
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
Аппаратуралық байланыста интегралды микросхеманы қолдану кеңінен етек алды. Барлық жаңа аппаратуралық байланыс ИМС қолдану арқылы дайындалады және шығарылады. Аппаратуралыө байланыста аналогты ИМС кеңінен тараған, ал қазір сандық ИМС қолданылады.
6.18-сурет. К174УН7 типті қуат күшейткіші: а- принципті электрлік схема, б- қосу схемасы
Аппаратуралық байланыста қолданылатын аналогты ИМС-нің бірнеше типтерін қарастырайық, сонымен қатар радиоқабылдағыш пен телевизиялық аппаратты.
Аппаратуралық байланыста төменгі жиілікті күшейткіштер кең қолданылады (ТЖК). Бұндай кушейткіштерді шалаөткізгіш ИМС түрінде жасау күрделі технологиялық міндетті көрсетеді. Дайындау технологиясы бір кристаллда токтың жоғары тығыздығымен n-p-n-структурасын алуға және күшейту коэффициенті мәнінің үлкен болуына, сонымен қатар күшейту коэффициенті жоғары инжекционды p-n-p-структурасын алуға мүмкіндік беруі керек. Қазіргі кезде бұндай шалаөкізгіш ИМС-нің 174 сериясы ғана жасалынған. 6.18-суретте шығыс қуаты 4,5 Вт-қа дейінғ жүктемесі 4 Ом, кернеуі 25 В К174УН7 типті қуат күшейткішінің схемасы көрсетілген.
Күшейткіштің
кіріс каскады Т3 транзисторы жүктеме
ретінде жұмыс істейтін p-n-p-типті
транзистордың құрамында салынған.
Күшейткіштің алдындағы каскад Т7,Т8,Т10
транзисторлары негізінде орындалады.
Жүктемені азайту үшін Т7 және Т8
транзисторлары кіріс каскадқа ортақ
коллекторлы схема бойынша қосылған.
Т10 транзисторының жүктемесі Т9
транзисторында орындалған ток генераторы
болып табылады. Қуатты шығыс каскад
Т14, Т16, Т11, Т17 транзисторларында құрылған
және 1А шығыс тогын қамтамасыз етеді.
6.19-сурет. К175УВ4 типті жоғары жиілік күшейткіші: а- принципиалды электрлік схема; б- қосу схемасы.
Т10 шығыс транзисторының араласу тогы Т9 транзисторының тогы арқылы және Д3 диодының керену түсуімен анықталады. Т17 транзисторының араласу тогы Т13 транзисторындағы токпен және p-n –өткелдегі кернеу түсумен анықталакды (Д4,Д5,Т15). Т4 және Т5 транзисторларында тұрақты ток бойынша күшейткіштің жұмыс нүктесінің стабилизациясы тзбегі орындалады. 5-шығысқа жоғары жиілікте жиіліктік сипаттамасын өңдейтін ішкі тізбек қосылады, ал 6-тізбекке күшейту коэффициентін түзететін кері байланыс тізбегі қосылады.
Жоғары жиілікті дифференциалды күшейткіш ретінде 150 МГц өткізу жолағымен К174УВ4 микросхемасы жұмыс істей алады (6.19-сурет). Бұндай тұрақты токты генератор және араласу схемасы бар дифференциалды күшейткіш қабылдағыш-күшейткішті трактың каскадтарында кең қолданылады: ЖЖК, араластырғышта, гетеродинада, шектегіште, амплитуда детекторында және жиілікті-модульденген сигналдарда.
Күшейткіштің тұрақты ток бойынша режимі Т1 транзисторының араласуы бойынша міндеттеледі. Бөлгіштің шығыстарын қосып (9,11,12) Т3 транзисторының коллекторлық тогының деңгейін жөндеуге болады. Т2 және Т4 транзисторлары Т3 транзисторының тұрақты токгымен қоректенетін дифференциалдық күшейткішті құрады. Микросхемалардың шуыл деңгейі 6-8 дБ-ден аспайды.
155 сериясының шалаөткізгішті ИМС ТТЛ көрсететін микросхемаларының біреуін қарастырайық. 6.20-суретте К155ТВ1 типті JK-триггер көрсетілген. 6.20-суретте көрсетілгендей, барлық құрылғылар Т1 негізгі және Т2 көмекші триггерлерден тұрады. Ақпарат С кірісіне синхронизацияның оң импульсі келгенде негізгі триггерде жазылады. Ал көмекші триггерде алдыңғы тактте жазылған ақпарат сақталады.
6.20-сурет. ЗИ кірісіндегі логикасы бар К155ТВ1 типті JK-триггер: а- принципиалды электрлік схемасы; б- функцианалды электрлік схема; в- структуралы логикалық ИМС.
Екісатылы триггер үш жұмыс режимінде бола алады. Бірінші жұмыс режимінде J және K ақпараттық кірісіне «1» мәніне сәйкес келетін сигнал түседі, С кірісіне синхронизация импульсы түседі. Сонымен қатар, JK-триггер екі бөлу режиміне жұмыс істейді (сонымен соналған режимде ). Бұл режим тізбектелген санағышты және кез келген күрделі жиілік бөлгішті құрады. Екінші режимде J және K ақпараттық кірісіне парафазды логикалық сигнал түседі. Сонымен бірге, J және K кірісті ақпарратың синхронды жазылуы режимінде жұмыс істейді.
Аппаратуралық байланыста ақпаратты жіберу үшін аналогты және сандық жүйе қолданылады. Сондықтан сандық ақпаратты аналогты ақпаратқа немесе керсінше түрлендіру қажет болды.
Аналалогты және сандық ақпаратты түрлендіру екі топқа бөлінеді: Аналогты-сандық түрлендіргіш (АЦП) , ол кірістегі аналогты шаманы сәйкес сандық эквивалентке немесе кодка түрлендіреді, және сандық-аналогты түрлендіргіш (ЦАП), ол түрлендіргіштің кірісіне берілген сандық кодка сәйкес шығыс аналогты шаманы жасауға арналған.
ЦАП және АЦП сандық және аналогты түйіннен тұрады. Сандық түйіндер (санағыштар, регисторлар, дешифраторлар, сумматорлар) түрлендірудің алгоритіміне сәйкес түрлендіру процессін басқаруды іске асырады. Аналогты түйіндер жоғары жиілікті эталонды кернеуді генерациялайды, аналогты деңгейді коммутирлейді, міндеттелген масштабта оларды күшейтеді және түрлендіреді.
АЦП және ЦАП информацияны өңдеу кезінде жылдамдықты және нақтылықты шектейді. Бұл деңгейді интегралды микросхема толықтай қанағаттандырады. Қазіргі заманда микроэлектрониканың жетістігі үлкен интегралды схема ретінде ЦАП пен АЦП қолдануға мүмкіндік береді.