
- •1 Классификация усилительных устройств.
- •2. Основные технические показатели и характеристики усилителя.
- •4. Апериодические усилительные каскады в режиме малого сигнала
- •5. Типы усилителей.
- •6. Усилители с rс-связями.
- •7. Усилители постоянного тока.
- •8. Работа транзисторного усилительного каскада на высоких частотах.
- •11. Общие сведения и принципы построения импульсных усилителей.
- •1. Общие сведения и принципы построения импульсных усилителей
- •12. Анализ импульсного усилителя в области малых времен.
- •13. Анализ импульсного усилителя в области больших времен.
- •14. Общие сведения об операционных усилителях.
- •2 Общие сведения об операционных усилителях
- •15. Основные характеристики оу.
- •17. Свойства операционного усилителя.
- •19. Коррекция частотной характеристики оу.
- •20. Устройства перемножения и деления сигналов.
- •21. Общие сведения об активных фильтрах.
- •22. Пассивные rс – фильтры.
- •23. Реализация активных фильтров.
- •24. Активные фильтры высокого порядка.
- •25. Полосовые и заграждающие аф
- •26. Общие сведения о регулировках тембра
- •27. Принцип регулировки тембра на основе аф
- •28. Регулятор тембра на основе аф.
- •29. Математические модели аналоговой радиоэлектронной системы (рэс).
- •30. Математические модели логических схем цифровой рэс.
- •32. Информационные технологии схемотехнического моделирования аналого-цифровых устройств.
- •34. Общая характеристика задач автоматизации конструкторского проектирования рэс
- •35. Электронные коммутаторы
- •17.5.1. Статические характеристики.
- •17.5.2. Динамические характеристики.
- •17.5.3. Эксплуатационные параметры.
- •17.6.1. Влияние нелинейности аналоговых коммутаторов на искажения передаваемых
- •17.6.2. Защита коммутаторов от перенапряжений.
- •17.7.1. Схемы устройств выборки хранения.
- •17.7.2. Основные характеристики увх.
- •17.7.3. Применение увх.
- •13.1. Общие сведения о компараторах
- •13.2. Аналоговый интегральный компаратор
- •13.2.1. Принципы построения интегральных компараторов
- •13.2.2. Компараторы с однополярным питанием
- •13.2.3. Скоростные компараторы
- •13.3. Применение компараторов
- •13.3.1. Двухпороговый компаратор
- •13.3.2. Детектор пересечения нуля
- •13.3.3. Сравнение напряжений противоположной полярности
- •46. Применение цап.
- •9.8.1. Системы сбора данных
- •9.8.2. Кодеки
- •9.8.3. Измерение энергии
- •9.8.4. Управление двигателями переменного тока
17.5.1. Статические характеристики.
Сопротивление в открытом (включенном) состоянии ключи КМОП, работающие при относительно высоком напряжении питания VS (например, ±15 В), будут иметь малые значения RON во всем диапазоне значений входного сигнала, так как всегда тот или другой проводящий транзистор имеет достаточное прямое смещение затвора, равное, по крайней мере, половине напряжения питания. Но при меньшем напряжении питания сопротивление ключа RON будет расти, и при малых питающих напряжениях максимум RON имеет место при среднем уровне сигнала между высоким и низким напряжениями питания.
На Рис 7.16. приведены зависимости RON ключа микросхемы коммутатора MAX312 от напряжения входного сигнала при однополярном питании.
При уменьшении VS сопротивление полевого транзистора во включенном состоянии значительно увеличивается (особенно вблизи точки VIN=VS/2). Это объясняется тем, что для полевого транзистора с индуцированным каналом, работающего в режиме обогащения, пороговое напряжение составляет несколько вольт, и для достижения малых значений RON требуется напряжение затвор - исток не меньше чем 5...10 В. Как видно из Рис 7.16, сопротивление открытого ключа при номинальном напряжении питания (VS= 15 В), близкое к 10 Ом, при VS= 2.7 В достигает 700 Ом.
Имеются
различные приемы, позволяющие сохранить
значение
RON
малым и примерно
постоянным во всем диапазоне изменения
входного сигнала и тем самым уменьшить
нелинейные искажения последнего.
Например, схему управления ключом
выполняют таким образом, чтобы напряжение
n-подложки
«следило» за напряжением входного
сигнала. Применение транзисторов с
малым напряжением отсечки и повышенной
крутизной позволяет построить коммутаторы
с весьма малым
RON
при низком
питающем напряжении. Так, например,
одноканальный ключ ADG701
при однополярном
питании +5 В имеет сопротивление
RON
ом не более 2.5
Ом. На Рис. 7.17
приведены зависимости сопротивления
открытого ключа низковольтной микросхемы
МАХ391 от напряжения входного сигнала
для различных питающих напряжений при
однополярном и двухполярном питании.
Сопротивление канала открытого транзистора существенно зависит от температуры — при переходе от нижней к верхней границе диапазона температур сопротивление увеличивается приблизительно в 2 раза.
Помимо собственно сопротивления канала открытого ключа изготовители приводят в технических характеристиках коммутаторов значения максимальной разности RON ключей многоканальных коммутаторов и мультиплексоров (RON) и значения неравномерности сопротивления открытого канала (RFLAT_ON), которая определяется как разность между максимальным и минимальным значениями RON одного канала, измеренными в указанном диапазоне коммутируемого аналогового сигнала.
Ток утечки канала. В закрытом состоянии канал МОП-ключа обладает очень высоким, но все же конечным динамическим сопротивлением (до сотен гигом) при напряжении сток—исток более 0.1 В. Наличие конечного сопротивления закрытого канала является причиной тока утечки IQ. Направление протекания тока утечки через закрытый КМОП-ключ определяется полярностью приложенного напряжения. Типичное значение IQ для широкой номенклатуры аналоговых ключей и мультиплексоров составляет величину порядка 1 нА. Однако выпускаются и ключи со значительно более низким током утечки. Например, у 8-канального ADG715 типичный ток утечки при комнатной температуре 0.01 нА. При очень низких напряжениях на закрытом ключе сопротивление канала уменьшается, но остается все-таки весьма высоким. Ток утечки очень сильно зависит от температуры кристалла. Зависимость эта имеет сложный характер, но, как правило, с ростом температуры ток утечки возрастает. Например, для ADG511 изготовитель гарантирует при температуре +25°С значение тока утечки в пределах 0.1 нА и не более 2.5 нА при изменении температуры в диапазоне -40...+85°С.