
- •Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
- •§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
- •1.1 Сурет. «Элемент-2» типті жазық модулдің құрылысы.
- •1.2 Сурет фэ типінің жазық модулі:а – монтажды плата; б – сыртқы түрі;
- •1.3 Сурет. Этажеркалы микромодуль:
- •1.4 Сурет. Микроэлементтер:
- •1.5 Сурет. Қалқаланған этажеркалы микромодульдің жалпы түрі
- •§ 1.2. Микроэлектрониканың жалпы сипаттамасы.
- •1.6 Сурет. Интегралды микросхемалардың сыртқы түрі
- •§ 1.3. Микроэлектрониканың дамуының тарихы.
- •1.7 Сурет. Транзисторларды дайындаудың топтық әдісі:
- •1.8 Сурет. Интегралды микросхемаларды дайындаудың топтық әдісі:
- •§1.4 Интегралды микросхемалардың классификациясы және микроэлектрониканың өнімі (изделие)
- •1.9 Сурет. Микроэлемктрониканың негізгі өнімдері (изделия)
- •§ 1.5. Интегралды микросхемалардың белгілеуінің жүйесі.
- •§ 2.1 Интегралдымикроэлектроникадақолданылатынқұбылыстар (явление), процесстержәнеәдістер.
- •2.1 Сурет Интегралды микроэлектроникада қолданылатын физикалық құбылыстар, процесстер және әдістер.
- •§ 2.2. Имс жұмыс істеуін анықтайтын, құбылыстардың және процесстердің жалпы сипаттамасы.
- •2.2 Сурет. Тасушы зарядтардың қозғалғыштығының қоспаның концентрациясына және температураға тәуелділігі.
- •2.3 Сурет. Бірқалыпты p-n-өткелдің облысында таралуы.
- •2.4 Сурет. Тура (а) және кері (б) бағыттарда түсірілген, сыртқы кернеу кезіндегі, p-n-өткелдегі зарядты тасушылардың таралуы және энергетикалық диаграммасы
- •2.5 Сурет. Оңзарядтың бетінде бар болуы (б– г) және бетіне жақын кезде жоқ болуы (а)планарлыp-n-өткелінің құрылымы.
- •§ 2.3. Микроэлектронды құрыллымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •2.6 Сурет. Кремнидің термиялық тотығуын орнату құрылғысы
- •2.7 Сурет. Фотолитографияның процессінің схемасы:
- •2.9 Сурет. Екізоналы диффузионды қондырғының схемасы
- •2.10 Сурет. Бірзоналы диффузионды қондырғының схемасы: 1 – газды беруге арналған магистраль; 2 – сұйық диффузиант үшін қоректендіргіш; 3 – кварцты труба; иг – инертті газ; гн – газ –тасушы
- •2.11 Сурет. Ионды легірлеуге арналған қондырғының схемасы
- •Травление.
- •Глава 3 Шалаөткізгішті интегралды микросхемалар
- •§ 3.1 Типтік конструкциялар және шалаөткізгішті имс құрылымы.
- •§3.2 Биполярлы транзисторлар.
- •Планарлы-эпитаксиальды транзисторлар.
- •Шоттки барьері бар транзисторлар.
- •Көпэмиттерлі транзисторлар.
- •Әр түрлі структурадағы мдп-транзисторлардың параметрлері.
- •§ 3.4 Диодтар
- •Әр түрлі схема бойынша қосылған транзисторлық структура негізіндегі диодтың параметрлері
- •§3.5 Шалаөткізгіш резисторлар.
- •Диффузионды резисторлардың параметрлері. 3.3-таблица
- •§3.6 Шалаөткізгіш конденсаторлар
- •3.7. Биполяр имс дайындау технологиясы
- •Планарлы-эпитаксиалды технология.
- •Қосарлы технология.
- •Изопларлы технология.
