- •Порядок расчетов сплавного выпрямительного диода
- •Порядок расчета p- I – n диода.
- •Особенности расчета варикапа.
- •Особенности расчета фотодиода.
- •Особенности расчета диода Шоттки.
- •Образование и емкости плавного, резкого и сверхрезкого p-n перехода. Образование электронно-дырочного (р-n) перехода
- •Резкий несимметричный переход
- •Плавный переход
- •Барьерная емкость р-n-перехода
- •Расчет прямой ветви вах диода.
- •8. Расчет обратной ветви вах диода
- •9. Особенности расчета коэффициента передачи тока базы мощного биполярного транзистора.
- •10. Особенности расчеты частоты отсечки мощного биполярного транзистора
- •12. Порядок расчета сопротивлений базы диодов.
- •13. Порядок расчета сопротивлений базы биполярных транзисторов.
- •14. Расчет паразитных емкостей свч мощных моп транзисторов.
- •17.Особенности расчета порогового напряжения короткоканального моп транзистора.
- •20.Конструкция корпуса мощных свч биполярных транзисторов и требования к используемым материалам.
- •21.Особенности функционирования и расчета пороговых напряжений нормально открытых и нормально закрытых птш.
- •Сравнительный анализ электрических параметров вдмоп, гдмоп и vмоп транзисторов. ( см. Вопрос 23 )
- •Расчет сопротивления сток-исток открытого вдмоп транзистора.
- •Сравнительный анализ электрических характеристик птуп и птш.
- •Особенности расчета порогового напряжения узкоканальных моп транзисторов.
- •Расчет сопротивления сток-исток открытого гдмоп транзистора.
- •Расчет сопротивления сток-исток открытого vмоп транзистора.
- •Расчет выходной мощности, удельного сопротивления и ширина эпитиканального слоя вдмоп транзистора.
- •Расчет толщины подзатворного диэлектрика, концентрации акцептов и минимальной длины канала вдмоп транзистора.
- •3.5 Современные структуры транзисторов
- •Расчет величины подвижности свободных носителей заряда в канале моп транзистора и методы ее увеличения.
- •3.7.1 Подвижность
- •Расчет величин пороговых напряжений моп транзисторов с алюминиевым, n-поликремниевым и p-поликремниевым затворами.
- •3.7.2 Пороговое напряжение классического мопт с большими размерами
- •36. Особенности, за и против применения мощных полевых и биполярных транзисторов.
- •37. Пороговое напряжение и крутизна мощных мопт с двойной диффузией.
- •38. Классификация полупроводниковых диодов.
- •39.Принципы действия, вах тиристоров. Требования, предъявляемые к материалам.
- •41.Конструирование структуры тиристоров.
- •42. Пробой тиристорной структуры.
38. Классификация полупроводниковых диодов.
Полупроводниковый диод – прибор с выпрямляющим электрическим контактом, с двумя или одним невыпрямляющими электрическими контактами, в которых используется то или иное свойство выпрямляющего электрического контакта.
В качестве выпрямляющего электрического контакта могут быть использованы p-n переход или контакт металл – полупроводник. Если в качестве выпрямляющего контакта используется контакт металл – полупроводник, то для этого диода необходимо создать только один невыпрямляющий электрический контакт.
Диоды применяются в качестве дискретных компонентов радиотехнических схем для выпрямления переменного тока; использование в СВЧ схемах как смесителей видеодетекторов, модуляторов, переключателей, умножителей, параметрических приборов, преобразования лучистой энергии в электрический ток (фотодиоды), стабилизаторов напряжений и т.д.
В полупроводниковых диодах используются следующие свойства выпрямляющего контакта:
Эффект выпрямления (выпрямляющие диоды).
Туннелирование носителей сквозь тонкий потенциальный барьер (туннельные диоды).
Пробой p-n перехода (стабилитроны, лавинно-пролетные диоды).
Использование барьерной емкости выпрямляющего контакта (варикапы, варисторы).
В этом разделе будут рассмотрены только некоторые типы диодов.
Полупроводниковым диодам присваиваются обозначения из четырех элементов:
первый элемент – буква или цифра, обозначающая исходный материал (Г или 1 – германий, К ли 2 – кремний, А или 3 – соединения галлия);
второй элемент – буква, указывающая подкласс приборов; А – сверхвысокочастотные диоды; Б – приборы с объемным эффектом (Ганна), В – варикапы, Г – генераторы шума, Д – выпрямительные, универсальные импульсные диоды, И – туннельные и обращенные диоды, К – стабилизаторы тока, Л – излучающие диоды, Н – тиристоры диодные, С – стабилитроны и стабисторы, У – тиристоры триодные, Ц – выпрямительные столбы и блоки;
третий элемент – число, первая цифра которого обозначает классификационный номер, а последующие две цифры ( от 1 до 99) – порядковый номер разработки. Для первой цифры третьего элемента приняты следующие классификационные обозначения:
Диоды (Д):
Выпрямительные малой мощности (прямой ток до 0,3 А)……………..1
средней мощности (прямой ток 0,3-10А)…………….2
универсальные (с рабочей частотой до 1000 МГц)……………………...4
импульсные с временем восстановления обратного
сопротивления:
более 150 нс………………………………………………………….5
от 30 до 150 нс……………………………………………………….6
от 5 до 30 нс………………………………………………………….7
от 1 до 5 нс…………………………………………………………...8
менее 1 нс…………………………………………………………….9
Варикапы (В):
подстрочные………………………………………………………….1
умножительные (варакторы)………………………………………..2
Сверхвысокочастотные диоды (А):
смесительные………………………………………………………...1
детекторные………………………………………………………….2
параметрические…………………………………………………….4
регулирующие (переключательные, ограничительные
и модуляторные)……………………………………………………………5
умножительные……………………………………………………………..6
генераторные………………………………………………………………..7
Тиристоры диодные (Н) – неуправляемые:
малой мощности (прямой ток до 0,3 А)…………………………….1
средней мощности (прямой ток 0,3 – 10 А)………………………...2
Тиристоры триодные (У) – управляемые:
незапираемые малой мощности (прямой ток до 0,3 А)……………1
незапираемые средней мощности (прямой ток 0,3 – 10 А)………...2
запираемые малой мощности (прямой ток до 0,3 А)……………….3
запираемые средней мощности (прямой ток 0,3 – 10 А)…………...4
симметричные незапираемые (симисторы)
малой мощности (прямой ток до 0,3 А)……………………………..5
симметричные незапираемые (симисторы)
средней мощности (прямой ток 0,3 – 10 А)…………………………6
Туннельные и обращенные (И):
усилительные …………………………………………………………1
генераторные…………………………………………………………..2
переключательные…………………………………………………….3
обращенные……………………………………………………………4
Излучающие диоды (Л)%
инфракрасного диапазона…………………………………………….1
Видимого спектра (светодиоды) с яркостью
не более 500 нт………………………………………………………...3
более 500 нт …………………………………………………………...4
Стабилитроны и стабисторы (С):
мощностью не более 0,3 Вт с напряжением стабилизации:
до 10 В………………………………………………………………..1
от 10 до 99 В………………………………………………………….2
от 100 до 199 В……………………………………………………….3
мощностью от 0,3 до 5 Вт с напряжением стабилизации:
до 10 В………………………………………………………………...7
от 1 до 99 В……………………………………………………………8
от 100 до 199 В………………………………………………………..9
четвертый элемент – буква, указывающая разновидность прибора данного типа.
Пример обозначения: КВ 102А – кремниевый (широкого применения) варикап подстрочный, номер разработки 02, группа А.
