
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
Микроэлектроника – электрониканың аймағы, зерттеудің, құрастырудың, дайындаудың және микроэлектронды бұйымды (изделие) қолдананудың мәселесін қамтиды, әрі микроэлектронды бұйыммен жоғары дәрежелі бірігудің (интеграция) электронды құрылғысын түсінеді. Микроэлектроника электронды аппаратураның сенімділігін жоғарылатуға, оның габаритін, салмағын, қолданатын энергиясын және құнын анағұрлым азайтуға мүмкіндік береді. Микроэлектроникада дискретті радиокомпонентті қолданудан бас тартады. Қатты дене физикасының жетістігін пайдаланып, сверхчистый материалдардың металлургиясы және электронды машина жасау сапалы жаңа технологияның негізінде, қатты дененің микрокөлемінде қиын электронды түйіндерді –интегралды микросхемаларды қалыптастырады.
Интегралды микросхема деп белгілі функцияны түрлендіруді және сигналды өңдеуді ( немесе ақпаратты жинауды) орындайтын және электрлі жалғасқан элементтердің (немесе элементтердің және компоненттердің) упаковкасының жоғары тығыздығына және кристаллдарға ие болатын микроэлектронды бұйымды (изделие) айтамыз. Элементтердің упаковкасының тығыздығы (бірігу деңгейі) микросхемада бір кристаллда жүз мың элементтерге жетуі мүмкін.
«Интегралды микросхема» (ИМС) терминімен бірге «микросхема терминін қолданады. Интегралды микросхема элементтерді және компоненттердіұстайды (содержит).
Интегралды микросхеманың элементі деп қандай да бір электрорадиоэлементтің (мысалға, транзистордың, диодтың, резистордың, конденсатордың) функциясын жүзеге асыратынИМС бөлігін айтамыз. Бұл бөлігін ИМС кристаллынан бөлек емес орындайды. Элемент дербес бұйым ретінде ИМС – дан бөлек болуы мүмкін емес, сондықтан оны сынауға, упаковать етуге және пайдалануға болмайды.
Интегралды микросхеманың компонентін де қандай да бір электрорадиоэлементтің функциясын жүзеге асыратынИМС бөлігін атаймыз. Бірақ бұл бөлік монтажтаудан алдын арнайы упаковкада дербес бұйым (жиынтықтаушы бұйым) болып табылады. Компонент негізінде дайындалған ИМС – дан жеке болуы мүмкін.
Микроэлектрониканың негізгі бұйымында қолданатын аппаратураны микроэлектронды деп аталады. Микроэлектронды аппаратураның сенімділігін жоғарылату арнайы технологиямен интегралды микросхемаларды дайындау кезінде қолданумен, таза материалдарды пайдаланумен түсіндіріледі. Сонымен қатар, интелралды микросхеманың ішкі қосылулары бітеу (герметичны) және берік жапқышпен қорғалған, ал олардың аз габариттер берік және компактты түйіндерді және үлкен механикалық жүктемені ұстауға қабілетті,аппаратураның блоктарын құруға мүмкіндік береді. Интегралды микросхемалардың жоғары сенімділігі аз санды қосылулармен шартталған.
Интегралды микросхемаларды қолдану габариттерді және аппаратуранын салмағын бірнеше ретке, ал микропроцессорларды - он және жүз есегеазайтуға мүмкіндік береді. Бұл интегралды микросхемалардың элементтерінің өлшемі микрометрдің бір және ондаған үлесін құрайтынымен түсіндіріледі. Интегралды микросхемалардың аз габариттері және олармен электрлі энергияның аз қолданылуы электронды аппаратураның барлық компоненттерін комплексті микроықшамдауды жүзеге асыруға мүмкіндік береді. Шағын трансформаторлар, қосқыштар, ажыратқыштар, сымдар және кабелдер, индуктивті катушкалар және басқа да радиожабдықтар өңделген және қолданады.
