
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
5.3 Үис қарапайым базасы
ҮИС бірінші кезеңдерінде базалық элементтер ретінде ЖӘНЕ, НЕМЕСЕ,ЖӘНЕ-ЕМЕС,НЕМЕСЕ-ЕМЕС т.б. логикалық функцияларды орындайтын схемаларды қолданады.
Құрұлымды топологиялық қатыста бұндай элементтер функционалдық схемаға біріккен және жеке изоляцияланған бөліктерде орналасқан шалаөткізгішті кристалында құрылған активті және пассивті элементтер болып табылады. Негізгі логикалық функцияларды орындайтын типті элементтер алтыншы бөлімде қарастырылған. Бұндай элементтерде схематехникалық және құрылымды топологиялық шешімдер өзара нашар байланысқан.
ҮИС жасаудың негізінде бұл контактілер саны көп болуына, металлизация бейнесінің күрделі болуына, алатын көлемінің аз болуына алып келеді. Бұл кемшіліктер интеграция деңгейінің артуын ұстап тұрады.
Технология деңгейінің өсуі базалық элемент жасаудағы схематехникалық және құрылымды топологиялық шешімдерді үйлестіруге мүмкіндік береді. Бұл функционалды интеграцияланған элементтерді ойлап табуға алып келді. Онда функционалады тәуелсіз элементтер бір құрылымдық бөлікте біріккен. ҮИС құрғанда функционалды интеграцияланған элементтерді қолданған әр жеке элементтің және ҮИС алатын көлемінің азаюынан интеграция деңгейі өсуіне әсер етеді.
Функционалды интеграцияланған элементтерді жасауда логикалық схемалар мен ақпарат сақтайтын схемалар үшін биполяр транзисторлы құрылым көп сұранысқа ие
Функционалды интеграцияланған элементтерге екі қасиет тән:
Элемент интеграциясына неізделген фунцияналды интеграцияның болуы;
Элементке энергияның өтуі үшін қорек тізбегінің орналасуы.
Интеграция әдісіне байланысты функцияналды интеграцияланған элементтерді үш топқа бөлуге болады:
Пассивті элементтердің транзистор облысымен базалық немесе коллекторлық бірігуі;
Вертикалды құрамды активті элементтердің(диот және транзистор)әр түрлі жұмыс облысының бірігуі;
Әр түрлі транзисторлар облыстарының бірігуі, мысалы вертикал немесе горизонтал құрамды n-p-n немесе p-n-p типті.
Функционалды интеграцияланған элементтерде қорек тізбегінің жақсаруы дәстүрлі резесивті қорек тізбегінің жаңасына ауысуына алып келді. Диоды бар қорек тізбегі, транзисторлы қорек тізбегі және инжекциялы қорек тізбегі кеңінен таралды. Инжекциялы қорек тізбегі бар функционалды интеграцияланған элементтер ҮИС құруда ыңғайлы.
5.1-кесте. Әртүрлі элементтен жасалған бір логикалық ұяшық үшін салыстырмалы мәліметтері.
5.1 кестеде биполяр транзисторларда, МДШ транзисторларда және инжекциялық қорегі бар транзисторларда құрылған логикалық схемалардың құрылымдық қасиеттері бойынша салыстырмалы мәндері келтірілген. Сараптамада инжекциялы қоректі логикалық және сақтау ұяшықтар кристалда МДШ транзисторлардағыдай көлемді алатынын көрсетеді, яғни онда қарапайым биполяр схемаларға қарағанда бір-екі ретке кіші. Көлемінің аз ғана болуы тек элементтер санының азаюы мен жоғары омды резисторларды жоюмен ғана емес, сонымен қоса изоляциялау облысы ның көп бөлігінің жойылуымен сәйкес келеді.
Жеке резисторлар ұяшықтары бір бірінен изоляцияланбайды, оған бірнеше ұяшығы бар үлкен функционалды түйіндердің изоляциясы керек. Мысалы оперативті сақтау құрылғысында бір сөздің барлық разрядтары. Ұяшықтар көлемінің кішіреюі сандық ҮИС шығысындағы процентінің көбеюіне әкелуі керек.
МДШ транзисторлардағы функционолды интеграцияланған элементтерді алатын болсақ, олардың орындалуы үшін әртүрлі МДШ құрылым схемалары және Шотки барьерлері, инжекциялық өрістік логика схемаларын құруы мүмкін.
ҮИС топологиясын жобалауда базалық ҮИС ретінде функционалды интеграцияланған элементтерді қолданатынын ескеру керек.
Базалық элементті электрлік, құрылымдық топологиялық, техникалық және логикалық сипаттамаларына сәйкес бағаны логикалық моделирование әдісі арқылы береді. Ол ЭВМ көмегімен жүзеге асады. Ол үшін базалық элементтер жөніндегі ақпаратты ЭВМ жадының кітапханасына кірізеді, ал ҮИС сипаттау үшін олардың нақты сипаттамалары беріледі, яғни пайдаланылатын қуаты, жылдам қозғалғыштығы, актив және пассив элементтерінің саны, логикалық байланыстар саны, қажетті изоляцияланған облыстар саны т.б.
Моделяциялау программалары ҮИС сипаттамаларын кез келген базалық элементтерді қолдануын бағалауға және сипаттамалардың реттік мәндерін салыстыру арқылы базалық элементтер қолайлы типін таңдауға мүмкіндік береді.