- •§ 3.9. Имс шалаөткізгішінің герметизациясы мен бүрмесі
- •§ 3.10. Шалаөткізгішті имс - ны жобалау және өңдеу этаптары
- •4 Тарау
- •§ 4.1. Гибридті имс конструкциясы
- •§ 4.2. Қалыңпленкалы гибридті имс элементтері
- •§ 4.3. Жіңішке пленкаларды алу әдістерді
- •§ 4.4. Гибридті имс - ға арналған подложка
- •§4.5. Пленкалы резисторлар
- •4.15 Сурет. Жұқа пленкалы резисторлардың конструкциялары:
- •4.16 Сурет. Пленканың салыстырмалы кедергісінің оның еніне тәуелділігі: і-тунельді эффекттің облысы, іі-бұзылған беттің облысы, ііі-көлемдік қасиеттерінің облысы
- •§4.6. Пленкалы конденсаторлар
- •4.17 Сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
- •4.18 Сурет. Кремний қышқылы негізіндегі пленкалы конденсатордың диэлектр өткізгіштігінің тәуелділігі:
- •4.19 Сурет. Қалдық газдардың әртүрлі қысымымен тозаңданған кремний моноқышқылы негізіндегі конденсаторлардың вас-ы:
- •§ 4.7. Пленкалы имс – дағы индуктивті элементтер
- •§ 4.8. Пленкалы өткізгіштер және контактілік алаңдар
- •§ 4.9. Қабатаралық изоляция
- •§ 4.10. Гибридті имс – ның пассивті элементтерінің әртүрлі конфигурацияларын алу әдісі
- •§ 4.11. Гибридті имс – ның навесный компоненттері
- •§ 4.12. Гибридті имс – ға арналған корпустар
- •4.13. Гибридті имс құрудың негізгі принциптері және жобалау кезеңдері
- •4.14. Гибридті имс жобалаудың бастапқы деректері
- •4.15. Гибридті имс топологиясын және құрылымын жобалау
- •5 Бөлім. Үлкен интегралды схемалар (үис)
- •5.1. Үис жалпы сипаттамалары және негізгі параметрлері
- •5.2. Үис классификациясы және қолдану аймақтары
- •5.3 Үис қарапайым базасы
- •5.4. Шалаөткізгішті үис құрылымы және жасау технологиясы
- •5.5. Гибридті үис құрылымы және дайындау технологиясы
- •5.6. Үис жобалаудың ерекшеліктері және негізгі кезеңдері
- •6 Бөлім. Байланыс құрылғыларна арналған негізгі микросхемотехникалар мен интегралды микросхемалар
- •6.1. Имс схемотехникалық ерекшеліктері
- •6.2. Биполяр транзистордағы сандық имс негізгі типтері
- •§6.4 Микроқуатты логикалық имс
- •§ 6.6 Сандық имс дамуының тенденциясы
- •§ 6.7 Аналогты (сызықты) имс негізгі типтeрі
- •§6.8. Аппаратуралық байланысқа арналған интегрлды микросхема
- •§6.9 Микропроцессор
- •§ 6.10 Аса жоғары жиілік (свч) диапазонының интегралды микросхемасы
- •Сапа, сенімділік және интегралды схемаларды қолдану
- •§ 7.1. Сапа теориясының негізігі түсінігі
- •§7.2. Сапа бақылау әдісі және имс сенімділік бағасы
- •§7.4 Имс сынағының санаттары мен түрлері
- •§7.6 Сапа көтерілуінің жолдары және имс сенімділігі
- •§7.7 Имс мен үис (бис)нің негізгі қолданыстары
- •§8.1. Функционалды микроэлектрониканың негізгі даму бағыттары
- •§ 8.2. Оптоэлектроника
- •249 Сериялы оптоэлектронды имс - ның электрлік схемасы
- •§ 8.3 . Акустоэлектроника
- •§ 8.4. Диэлектрлік электроника
- •§ 8.5. Хемотроника
- •§ 8.6. Биоэлектроника
- •§ 8.7. Микроэлектрониканың алдағы дамуы
1Бөлім
Микроэлектрониканың дамуының негізгі жағдайы және бағыты.
§ 1.1 Электронды аппаратураның элементтерінің ықшамдау (миниатюризация) және микроықшамдау (микроминиатюризация) кезеңдері.
Жиі радиожабдық (радиодеталь) деп аталатын, электронды аппаратураның дискретті элементті ықшамдау, радиотехника және электрониканың дамуының бүкіл периодының маңызды мәселесі болған және болып табылады. Радиожабдықтар – резисторлар, конденсаторлар, шамдар, трансформаторлар, қосқыштар, ажыратқыштар – жаңа материалдар және рационалды конструциялар қолдану есебінен салмағы және габариті бойынша үздіксіз кемиді. Ықшамдауда әсіресе үлкен жетістіктер 60 – 70 жылдары электронды шамдарды жартылай өткізгішті құрылғылармен ауыстыру және баспалы монтожды қолдану болды. Радиошамдарға қарағанда, көп жағдайда аз кернеуде жұмыс жасайтын және жоғары ПӘК–ке ие болатын, транзисторларды және диодтарды қолдану радиожабдықтардың габариттерін қысқартуға мүмкіндік берді. Сөйтіп, көрсетілген периодта резисторлардың көлемі 50 – 75 есе, пленкалы конденсатордың көлемі 60 – 70 есе азайды, керамикалы конденсаторлардың сиымдылығы 250 – 300 есеге, электролитикалық конденсаторлардың көлемі 5 – 10 есеге үлкейді,радиокомпоненттердің салмағы және габариты 2 – 15 есеге кішірейді.
