
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
ҮИС әртүрлі қасиеттері бойынша жіктеледі: өңделетін сигнал түріне, құрылымдық технологиялық орындалуына, қолдану аймағына байланысты және т.б.
Қазіргі таңда қолданатын ҮИС схемотехникалық бағыты және құрылымдық технологиялық әдістерге сәйкес келетін жалпы классификациясы 5.1-суретте көрсетілген.
5.1-cурет.Схемотехникалық және құрылымды технологиылық әдіс бойынша дайындалған
ҮИС классификациясы.
Өңделіп жатқан ақпарат түріне байланысты ҮИС сандық және аналогты болып бөлінеді. Сандық ҮИС дискретті ақпараттарды өңдейтін қондырғыларға арналған. Оларға шалаөткізгішті сақтау қондырғылары, көп разрядты регистрлар, санағыштар, сумматорлар мен басқа да сандық блоктар жатады. Аналогты ҮИС мысалы ретінде кернеу түрленгіштері код және код кернеулері, байланыс қондырғыларының блогы (жоғары және аралық жиілік тракты, сигнал өңдеушілер, радиоқондырғылардың көпкаскадты схемалары және т.б.) айтуға болады.
Құрылымдық технологиялық қасиеті бойынша ҮИС шалаөткізгішті және гибридті болып бөлінеді. Бұл ҮИС әрқайсысының бөлек кристалдарының санына, қолданатын активті элементтердің түріне, кристалдардың байланыстары мен монтажын орындау әдісіне байланысты көптеген түрлерге бөлуге болады.
Осылайша, гибридті ИМС құру үшін көп қабатты қалың немесе жұқа пленкалы разводканы немесе олардың орта деңгейлі интеграциялы және пассивті пленкалы элементтермен сәйкес келетін комбинацияларын қолданады.
Дискретті компонент және корпуссыз ИМС монтажы үшін дөңгелек немесе арқалықты (балочный) шығыстарды қолданады. Сонымен қатар қабаттарға разводканы және оның үлгісін жасауды машиналық жобалау әдісі жүзеге асырады.
Шалаөткізгішті ҮИС жасауда биполяр транзисторлы құрылымды немесе МДШ транзистор матрицасы ретіндегі базалық кристалдар қолданылуы мүмкін. Осындай ҮИСда фотошаблондарды да машиналық әдіспен жобалап дайындайды.
Қолдану деңгейіне байланысты ҮИС ортақ немесе жеке қолданысқа арналған болып бөлінеді. Ортақ қолданыстағы сандық ҮИС мысалына әртүрлі шалаөткізгішті сақтау құрылғылары, регистрлері, дешифраторлар, жеке қолданыстағы жүйелерді жатқызамыз. Ортақ қолданыстағы аналогты ҮИС – бұл кернеулердің кодқа, жоғары деңгейлі прецизионды операциялық күшейткіштерге, жоғары сапалы дыбыс жаңғырту күшейткіштеріне, АЖЖ (СВЧ) фазалық антенналық торлар мен басқа да жүйе модульдеріне өзара түрлену жүйесі. Жеке қолданыстағы аналогты ҮИСға радиоқабылдағыш және радиотаратқыш қондырғылардағы белгіленген жиіліктегі күшейткіш тракттары, берілген генератор немесе сыртқы тактілік жиілікте анықталатын рет бойынша алынған жиілікті құрушылар және т.б. жатады.
Әртүрлі қолдану аймағына байланысты ҮИС сипаттайтын арнайы терминдер бар. Олардың негізгілеріне анықтама беріп кетейік.
Сәйкестендірілген (унифицированный) ҮИС - бұл ақпаратты өңдеудің әртүрлі жолдарын құра алатын ҮИС.
Тапсырысты (заказная) ҮИС - бұл тек бір өнімнен құрылатын немесе ақпарат өңдеудің тар бөлімі қолданатын ҮИС.
Жинақтама (комплект) ҮИС - бұл бір немесе бірнеше сериялы құрылымдық-техникалық орындалуға сәйкес және электронды қондырғының құрылысында бірігіп қолдануға арналған ҮИС типтерінің жинағы. ҮИС жинақтамасы базалы, унификацияланған, тапсырысты және бүтін құрамды бола алады. архитектуралы-үйлесімді қондырғыларды өңдейтін ақпараттарды алуға мүмкіндік беретін ҮИС жинақтамалары - ҮИС жинақтамалар жанұясын құрайды.
ҮИС көбінесе программалық бақылауы бар және шалаөткізгішті және гибридті ҮИСда қолданатын секундына бірнеше миллион операция өндіруші есептеуіш жүйелерде кеңінен қолданылады.
Қазіргі таңда ҮИС төртінші ұрпақтың ЭВМ элементті базасы болып табылады, яғни интеграцияның үлкен деңгейін анықтайтын жоғары функцияналдық қиындықты схемалар.