Қазіргі кезеңде микроэлектрониканың дамуында интегралды микросхеманы құрудың екі негізгі әдісін қолданады:
1) жартылай өткізгішті криссталдың (қатты дене) микроаймағында локальді әсер және микроэлементтің функциясына және олардың қосылуларына(жартылай өткізгішті интегралды микросхемалар) сәйкес, оларға құрамын беру әдісі;
2)жұқа пленкалы әртүрлі материалдарды қабатты жағу (послойного нанесение) арқылы олардан микроэлементтердің жалпы негізде біруақытта қалыптастыру және олардың қосылулары (пленкалы интегралды микросхемалар)қатты денеде микросхеманы құру әдісі.
Бұл екі әр түрлі технологиялық әдіс, бақталас емес, бір бірін толықтырушы болып табылады. Олардықиыстыру (комбинировать) схеманы өңдеудің жаңа түріне- микроықшамды дискретті активті элементтер (транзисторлар, диодтар және олардың жиынтықтары) қолданылатын, гибридті интегралды микросхемаға әкелді.Дискретті активті элементтерді қолдану қазіргі уақытта эксплуатационды тұрақты пленкалы транзисторлардың және диодтардың жоқтығымен түсіндіріледі. Мұндай активті элементтерді өңдеу жұқа пленкалы интегралды микросхемаларды құруға мүмкіндік береді.
Микроэлектроника интегралды микросхемалардан басқа функционалды электроника облысын қамтиды.Функционалдықұрылғылардыжасаукезінде, механикалық, жылулық, сәулеленумен, магниттіэффектіменбайланысқан, соныменқатарсұйықденедегіқұбылыспен, электрохимиялықпроцесстерменбайланысқан, микросхемаларды, түйіндердіжәнеэлектрондыаппаратураныңблоктарынқаттыденедегіқұбылыстықолданады. Соныменбіргесәйкескелетінматериалғаберілгенфункцияныорындауүшінқажеттіқасиетін (свойства) береді, ал аралықтағыкезеңқалағанфункцияныэквиваленттіэлектрондысхемалартүріндетүсіреді. Функционалдықұрылғылар, блоктар, микросхемаларжәнеэлементтержартылайөткізгіштердіңнегізіндеғанаемес, соныменбірге аса өткізгіштермен (сверхпроводников), сегнетоэлектроникалармен, фото өткізгішқасиеті бар материалдарменжәнет.б. дайындауғаболады.
Интегралдыэлектрониканың тез дамуы 50 – ші жылдардың соңында және 60 – шы жылдардың басында жеткенжартылайөткізгіштіжәнепленкалытехнологияныңжетістіктеріментүсіндіріледі. Мезатранзистордыңорнынакремниліпланарлы транзистор келді, ал кәдімгідискреттікомпоненттер, біруақыттабірмонолиттікремниліпластинададайындалатын, диффузиондынемесежұқапленкалыэлементтермен, , ауыстырылды.
Соңғысы тек қана радиожабдықтардың және электронды компоненттердің өнеркәсіп өндірісне ғана үлкен ықпал еткен жоқ, сонымен бірге схемотехникада жаңа әдістің пайда болуын қамтамасыз етті. Схеманың әр түрлі компоненттерінің арасындағы кәдімгі өткізгішті қосылу аралық қосылу (межсоединений) жүйесімен ауыстырылды.
Жартылай өткізгішті интегралды микросхема әдетте кристалл кремнийді, жоғарғы қабаттағы жартылай өткізгішті технология әдісінің көмегімен электрлі схеманың эквивалентті элементтері және олардың арасындағы жалғау аймағы құрылған, көрсетеді (представляет собой). Себебі кремний шала өткізгіш болып табылады, элементтерді бір бірінен ажырату үшін арнайы шаралар қолданылады.
Шалаөткізгішті интегралды микросхемаларды дайындау кезінде технологиялық процесстер топты сипатқа ие болады, яғни біруақытта көп санды микросхемалар дайындалады. Мысалы, кремнилі монокристаллды пластинада 76 мм диаметрмен 5000 электронды схемаға дейін орналастырылады, әр қайсысында 10- нан 20000 - ға дейін электронды құрылғылары бар.Көп технологиялық операциялар 1 млн.- нан электронды құрылғыларды дайындауға және 10 - 200 пластинаны өңдеуге мүмкіндік береді.