
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
Гибридті ИМС құрудың негізі болып функционалдытүйінді құрылым әдісі және топтық әзірлеу әдісі табылады. Бұл гибридті ИМС функционалды аяқталған түйін ретінде орындалатынын білдіреді. Гибридті ИМС құрылымы тек олардың әртүрлі қондырғыларда жұмыс істеуін қамтамасыз етіп қоймай, сонымен қатар олардың элементтерінің жеке параметрлерін ИМСны дайындаудың әртүрлі кезеңдерінде бақылайды.
Кең ауқымды гибридті ИМС жобалауда микросхеманың жеке түрін емес, ИМС бөлімінің толық құрамын қолданады. Оны радиоэлектронды қондырғының логикалық құрылымы және дайындаудың технологиялық процесі анықтайды. Радиоэлектронды қондырғының логикалық құрылымы дайындылушы ИМС типінің санын анықтайды.
Жеке қолдануға арналған гибридті ИМС жобалауда әр жағдайда берілген электрлік схемаға сәйкес микросхеманың жеке түрі қарастырылады.
Гибридті ИМС бөлімдерінің функционалдық құрамын дайын ИМС бөлімдерін, оларды дайындаудың технологиялық мүмкіндіктерін және дайындалатын бөлімдерді қолданушылар аясының көбеюіне арналған унификациясын ескере отырып анықтайды.
Жобалаудың техникалық тапсырмалары дайындалатын ИМС сипаттамалары туралы негізгі мәліметтерден тұрады. Типтік техникалық тапсырма келесі мәліметтерден тұрады:
cпенификациясы бар электрлік схема;
әсерлі сигналдың белгілері жиілік, амплитуда, ұзақтығы т.б.;
дайындаушы ИМСның электрлік сипаттамалары;
қорек кернеуі;
эксплуатация шарттары.
Кейде техникалық тапсырмаларда дайындаушы ИМСға арналған корпустың типі және өлшемі туралы көрсеткіштері болады. Кең ауқымды гибридті ИМСға арналған техникалық тапсырмаларды техникалық шарттарды ескере отырып құрастырады.
Техникалық тапсырмалардың көрсеткіштері технологиялық процеске шарттарды құруға және гибридті ИМС дайындауға сәйкес келетін типті таңдауға мүмкіндік береді. Егер технологиялық тапсырмалар дайындалатын гибридті ИМС құрылмаса, онда гибридті ИМС пассивті бөлігін құру әдісін таңдайды.
Гибридті ИМС жобалау таспалы элементтерін санау және құрастыру, сонымен қатар микросхеманың топологиялық құрамдарын және құрылысын қамтамасыз етеді. Ал бұл негізгі сұрақтарға шешім бере алады. Ол сұрақтар: жүйеге немесе қондырғыға арналған жалпы шарттар, микросхеманың сипаттамаларына арналған техникалық тапсырмалар, таспалы элементтердің қасиеттері, таспалардың арнайы қасиеттері және гибридті ИМС пассивті бөлігін жасау әдісі.
Гибридті ИМС жобалаудың реті төмендегідей орындалады:
1) таспалы технологияның ерекшеліктері мен мүмкіндіктерін ескере отырып техникалық тапсырмалардың сараптамасын алу;
2) эксплуатация шарттары бойынша гибридті ИМС құрылымының типін және корпустың типін таңдайды;
3) таспалы пассивті элементтерді орналастыру технологиясын анықтайды және ИМС құрудың әдісін таңдайды;
4) төсеменің көлемін, пішінін, өлшемін және материалын анықтайды;
5) таспалы элементке есептеу жүргізе отырып, элементтің пішінін және геометриясын анықтайды, схеманың топологиясын (эскизді түпнұсқасын) дайындайды;
6) сыйымдылықты және индуктивті байланысқа бағалау жүргізеді;
7) жылулық есептеу жүргізеді;
8) жобалаудың сенімділігіне есептеу жүргізеді;
9) ИМС топологиясының түпнұсқасын дайындайды;
10) гибридті ИМС морфологиясын дайындайды;
11) гибридті ИМС құрылымын дайындайды;
12) техникалық құжаттаманың шығарылуын бекітеді.
Электрлік схема бойынша таспалы элементтердің тізімі алынады. Бұл тізімде элементтердің параметрлерінің номиналдық шамасы туралы мәлімет беріледі.
Жобалаудың негізгі мақсаты - гибридті ИМС топологиясы мен морфологиясын жасау болып табылады. Оның негізінде фотошаблондардың сызбасын дайындау және құрылымды жүзеге асыру жатыр. Топологияны жасау гибридті ИМС жобалаудың негізгі кезеңдерінің бірі болып саналады. Онда таспалы элементтерді құру мәселесі шешіледі.
Топологияны жасауда ИМС таспалы элементтердің орналасу схемасын жобалайды, олардың геометриядық өлшемдерін алады, пішінін таңдайды, таспалы элементтерді және компоненттерді құрастырады.
Морфологияны жасауда интеграция деңгейін анықтайды, таспалы қабат санын, олардың конфигурациясын, геометриясын және құрудың ретін дайындайды. Негізінен, әр қабатта бір материялды таспа төсейтін топологиялық құрылым болады.
Гибридті ИМС жобалауда функционалды қиындығы жағынан мейлінше қолайлы болуын ескеру керек. Функционалды қиындықты анықтау бір ИМС құрамында болатын ең қолайлы элементтер санын анықтауға сәйкес келеді. Функционалдық қиындықты анықтау нәтижесінде түйіндегі электрлік схема алынады.