1.7. Схема розмовного вузла для спільного використання з
електронними номеронабирачами
На рис. 7 наведена одна з найпоширеніших схем розмовного вузла, що застосовується в телефонах - трубках і телефонних апаратах настольного типу, у поєднанні з різними мікросхемами електронних номеронабирачів.
У ній імпульсний ключ одночасно виконує функцію підсилювача сигналу мікрофона, що можливо тільки при використанні тих інтегральних схем (ІС) електронних номеронабирачів, імпульсний ключ (ІК) яких має вихід з відкритим стоком.
База транзистора VT1 підключена як до виходу мікрофона через розділовий конденсатор С1 ємністю 20 нанофарад так і до виходу імпульсного ключа інтегральної схеми електронного номеронабирача. Коли на виході ІК ІС "високий" рівень, транзистори VT1 і VT2 виконують функцію підсилювача сигналу мікрофона, оскільки при цьому високий опір закритого вихідного транзистора ІК ІС як би відключає вихід ІК ІС від бази транзистора VT1. Початкове зміщення на базу VT1 задається резистором R1. Резистор R5 є елементом балансного кола для узгодження з імпедансом лінії. Резистор R6 являє собою навантаження лінії.
Мовні коливання перетворюються в електричний НЧ сигнал електретним мікрофоном, робочий струм якого (0,25 - 0,6) мА встановлюється резистором R2. Від значення робочого струму залежить рівень сигналу мікрофона.
Рис. 7 – Схема розмовного вузла, сумісного з ІС електронного номеронабирача
НЧ сигнал з мікрофону через розділовий конденсатор С1 надходить на базу складеного транзистора VT1-VT2, колекторним навантаженням якого є RАТС. На емітері VT2 НЧ сигнал повторює вхідний за формою і значенням напруги. З колектора VT2 підсилений за напругою, але протифазний вхідному, сигнал передається в лінію до іншого абонента.
Синфазний сигнал з емітера і протифазний сигнал з колектора транзистора VT2, проходячи через резистори R3 і R4 відповідно, якими встановлюється співвідношення амплітуд для найкращого придушення місцевого ефекту, додаючись у точці "В", взаємно подавляються (самоліквідовуються). Цим досягається значне зниження чутності свого голосу при розмові. Таке включення резисторів і транзистора в телефонному апараті, виконує функцію придушення місцевого ефекту.
НЧ сигнал іншого абонента з лінії через відкритий транзистор VT2 і резистор R4 надходить в точку "В". У цій точці він додається до синфазного сигналу, що надходить за іншого кола через R3. Отриманий сумарний сигнал через розділовий конденсатор С2 подається на базу транзистора VT3.
Транзистор VT3, включений за схемою зі спільним емітером, підсилює сигнал за напругою, а транзистор VT4, який представляє собою емітерний повторювач, – за струмом. З емітера цього транзистора через розділовий конденсатор СЗ підсилений сигнал подається на динамічну головку (телефон) BF1. Резистор R7, включений у коло негативного зворотного зв'язку, задає струм зміщення на базу транзистора VT3. Резистори R8 і R9 є відповідно колекторним і емітерним навантаженнями транзисторів VT3 і VT4.
Напруга живлення (близько 3 В) телефонного підсилювача і електретного мікрофона знімається з резистора R6 (150 Ом).
При використанні електродинамічного мікрофона для забезпечення нормальної чутності і розбірливості в схему вводиться додатковий підсилювач, включений за схемою зі спільним емітером (рис. 8).
При цьому резистор R2 (рис. 7) виконує функцію колекторного навантаження транзистора VT1 (рис. 8), а резистор R2 (рис. 8) задає початковий зсув на базу. Конденсатор С1 – розділовий, а резистор R1 служить для усунення збудження підсилювача.
Рис. 8 – Підсилювач електродинамічного мікрофону