
- •4. Изучение внешнего фотоэлектрического эффекта
- •4.1. Цель работы.
- •4.2. Краткие теоретические сведения.
- •4.3. Описание установки.
- •4.4.Методика выполнения работы
- •4.5. Вопросы допуска
- •4.5.3. Какую роль играет фотофильтры при работе фотоэлемента.
- •4.6. Вопросы для самоконтроля и сдачи отчета
- •4.7. Вопросы и тесты для самоконтроля и сдачи отчета
- •4.8. Литература
- •5. Определение показателей преломления твердых тел и жидкостей
- •5.1. Цель работы
- •5.1. Краткие теоретические сведения
- •5.2. 1 Вывод закона преломления света из принципа Ферма.
- •5.2.2. Формула Лоренц-Лорентца. Понятие об удельной рефракции вещества
- •5.2.3. Методика измерения показателя преломления вещества спомощью рефрактометра
- •5.2.4. Измерение показателя преломления стеклянной пластинки с помощью микроскопа
- •5.3.Принцип работы и устройство рефрактометра аббе
- •5.4. Методика работы с использованием рефрактометра аббе
- •5.5.Принцип работы и устройство микроскопа
- •5.6. Методика работы с использованием микроскопа
- •5.7. Вопросы допуска
- •5.8. Вопросы для самоконтроля и сдачи отсчета
- •5.9. Вопросы теста
- •10.Литература
- •6. Градуировка спектроскопа
- •6.1. Цель работы
- •6.2. Краткие теоретические сведения.
- •6.2.1.Непрерывные спектры
- •6.2.2. Линейчатые спектры.
- •6.2.3. Полосатые спектры
- •6.3. Описание установки
- •6.4. Методика работы
- •6.6. Вопросы допуска
- •6.5.Вопросы для самоконтроля
- •6.6. Литература
- •Работа № 4. Изучение основных законов внешнего
4. Изучение внешнего фотоэлектрического эффекта
4.1. Цель работы.
4.1.1. Изучение зависимости фототока от освещенности фотокатода.
4.1.2. Исследование зависимости силы фототока от величины приложенного к фотоэлементу напряжения. Снятие вольт- амперных характеристик фотоэлемента.
4.2. Краткие теоретические сведения.
4.2.1. Квантовая гипотеза Планка привела в дальнейшем к представлению о том, что свет испускается и поглощается отдельными порциями-квантами, и нашла свое подтверждение и дальнейшее развитие в ряде других явлений: фотоэлектрическом эффекте, химическом действии света, эффекте Комптона и т.д.
В явлении внешнего фотоэлектрического эффекта отчетливо проявляются квантовые свойства света. Явление вырывания электронов из твердых и жидких веществ под действием света получило название внешнего фотоэлектрического эффекта (внешнего фотоэффекта). Ионизация атомов или молекул газа под действием света называется фотоионизацией. Экспериментальные исследования внешнего фотоэффекта у металлов показали, что это явление зависит от химической природы металла и существенно влияет на эмиссию электронов под действием света.
Если обучаемым телом и некоторым проводником (анодом) создать электрическое поле с разностью потенциалов φ, ускоряющее фотоэлектроны, то возникает упорядоченное движение этих электронов, называемое фотоэлектрическим током (фототоком). При некотором значении φ>0 фототок достигает насыщения (I=Iн), когда все электроны, покидающие обучаемое тело (катод), достигают анода. Для прекращения фототока между анодом и катодом необходимо создать задерживающее поле с разностью потенциалов φ1, равной
φ1 =
e – абсолютная величина заряда электрона, Wкmax – максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов.
Из закона сохранения энергии следует уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта:
hν=A+Wкэ (4.1)
А=с φо
А – работа выхода электрона из облучаемого вещества, φо - потенциал выхода, hν – энергия фотона
Величины A и φ0 зависят от начального энергетического состояния фотоэлектрона.
Внешний
фотоэффект возможен при частоте излучения
ν
=A/h.
Частота ν0.=А/h
и соответствующая длина волны называются
красной границей фотоэффекта.
Из уравнения (4.1) вытекают законы внешнего фотоэффекта, открытые и исследованные экспериментально А.Г. Столетовым.
Первый закон. Скорость фотоэлектронов является функцией частоты. С увеличением частоты скорость возрастает. Если частота ν света такова, что hν<А, то электроны из металла вылетать не будут. Частота ν0, начиная с которой прекращается вылет фотоэлектронов, определяет порог фотоэффекта и называется красной границей фотоэффекта.
Второй закон. Скорость фотоэлектронов не зависит от интенсивности излучения.
Третий закон. Число фотоэлектронов вылетающих в единицу времени с единицы поверхности при данной длине волны излучения, пропорционально интенсивности излучения.
Четвертый закон. Число фотоэлектронов, вылетающих, в единицу времени с единицы поверхности при постоянной интенсивности (т.е. при постоянном числе падающих фототоков), увеличивается с увеличением частоты.
Фотоэлектрический ток насыщения для данного катода прямо пропорционален мощности излучения, поглощаемого катодом, если спектральный состав излучения неизменен:
Iн= k ф
k – фоточувствительность катода.
В настоящее время в науке и технике широкое применение получили фотоэлементы – приборы, в основе действия которых лежит явление фотоэффекта (схемы управления и сигнализации, техника кино и телевидения и т.д.).