
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
Бүрмелердің кезеңі ИМС дайындауда жалпы технологиялық процесстің бөлігі болып табылады және өзіне келесі аяқтаушы операцияларды қосады:
микросхемалары бар кристаллда пластиналарды бөлу;
корпусқа кристаллдарды құру;
сыртқы түйін құрау (кристаллға қатысы бойынша);
герметизация;
таңбалау (маркировка).
ИМС шалаөткізгішінің бүрмесін пластиналарды жөндеуден соң өндіреді, нәтижесінде мұндай технологиялық процесспен металлдандыруы бар микросхемалардың структурасы жасалады. Бүрмелеуден бұрын функцияланған микросхемаларды бақылайды- тестілік программа бойынша жұмысқа қабілеттілігін тексереді және пластинаның жарамсыз бөліктерін анықтайды.
Кристаллдарға пластиналарды бөлуді бірнеше әдістермен орындайды, олардың ішінен негізгілері:
қыздыру (раскаливание) және скрайбирлеу (скрайбирование);
химиялық жолмен өңдеу арқылы қию;
ультрадыбыспен қию.
Ең көп тараған ИМС шалаөткізгішін жасауда скрайбирлеу (скрайбирование) әдісін алды. Сонымен қатар, вакуумды патронда пластинаға кедергі келтіреді, көлденең жазықта бағдарлайды және алмазды кескіш сәйкес келген қысыммен екі өзара перпендикуляр бағытта оның бетіне қауіптер қаптайды. Сонан соң, пластинаны патроннан бөліп, скрайбирлеу линиясымен кристаллдарға шағады.
Ажыратудан кейін жарамайтын ИМС - ны жарамсыздан қатарынан шығарады, ал қалған кристаллдар кремнийлі тозаңнан және басқа бөтен бөлшектерден тазалайды. Құрамында бір немесе бірнеше микросхемалары бар тазаланған кристаллдарды корпусқа орнататын, түйіндерді жалғайтын, герметиздейтін және таңбалайтын бүрме шекарасына орналасады. ИМС корпусында жеткілікті механикалық беріктілік, кішігірім мөлшер, жақсы герметикалық және схеманың жоғары электрлік сипаттамамен қамтамасыз ету болуға тиіс. Шалаөткізгішті ИМС үшін негізінен корпустардың келесі типтері (3.28-сурет):
корпустың иілген перпендикулярлы монтажды жалпақтығы бар және екі бөлігінде орналасқан түйіндері бар тікбұрышты формалы корпустар (тип ІІ), (3.28 - сурет, а);
корпустың перпендикулярлы монтажды жалпақтығы дөңгелене орналасқан цилиндрдің бір жалпақ бөлігінде орналасқан түйіндері бар дөңгелек цилиндр формалы корпустар (тип ІІІ), (3.28 - сурет, б);
корпустың
параллельді монтажды жалпақтығында
орналасқан түйіндері бар тікбұрышты
формалы корпустар (тип ІV), (3.28 - сурет,
в). Корпустың конструктивті мәлімдемесі
және корпустың шамалары ГОСТ 17467 - 79 - та
орналасқан.
3.28 - сурет. Шалаөткізгішті ИМС - ге арналған корпустар
Корпустар негізіндегі кристаллдар монтажы дәнекерлеу берік дәнекер немесе тез корпус типіне байланысты балқитын шыны және корпусы бар электрлі кристалл контакт керектігі арқылы жүзеге асады. Металлды корпустағы монтаж кезінде алтынның эвтетикалы қорытпасы - германий немесе балқыту температурасы 356 және 3700 С - ге лайық алтын - кремний секілді өз алдына ұсынылатын берік дәнекер қолданылады. Кристаллдарды корпустың негізінен оқшаулаудың қажеттілігі жоқ, себебі, шалаөткізгішті ИМС пластинасында үнемі ең төмен потенциал болады.
Кристаллдар бірпозициялы дәнекерлеу машинасында немесе инвертті газ атмосферасындағы конвейерлік пеште құрастырылады (3.29 - сурет, а). Шынылықта немесе металлды пластиналар болмайтын пластмассалық корпустарда кристалл 5250 С - ге дейінгі температура кезіндегі инертті газ атмосферада жеңілбалқымалы шынымен бекітіледі (3.29 - сурет, б).
Корпуста кристаллды монтаждаудан соң корпус түйіні бар контактілі аудандарды біріктіруді орындайды. Мұндай біріктірулер сымды түйіннің әртүрлі әдістердің көмегімен жүзеге асады: дәнекерлеу, термокомпрессия немесе ультрадыбысты балқытып біріктіру.
Шалаөткізгішті кристалл 3000 С - ге дейін қыздыратын, ал алтын сымның диаметрі 20 - 25 мкм ең көп таратылған термокомпрессия әдісі бірнеше секунд кезіндегі қысым астында контактілі аумаққа қосады. Алтын сымнан басқа алюминий түрі де қолданылады.
3.30 - суретте схематикалық түрде корпус түйіні мен контакті аймағының арасындағы байланыс орындалғаннан кейінгі шалаөткізгішті ИМС - ның көлденең кесуі көрсетілген. Корпустағы ИМС - ның кристаллдарының герметизациясы үшін келесі әдістер қолданылады:
корпус қақпағының іргетасымен контактілі балқыту (ІІІ типті корпустар үшін);
корпус іргетасына қақпақты дәнекерлеу (ІV типті корпустар үшін);
формаға құю (формовка заливкой) немесе трансферлік тығыздау (ІІ типті корпустар үшін).
а) б)
3.29 - сурет. Металлды негізде (а) және пластмассалы корпустағы (б) кристаллдарды монтаждау: 1 - металлды корпусты негіздеу; 2, 6 - алтын қабаты; 3 - эвтектикалық қорытпа Au - Si; 4 - кристалл; 5 - вакуумды патрон; 7 - корпус түйіні; 8 - пластмассалы корпустың негізі; 9 - шыны.
3.30 - сурет. Шалаөткізгішті ИМС - ның көлденең қимасы:
1 - корпус негізі; 2 - ковар; 3 - Au - Si қорытпасы; 4 - алтын қабаты; 5 - Au - Si қорытпасы; 6 - кристалл; 7 - кремний тотығы; 8 - алюминий; 9 - алтынды сым; 10 - термокомпрессионды байланыс; 11 - корпус түйіні.
Егер шалаөткізгішті ИМС - ны БИС және гибридті ИМС - ның компоненті ретінде қолданады және корпуссыз қорғанысқа қолданады. ИМС герметизациясынан кейін таңбалайды: корпус қақпағында микросхеманың типі, дайыдалған мерзімі және дайындаушы зауыт шифры көрсетіледі.
Жалпы бүрме процессі кезінде әр операциядан соң микросхемалардың жұмысқа қабілеттілігі тексеріледі, бүрме аяқталған соң сынайды.