
- •Міністерство освіти і науки України
- •Аналогові електронні пристрої
- •До лабораторних робіт
- •Лабораторна робота № 1
- •Лабораторна робота №2 аперіодичний підсилювач за схемою із загальним емітером
- •Лабораторна робота №3 підсилювач за схемою із загальним колектором
- •Лабораторна робота №4 підсилювач за схемою із загальною базою
- •Лабораторна робота №5 підсилювач на польовому транзисторі
- •5.1. Резистивний каскад із спільним витоком
- •5.2. Резистивний каскад із спільним затвором
- •5.3. Резистивний каскад із спільним стоком
- •Лабораторна робота №6 диференційний підсилювач
- •Список літератури
Лабораторна робота №4 підсилювач за схемою із загальною базою
У схемі такого типу не міняється полярність сигналів, що підсилюються. З приходом додатної півхвилі сумарний струм емітера збільшується і, отже, транзистор відкривається більше і зменшується за абсолютною величиною напруга колектор-база. На опорі навантаження R3 (рис. 4.1) формується додатна півхвиля напруги з амплітудою більшою, ніж у вхідній півхвилі. Таким чином, полярність і фаза вхідної і вихідної напруг однакові, тобто каскади із загальною базою не інвертують фази.
Рисунок 4.1 ─ Схема підсилювача із загальною базою
Каскад із загальною базою здійснює підсилення тільки за напругою і потужністю. За струмом підсилення немає оскільки коефіцієнт передачі емітерного струму близький до одиниці.
Ефект підсилення за напругою зумовлений тією ж причиною, що й в каскаді із загальним колектором. Вхідний опір у каскаді із загальною базою менший, ніж у схемах із загальним емітером і загальним колектором, а вихідний - найбільший.
Для розгляду основних властивостей підсилювача із загальною базою зручно цю схему зобразити як схему із загальним емітером, що охоплена на змінному струмі 100 % паралельним ВЗЗ за струмом.
Рисунок 4.2 ─ Монтажна схема лабораторного макету підсилювача із загальною базою
Рисунок 4.3 ─ Контакти роз’ємну використанні в схемі підсилювача із загальною базою
ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ
1 .Під’єднати звуковий генератор, осцилограф, вольтметр до клем Г1, Г4, Г2 базового пристрою відповідно.
2.Визначити коефіцієнт підсилення підсилювача за струмом, напругою та потужністю на частотах: 20Гц, 100Гц, 1кГц, 20кГц, при ЕК=6 і ЕК=10B. . Заповнення Таблиці 4.1 рекомендується виконувати при умові, що перемикач S1 знаходиться в положенні 8 або 12, Які саме положення перемикача обрано в тому чи іншому випадку необхідно відмітити.
Таблиця 4.1
-
f
U13
U2
U17
Кu
Iвих
Iвх
Кi
Кu = U17 / U2 Ki = Iвих / Iвх
де Iвих = U17 / Rн Rн – опір навантаження схеми (R5 або R6)
Івх = (U13 – U2) / R1
3.Зняти АЧХ підсилювача при ЕК=10B, при різних опорах навантаження R6 або R7 зашунтований конденсатором C4. Вибір навантаження здійснюється вибором положення перемикача S1. Які саме положення перемикача S1 обрано в тому чи іншому випадку необхідно відмітити.
Таблиця 4.2
R6; R7,C4
-
f
U2
U17
Кu
4.На частотах 100Гц, 1кГц, 20кГц і при ЕК=10B визначити вхідний опір підсилювача при різних опорах навантаження. Вхідний опір визначати шляхом розрахунку, вимірявши падіння напруги на резисторі у вхідному колі.
Rвх = U2 / Iвх, де Івх = UR1/ R1
5.Визначити вихідний опір підсилювача за умов, зазначених у п.4.
Rвих = (U27 – Uн) / Івих, де Iвих = Uн / Rн,
6.Зробити висновки і пояснити отримані результати.
КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
Які основні схеми ввімкнення транзисторів ви знаєте?
Порівняльна характеристика основних схем ввімкнення транзистора з точки зору RВХ, RВИХ, КI, КU.
Методика експериментального визначення RВХ, RВЫХ, КI, КU.
Функціональні призначення елементів схем із загальним емітером, загальною базою, загальним колектором.
Види ЗЗ і методика їх визначення.
Дати визначення частотних та фазовий спотворень.
Дати означення нелінійних спотворень?
Визначити коефіцієнт підсилення підсилювача, який складається з двох каскадів з К1=30, К2=40. Другий каскад охоплений ВЗЗ з
=0,1.
Як залежність коефіцієнта підсилення підсилювача від величини колекторного навантаження?
Намалюйте принципову схему резистивного каскаду на біполярному транзисторі і покажіть на ній шляхи проходження постійних та змінних струмів. Зробіть це і для каскадів на польовому транзисторі та електронній лампі.
Чому дорівнює коефіцієнт підсилення резистивного каскаду в області середніх частот на біполярному транзисторі, польовому транзисторі, електронній лампі? Як залежить коефіцієнт підсилення в області середніх, верхніх і нижніх частот від параметрів підсилювального елемента і схеми?
Що таке площа підсилення підсилювального каскаду? Як вона визначається і від чого залежить? Як вона впливає на підсилювальні властивості широкосмугового каскаду?
Якими елементами схеми визначаються частотні і фазові спотворення резистивного каскаду в області нижніх і верхніх частот?
Якими елементами схеми визначаються перехідні спотворення резистивного каскаду в області малих і великих часових інтервалів?
Намалюйте принципову схему трансформаторного каскаду на біполярному транзисторі.