–ға дейін элементтері мен компоненттері бар ИМС аталады. 2–ші дәрежелі біріктірудің интегралды микросхемасында 11–ден 100–ге дейінгі элементтер мен компоненттер бар. Өзінің құрамында 101–ден 1000–ға дейінгі элементтер және компоненттері бар интегралды микросхема, біріктірудің 3–ші дәрежелі ИМС деп аталады. 1001–ден 10000–ға дейін немесе 10001–ден 100000 –ға дейін элементтер және компоненттер санына ие интегралды микросхемалар – бұл біріктірудің 4 –ші және 5–ші дәрежелі ИМС болып табылады.

Біріктірудің дәрежжесінің сандық сипаттамасында мынадай терминдер жиі қолданылады: егер , онда қарапайым, егер – орташа (СИМС), егер және – үлкен (БИС), ал егер – аса үлкен (СБИС)интегралды схемадеп атайды. Біріктірудің дәрежесінен басқа, элементердің упаковкасының тығыздығы– кристаллдың ауданының бірлігіндегіэлементтердің саны,сияқты көрсеткіш қолданылады. Бұл технологиның деңгейін сипаттайтын көрсеткіш, қазіргі уақытта 500 – 1000 элемент/мм² және одан да көбіректі құрайды.

Микроэлектрониканың дамуының үш кезеңін көрсетуге болады. 60 – шы жылдарға қатысты бірінші кезең, 100 мкм реті арқылы элементтердің минималды өлшемі бойынша және 10 – 100 элементтер/кристаллдардың интеграция дәрежесі бойынша микросхемаларды өңдеумен сипатталады Екінші кезең, 60 – шы жылдардың екінші жартысына және 70 – ші жылдардың бірінші жартысына қатысты , 100 – 10000элемент/криссталлдардың біріктірудің дәрежесімен микросхеманы құрумен сипатталады және 100 – ден 3 мкм–ға дейін элементтердің минимум өлшемі. Осы кезеңде әсіресе тез қарқынмен дамыды және сериялық өндірістеүлкен интегралды схемалар (БИС) меңгерілді. 70 – жылдардың екінші жартысын басталатын үшінші кезең, 1 – 0,1 мкм элементтердің минималды өлшемі бойынша және 10⁴ – 10⁶элементтер/кристаллдардың интеграция дәрежесі бойынша микросхемаларды өңдеумен сипатталады. Бұл кезеңде аса үлкен интегралды схемалар (СБИС) және микропроцессорлар тез қарқынмен өңделеді.