Основные характеристики методов измерения удельного сопротивления полупроводниковых структур

Метод

Погрешность, %

Локальность,

мкм

Диапазон ρ, Омсм

Структуры

Четырехзондовый

1 – 5

10 – 50

10^–4 – 510³

Слитки, пластины, n⁺n, p⁺p, n-p, p-n, КНД, КНС

Сопротивление растекания

1 – 10

10

10^–3 – 10³

n-n⁺, p- p⁺, p-n, n-p, многослойные структуры

Бесконтактный

5 – 20

1000

10^–2 – 5

Пластины, n⁺n, p⁺p, КНД, КНС