Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Учебное пособие ФАЭ 15.03.12.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
2.3 Mб
Скачать
  1. Find English equivalents of the following words and word-combinations in the text.

Полезные свойства, полупроводники, соседние атомы, нехватка электронов, отсутствие электронов, кристаллическая структура, положительно заряженные частицы, в окрестности, свободные электроны, прямое смещение, количество тока, рn-переход, ограниченный поток тока.

  1. Match the verbs with the nouns.

  1. to contain

  2. to have

  3. to add

  4. to give

  5. to exist

  6. to cause

  7. to increase

  1. temperature

  2. free electrons

  3. rise

  4. resistance

  5. properties

  6. valence electrons

  7. impurity

  1. Render the text into English.

Полупроводники – твердые вещества, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и которые могут динамически управляться в широком диапазоне. Полупроводники очень важны в технологиях. Полупроводниковые приборы, электронные компоненты, выполненные из полупроводниковых материалов, играют значительную роль в современных электрических устройствах. Примеров применения множество, начиная с компьютеров, сотовых телефонов и заканчивая цифровыми аудиоплеерами.

Полупроводники очень схожи с диэлектриками. Две категории материалов отличаются в основном тем, что в диэлектриках ширина запрещенной зоны больше энергии необходимой для свободного перемещения электронов от атома к атому. При комнатной температуре в полупроводниках, как и в диэлектриках, очень малое количество электронов имеет достаточную тепловую энергию для преодоления запрещенной зоны из валентной зоны в зону проводимости, которая важна для электронов, необходимых для протекания электрического тока. По этой причине чистые полупроводники и диэлектрики в отсутствии приложенного электрического поля имеют почти одинаковое сопротивление. Тем не менее, меньшие размеры запрещенной зоны полупроводников позволяют другим средствам, кроме температуры контролировать их электрические свойства.

Часто внутренние электрические свойства полупроводников изменяют путем добавления примесей. Этот процесс называется легирование. При добавлении достаточно большой доли легирующих примесей, полупроводники будут проводить электричество почти также как металлы.

  1. Give the summary of the text.

Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide, as well as organic semiconductors. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most applications. They use electronic conduction in the solid state as opposed to the gaseous state or thermionic emission in a high vacuum.

Semiconductor devices are manufactured both as single discrete devices and as integrate circuits (ICs), which consist of a number – from a few (as low as two) to billions – of devices manufactured and interconnected on a single semiconductor substrate.

The main reason why semiconductor materials are so useful is that the behavior of a semiconductor can be easily manipulated by the addition of impurities, known as doping. Semiconductor conductivity can be controlled by introduction of an electric field, by exposure to light, and even pressure and heat; thus, semiconductors can make excellent sensors. Current conduction in a semiconductor occurs via mobile or ‘free’ electrons and holes, collectively known as charge and carries. Doping a semiconductor such as silicon with a small amount of impurity atoms, such as phosphorus or boron, greatly increases the number of free electrons or holes within the semiconductor. When a doped semiconductor contains excess holes it is called ‘p-type’, and when it contains excess free electrons it is known as ‘n-type’, where p (positive for holes) or n (negative for electrons) is the sign of the charge of the majority mobile charge carriers. The semiconductor material used in devices is doped under highly controlled conditions in a fabrication facility, or fab, to precisely control the location and concentration of p-and n-type dopants. The junctions which form where n-type and p-type semiconductors join together are called p-n junctions.