1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі

Интегралды микросхемаларды дайындауда жылдық құрылғылардың шығуында аз ғана пайызында жоғары үнемділік анық. Сондықтан интегралды микросхемалар топты технология әдісімен дайындалатын, салмақтық өндіріс кезінде, дискретті компоненттерден жиналған эквивалентті схемалардан арзанырақ болып келеді.

Пленкалы интегралды микросхемаларда барлық элементтер және олардың арасындағы жалғасу әр түрлі материалдардан пленкалар түрінде қалыптасады. Пленкалы интегралды микросхемалардың екі түрін ажыратады: жұқапленкалы және қалыңпленкалы.

Микросхеманың жұқа пленкалары әдетте вакуумда тұндыру әдісімен, ал қалыңды -сеткографии әдісімен (трафереты арқылы арнайы пасталарды жағу)дайындайды. Қалың пленкалы микросхемалар жұқа пленкалардан аз қиындығымен және оларды дайындау үшін жабдықтау құны, сонымен бірге салмақтық өндіріс кезінде аз шығынмен артықшылығы бар.

Әр түрлі интегралды микросхемалардың сыртқы жалпы түрі 1.6 суретте көрсетілген.

§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.

Интегралды схемаларды бірінші өңдеу 1958 - 1960 жж. қатысты. Отандық (отечественные) интегралды микросхемалар 1960 - 1961 жж. пайдаболады. 1961- 1963 жж. америкалықфирмаларқарапайымжартылайөткізгіштімикросхемалардышығарабастады. Солуақыттардапленкалыинтегралдымикросхемаларөңделе (разработаны)бастады. Бірақэлектрлісипаттамасыбойыншатұрақтыпленкалыактивтіэлементтердіөңдеудегібіразсәтсіздіктергибридтіинтегралдымикросхемалардыартықшылықтыөңдеугеалыпкелді.

Микроэлектрониканыңнегізгіқағидаты - топтық әдіс және планарлы технология - интегралдымикросхемалардыңпайдаболуынадейінатақтыболды. Бұләдістер 50 - ші жылдардың соңында дискретті транзисторлы техникасына негізделді. Интегралды микросхемалардың пайда болуы үшін қажетті материалдардың алғы шарттары болды.

Транзисторларды дайындау кезінде олардың технологиялық бірігуі бар болды, шарттасылған топтық әдіспен дайындау. Топтық әдіс жартылай өткізгішті материалдан (кремний немесе германийден) жасалған пластинада 25 - 40 мм диаметрлі және пластинаның бет жағында орналасқан (1.7 сурет, а), біруақытта көп санды транзисторларды құрудан тұрады. Кейін пластинаны тігінен және көлденеңінен, құрамында бір транзисторы бар (1.7 сурет, в), жүздеген бөлек кристаллдарға кеседі, және осындай түрде олар аппаратураны жасаушы ретінде қолданылады.

1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:

а - транзисторлары бар кремнилі немесе германилі пластина; б - транзисторлары бар жекекристаллдар;

в - дайын транзистор (кристалл в корпусе с выводами)

Егер бастапқы пластинада топтық әдіспен жеке транзисторлардың орнына функционалды түйіннің (транзисторлар, диодтар, резисторлар және т.б.) комплексті элементтерден дайындаса, онда кескеннен кейін интегралды схемалардың жеке кристаллдары алынады. 1.8, а суретте, интегралды микросхеманы дайындаудың схемалық топтық әдісі көрсетілген. Бұл жағдайда интегралды микросхема екі транзисторды (Т), бір диод (Д) және бір резисторды (R) қамтиды. Микросхеманың элемменттері схемада берілген қысқа жұқа металлдық кесінділер (полосками) бойынша бір бірімен жалғасады (1.8, б сурет). Жеке кристаллдарға кескеннен кейін оларды арнайы корпустарға орналастырады (1.8, всурет). Аппаратураны жасаушы (разработчик) дайын функционалды түйінді жалғыз электронды құрылғының құрылымдық түрінде алады. Қаралған амалмен жартылай өткізгішті интегралды микросхемаларды алады. Жартылай өткізгіштің бетінде және көлемде орындалған, барлық элементтер және межэлементті жалғанулар , жартылай өткізгішті интегралды микросхеманы ИМС деп атайды. Кейде жартылай өткізгішті интегралды микросхеманы қатты деп дұрыс атамайды. Бұл термин техникалық документацияға жіберілмейді.