Мұндай ҮИСға біріншіден микропроцессорлы схемаларды, оперативті, тұрақты және жартылай тұрақты жадылар схемасы, басқару, түрлендіру, нақты объектілермен тоғысу т.б. функцияларын орындайтын схемалар жатады.
Микропроцессорлы ҮИС пайда болуының алғышарты микроэлектрониканың технологиялық әдісі арқылы көп элементтері бар ИМС ала алатындығында болып отыр. Ол үлкен ақпаратты сыйымдылықты ҮИС жадысын және микрокалькуляторлардың ҮИСын алуға мүмкіндік береді. Біріншілердің жоғары қарапайым қанықтығы (насыщенность) мен екіншілердің функционалды қиындығы кристалдағы ИМС есептеуіш қондырғыларын жасай алады. Бұл амал тек есептеуіш құрылғылардың кішкене габариттері ғана емес, сонымен қоса аса алып машиналар және көп процессорлы жүйелер құруды қамтамасыз етеді.
Төртінші ұрпақтың ЭВМдағы ҮИС үлесі - барлық элементті базаның 30-70% алады, бірақ корпус саны бойынша жад схемасы (70-95%) иемденеді. Егер төртінші ұрпақ ЭВМ электрлік схемасын ЖӘНЕ, НЕМЕСЕ, ЕМЕС элементтерінде берсек, онда ҮИС үлесіне барлық элементтің 90-98% келеді.
ЭВМ қондырғысының функциялары дайындалатын ҮИС пайда болуы ИМС жұмысын ұйымдастыруын түбегейлі өзгертуді талап етеді.
ЭВМ қондырғыларын қамтитын микропроцессорлы ҮИС ЭВМ және оның математикалық қамтамасыздандыру өнімін дайындаушысының қатысуын одан да артық қажет етеді.
Көптеген шығарылушы ҮИС қазіргі таңда жақсы өңделген және қолайлы жылдам қозғалғыштық сипаттамалары бар жоғары деңгейлі интеграциялы ИМС ала алатын n-МДШ-технология арқылы дайындалады. n-МДШ-технология бойынша фиксерленген разрядты (бір кристалды микропроцессор) ҮИС микропроцессоры шығарылды. Оны ЭВМ процессорының ядросы ретінде қолдануға болады.
Биполярлы технология (ИЛ,ТТЛ,ЭСЛ) арқылы микропроцессорлы секциялар шығарады. Оны қолданғанда өңделетін сандар разряды бар секцияның қысқа разрядты ЭВМ процессорын құруға болады. Бұл микропроцессорлық ҮИС разряд бойынша өсім ( разрядтылығы 2n,4n,8n…,n=1,2,3…) деп аталады. Мұндай микропроцессорларды 4,8,16,32 немесе одан да көп сандарды өңдейтін разрядтығы бар ЭВМ құруға болады.
Микропроцессорлық ИМС тарихи дамуы он жылдан аспайды деп саналады. Бірақ осы салыстырмалы түрде аз уақытта микропроцессордың төрт ұрпағы пайда болды. Олар бір бірімен тактика техникалық сипаттамалары бойынша ерекшеленеді:
Бірінші ұрпақ – p-МДШ – технология бойынша дайындалатын баяу қозғалатын төрт разрядты ҮИС;
Екінші ұрпақ – n-МДШ және КМДШ– технология бойынша орташа қозғалатын 4 және 8 разрядты ҮИС;
Үшінші ұрпақ - тез қозғалмалы биполярлы секцияланатын МП ҮИС;
Төртінші ұрпақ - бір кристалды микропроцессор, процессорлы секциялар мен микро ЭВМ.
МП ҮИС номенклатурасы дайындалудың жүйелі амалымен аныталады. Сонымен қатар МП ҮИС жобалаудың кезеңіндегі бір циклнда есептеуіш машиналардың архитектурасы толық жасалуы керек.
ҮИС құрудағы жүйелі амалы тармамандандырудың пайда болуы шығармайды, бірақ ҮИС жоғары тиражды болу керек. Отандық өндірушілік жүйелік амалды базасында әр түрлі технология бойнша микропроцессорлық ҮИС шығарылымы жатыр.
K536 және K581 сериялы микропроцессорлар ҮИС жинақтамасының тармамандырылған деп аталатын болады: олар ауқымды қолданыстағы ЭВМ микропроцессорларының нақты моделдерін құруға арналған. K580 және K584 сериялы микропроцессорлар дайындалушы қосымша схемаларымен қоса кең ауқымды есептеуіш өнімдерді(контроллер, микро ЭВМ және т.б.) құруға арналған. K589 сериялы жинақтама шексіз разрядты жылдам есептегіш өнімдерді құруға қолданады. K587 және K588 сериялы жинақтамалар пайдаланатын қуаты аз болатын есептеуіш өнімдерді құруға арналған. Сонымен қатар олар жоғары бөгеуге қарсылығымен және көптеген жағдайда жылдам қозғалғыштықты қолдануда қолайлы сипаттайды.