Радиожабдықтарды ықшамдау, олардың сенімділігін жоғарылату, жартылай өткізгішті құрылғыларды және баспа монтажынқолдану, электронды аппаратураның элементарлы функционалдық түйіні –көп санды электронды схеманың бірінші элементі болып табылатын,модулдерді өңдеуге мүмкіндік берді. Модулдердің көмегімен аппаратураны өңдеудің мерзімін қысқартуға, оның сапасын және сенімділігін арттыруға,жасалған уақытын және құнын азайтуға мүмкіндік беретін, түрлі сәйкес функционалды түйіндерді, блоктарды, шкафтарды жасауға болады.
Радиоэлектронды аппаратураның салмағын және габаритті ары қарай азайту, оның сенімділігін арттыру мәселесін микроықшамдау шешеді –микроықшам радиожабдықтардан және түйіндерден толығымен электронды схемалардың, блоктардың және аппаратуралардың жүзеге асуын қамтамасыз ететін, электрониканың бағыты. Бұл жаңа құрылымдық форманың, аппаратураны құрастыру әдістерінің көмегімен қойылған мәселеге кешенді шешімді қарастыратын, радиоэлектрониканың дамуының сапалы жаңа кезеңі. Микроықшамдаудың бірінші кезеңі жеке микроэлементтерден (резисторлар, конденсаторлар, транзисторлар, диодтар, трансформаторлар және т.б.) жиналатын, микромодулдер болып табылады. Элементтердің толу тығыздығы модулде 3 – 5 деталь/см3 орнына микромодулде 10 – 20 деталь/см3 құрайды. Сонымен қатар, микромодулді қолдану электронды аппаратураның сенімділігін арттырады.
Электронды аппаратураның элементінің ықшамдау және микроықшамдау негізгі бағытын толығырақ қарастырамыз.
Модульдер. Функционалды модулдерді өңдеу кезінде ( немесе жәй модулдерді) әрбір модуль функционалды схеманың аяқталған бөлігін өз алдына көрсетуге және берілген электрлік, механикалық және климатикалық талаптарды қанағаттандыратын аяқталған конструкцияға ие болуға тырысады. Модульдердің сериясы өз араларында жақсы ұштастырылатын, типтік өлшемнің шектік санымен жалғыз конструктивті орындауға ие болуы қажет. Бұл электронды аппаратураны құрастырудың, оның сенімділігін арттыруды, еңбек сиымдылығын дайындауды және құнын азайтуды қамтамасыз ететін, түйінді әдісін қолдануға мүмкіндік береді. Модулдер бұл әдістің құрылымды-технонгиялық базасы болып табылады.
Модулдің құрылымы оның радиожабдықтармен көлемін толтырудың жоғары тығыздығын, оған кіретін элементтерді әртүрлі механикалық және климатикалық әсерден қорғау, аз еңбек сиымдылығын дайындауды қамтамасыз етуі тиіс.
Баспалы монтажды қолдану кезінде модулдің жазық тікбұрышты қалпы тиімдірек және қарапайым болып табылады. Бұндай қалыпэлементтердің біржақты ашық орналасуы кезінде, автоматты желіде олардыңмеханикаландырылған құрастырылуын, жүзеге асыруға мүмкіндік береді. Өнеркәсіпте жазық конструкция түрінде жартылай өткізгішті құрылғыларда, әр түрлі сәйкестендірілген функционалды модулдер шығарылады.
Жазық модулдегі элементтер, кәдімгі баспалы (печатный)монтаж секілді, баспалыплатаның жазықтығынды орналасқан. Мысалға «Элемент-2» модулдері қызмет етуі мүмкін. Олардың баспалы платалары өлшемі бойынша сәйкестендірілген және келесі қатарға сәйкес келеді: 34 × (12; 26; 40; 54; 68; 82; 110; 124; 138) мм және 70 × (82; 110; 124;) мм.