
- •Введение
- •Общие Рекомендации
- •Порядок действий в лаборатории и Методика измерений
- •Обработка результатов измерений
- •1. Правила действий с приближёнными числами
- •2. Погрешности измерений
- •3. Практическая методика статистической обработки результатов измерений
- •4. Погрешности косвенных измерений
- •5. Графическая обработка результатов измерений
- •6. Определение параметров функциональных зависимостей по их графикам
- •Контрольные вопросы
- •Цикл 1. Механика, молекулярная физика и термодинамика
- •С помощью маятника обербека
- •Теория метода и описание установки
- •Задание 1. Определение момента инерции и момента силы трения
- •Выполнение измерений
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Задание 2. Проверка закона сохранения энергии
- •Выполнение задания
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 2. Определение коэффициента упругости пружины
- •Теория метода и описание установки
- •Определение коэффициента упругости пружины динамическим методом
- •Выполнение измерений
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 3. Определение показателя адиабаты методом клемана – дезорма
- •Теория метода и описание установки
- •Задание 1. Определение показателя адиабаты атмосферного воздуха с учётом теплообмена
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 4. Определение вязкости жидкости по методу стокса
- •Теория метода и описание установки
- •Выполнение измерений
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Цикл 2. Электричество и магнетизм
- •Работа № 5. Исследование электростатического поля
- •Краткая теория
- •Выполнение работы
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 6. Определение температурного коэффициента сопротивления металла и энергии активации полупроводника
- •Теория метода
- •Выполнение работы
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 7. Определение горизонтальной составляющей индукции магнитного поля земли
- •Теория метода и описание установки
- •Выполнение работы
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 8. Изучение эффекта холла в полупроводниках
- •Краткая теория
- •Способ определения коэффициента Холла
- •Выполнение работы
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Описание установки
- •Длины волны излучения лазера
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 10. Изучение поляризации света
- •Краткая теория
- •Описание установки
- •Выполнение работы
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 11. Градуировка монохроматора.
- •Краткая теория
- •Описание установки
- •В ыполнение работы
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Работа № 12. Изучение законов внешнего фотоэффекта
- •Краткая теория
- •Описание установки
- •Выполнение измерений Задание 1. Снятие вольтамперной характеристики фотоэлемента
- •Задание 2. Изучение зависимости запирающего напряжения от частоты света
- •Анализ и обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Приложения
- •Содержание отчёта по лабораторной работе
- •Справочные данные
- •Диэлектрические проницаемости веществ
- •Удельные сопротивления ρ (ом×мм2/м или 10–6 ом×м; для растворов ом×см или 10–2 ом×м)
- •Единицы измерения световых величин
- •Основные цвета спектра и соответствующие им длины волн [4]
- •Длины волн спектральных линий некоторых газов, нм [5]
- •Приставки для образования кратных и дольных единиц
- •Библиографический список
- •Оглавление
Контрольные вопросы
Дайте определение: магнитного поля, напряженности и индукции магнитного поля, силовой линии магнитного поля. Письменный ответ на этот вопрос необходимо включить в отчет.
Каковы цели лабораторной работы и что нужно сделать для их достижения?
Назовите составные части лабораторной установки и их назначение.
Какие величины измеряются в данной работе непосредственно? Какие вычисляются?
Дайте определения индукции и напряжённости магнитного поля? В каких единицах они измеряются? Как связаны между собой векторы
и ?
Расскажите об индукции магнитного поля Земли, о её составляющих. В каких точках земного шара горизонтальная составляющая магнитного поля имеет наибольшее значение?
Каковы устройство и принцип действия тангенс-гальванометра?
Как нужно расположить тангенс-гальванометр в магнитном поле Земли?
Сформулируйте закон Био – Савара – Лапласа. Выведите формулу (7.2), используя этот закон.
Как установится магнитная стрелка в магнитном поле Земли, если её ось перпендикулярна плоскости магнитного меридиана?
Какова форма силовых линий и направление вектора индукции магнитного поля
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 прямого проводника с током? Кругового проводника с током?По какому правилу определяется направление силовых линий магнитного поля?
Как связаны между собой характеристики магнитного поля – напряжённость и индукция? В каких единицах измеряются эти величины?
Как зависит угол отклонения магнитной стрелки в тангенс-гальванометре от числа витков и радиуса катушки?
Для какого полушария Земли указано направление магнитного поля на рис. 7.1?
Работа № 8. Изучение эффекта холла в полупроводниках
Цель работы: исследовать зависимость напряжения Холла от величины и направления индукции магнитного поля, практически определить значение постоянной Холла и концентрацию носителей тока в исследуемом полупроводнике.
Оборудование: миниблоки «Ключ» и «Датчик Холла», тороидальный сердечник с обмоткой и прорезью (электромагнит), мультиметр, стрелочный амперметр, источник питания 1,2…12 В, источник питания 3 В, соединительные провода.
Краткая теория
В 1879 г. американский физик Эдвин Герберт Холл (E.H. Hall, 1855-1938) обнаружил, что при помещении тонкой пластины с током I в магнитное поле, перпендикулярное плоскости пластины, в ней возникает поперечная разность потенциалов, которую назвали напряжением Холла. Проведённые измерения показали, что холловское напряжение U прямо пропорционально индукции В магнитного поля и силе тока I, и обратно пропорционально толщине d пластины:
|
(8.2) |
где R – коэффициент пропорциональности (коэффициент Холла), его величина и знак зависят от заряда носителей тока и их концентрации.
Р
ассмотрим
элементарную теорию эффекта Холла.
Пусть носителями тока являются электроны
(например, в металлах и в полупроводниках
n-типа).
При протекании в образце тока плотностью
j
электроны имеют скорость направленного
движения
(скорость дрейфа), направленную против
направления тока (рис. 8.1). Если проводник
с током помещён в магнитное поле, то на
электроны действует сила Лоренца:
FЛ
= |
(8.2) |
направленная перпендикулярно их скорости (см. рис. 8.1). Электроны будут отклоняться к одной из граней, оставляя на противоположной стороне пластины не скомпенсированный положительный заряд.
В результате вдоль оси Y появится поперечное электрическое поле, действующее на электрон с силой
|
(8.3) |
которая направлена противоположно силе Лоренца. Накопление зарядов будет продолжаться до тех пор, пока возникшее электрическое поле не скомпенсирует отклоняющее действие магнитного поля. При равенстве модулей сил
eE = eB |
(8.4) |
установится стационарное состояние, то есть постоянное поперечное электрическое поле Холла, напряжённость которого
E = B, |
(8.5) |
если магнитное поле перпендикулярно скорости дрейфа электронов.
Полагая поперечное электрическое поле однородным, найдём разность потенциалов между противоположными гранями пластины (напряжение Холла)
|
(8.6) |
где b – ширина пластины, или размер образца вдоль направления поля Холла.
Скорость электронов можно выразить через силу тока:
|
(8.7) |
где n – концентрация носителей тока в пластине.
Подставив скорость (8.7) в равенство (8.6), получим напряжение Холла
|
(8.8) |
Сравнивая выражения (8.1) и (8.8), получаем коэффициент Холла
|
(8.9) |
Из этой формулы следует, что знак коэффициента Холла определяется знаком заряда носителей тока. Для металлов и полупроводников n-типа R < 0, а для полупроводников с дырочной проводимостью (р-типа) R > 0.