43. Туннельдік диодтардағы тура және кері токтар.
схемада
белгіленуі
Туннельдік
деп p-n
ауысуы арқылы заряд тасушылары тунельдік
механизм нәтижесінде өтетін және
сипаттамасында дифференциалдық кедергісі
теріс болатын облысы бар жартылай
өткізгіш диодтарды атайды. Туннельдік
диодқа тура кернеу беретін болсақ, p-n
ауысуындағы ішкі өріс нашарлайды, бірақ
электрондардың туннельдік жолмен өтуіне
жеткілікті болып қала береді. Қоспаның
концентрациясы өте үлкен болғанда
(шамамен
)
p-n
ауысуларының сипаттамалары аномальді
болады (1-сурет). Вольт-амперлік сипаттаманың
бұлай өзгеретінін бірінші рет жапон
физигі Лео Изаки (1958 ж.) ашқан болатын.
Ол мұндай ауысулардың электр тогын тек
тура бағытта ғана емес, кері бағытта да
жақсы өткізетінін тапты, сипаттаманың
тура бөлігінде «құлама» аралық (ab)
болатынын анықтады (2-сурет). Қоспаның
концентрациясы шамамен
болатын кәдімгі диодтарда, электрондық
кемтіктік ауысудың қалыңдығы әжептеуір
үлкен болғандықтын, электрондардың
потенциялдық тосқауылдан өту ықтималдығы
жоқтың қасы. Туннельдік диодтарда
қоспаның концентрациясының өте үлкен
болуымен байланысты электрондық-кемтіктік
ауысудың қалыңдығы өте жұқа болады
(шамамен 0,01 мк). Мұндай жағдайда
электрондардың потенциялдық тосқауылдан
өту ықтималдығы көбейеді де, оның
сипаттамасында жоғарғы айтылған құбылыс
байқалады.
Туннельдік
диодтың ВАС-ы
44. Туннель диодтың вольт-амперлік сипаттамасы және оның температураға байланысы.
Туннельдік диод.Бұл p-n өткелді арқылы заряд тасымалдаушылардың туннельдік құбылыс кезінде өту механизмін пайдаланатын және ВАС-да дифференциалдық келергісінің теріс мәндік облысы бар диод.
схемада белгіленуі
Туннельдік деп p-n ауысуы арқылы заряд тасушылары тунельдік механизм нәтижесінде өтетін және сипаттамасында дифференциалдық кедергісі теріс болатын облысы бар жартылай өткізгіш диодтарды атайды. Туннельдік диодқа тура кернеу беретін болсақ, p-n ауысуындағы ішкі өріс нашарлайды, бірақ электрондардың туннельдік жолмен өтуіне жеткілікті болып қала береді. Қоспаның концентрациясы өте үлкен болғанда (шамамен ) p-n ауысуларының сипаттамалары аномальді болады (1-сурет). Вольт-амперлік сипаттаманың бұлай өзгеретінін бірінші рет жапон физигі Лео Изаки (1958 ж.) ашқан болатын. Ол мұндай ауысулардың электр тогын тек тура бағытта ғана емес, кері бағытта да жақсы өткізетінін тапты, сипаттаманың тура бөлігінде «құлама» аралық (ab) болатынын анықтады (2-сурет). Қоспаның концентрациясы шамамен болатын кәдімгі диодтарда, электрондық кемтіктік ауысудың қалыңдығы әжептеуір үлкен болғандықтын, электрондардың потенциялдық тосқауылдан өту ықтималдығы жоқтың қасы. Туннельдік диодтарда қоспаның концентрациясының өте үлкен болуымен байланысты электрондық-кемтіктік ауысудың қалыңдығы өте жұқа болады (шамамен 0,01 мк). Мұндай жағдайда электрондардың потенциялдық тосқауылдан өту ықтималдығы көбейеді де, оның сипаттамасында жоғарғы айтылған құбылыс байқалады.
Туннельдік диодтың ВАС-ы
45. Биполярлы транзистор, жұмыс істеу принципі. Транзистордың эквиваленттік схемасы. Биполярлық транзистор — үш рет кезектесіп орналастырылған электрондық (п) немесе кемтіктік (р) типті откізгішті шалаөткізгіш облыстары, екі р-п өткелі бар, яғни п-р-п не р-п-р құрылымды, көбіне үш электроды (шықпаса) болатын, электр сигналдарын күшейтуге, түрлендіруге арналған шалаөткізгіш аспап. Б.т. жұмысы база деп аталатын ортаңғы облысы арқылы ағып өтетін негізгі емес заряд тасымалдаушылардың ағынын басқаруга негізделген, әдетте, тікелей бағытта ығысқан және базаға негізгі емес заряд тасымалдаушылардын инжекциясын қамтамасыз ететін электронды-кемтіктік өткел эмиттерлік деп аталады, ал осы откелмен базадан бөлінген сол жактагы шалаөткізгіш облыс эмиттер цеп аталады. Кері бағытта ығысқ ан және эмиттерден инжекция жасап, база арқылы өзіне тақаған негізгі емес заряд тасымалдаушыларды жинауды қамтамасыз ететін өткел коллекторлық деп аталады. Осы өткелмен базадан бөлінетін және транзисторлық құрылымның он жақ шетінде орналасқан ШӨ облыс коллектор деп аталады.Биполярлық транзистор – қуатты күшейтуге арналған электрөткізгіштік түрлері алмасатын үш саладан құрылған электр түрлендіргіш аспап. Б.Т-да тоқ екі түрлі заряд тасушы-ң (электро-р ж/е кемтік-ң) қозғалысымен белгіленеді.Б.Т-да үш қабатты жартылай өткізгішті құрылымының көмегімен әр түрлі электр өткізгіштері бар жартылай өткізгіш-н екі р-п өткелдер құрылады. Екі үш қабатты құрылым болуы мүмкін: кемтікті-электронды-кемтікті ж/е электронды-кемтікті-электронды. Әр түрлі электр өткізгіштері бар участіктері алмасуға сәйкесті барлық Б.Т. екі түрге бөлінеді: p-n-p (а сурет) ж/е n-p-n(б сурет) Әр аймақтан тоқ жүретін шықпалар (электродтар) шығарылып, олар эмиттер(Э), коллетор(К) және база(Б)деп аталады.Латын тілінен аударганда emitto- эмиттер- «шығарушы»,ол тарнзситорды заряд тасымалдаушылармен қамтамасыз ететін электрод бол.таб. collector- колектор «жинақтаушы»эмиттердан шыққан заряд тасушыларды қабылдайды.ал заряд тасушылардын эмттердан коллеторға қарай қозғалысын реттейтін –база.Ол ТР-ң реттеуші, басқарушы элетроды болып саналады. n-p-n және p-n-n-p тр-ның жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылық тоқ түзетін заряд тасушыларында. Біріншісінде электрондар, екіншісінде кемтіктер. Б.Т. – әр жақты тағайындауы бар жартылай өткізгіштік күшейткіш аспатар, ал сол себептен әртүрлі күшейткіштерде, генераторларда, логикалы ж/е серпінді құрылғыларда кең қолданылады.
БТ
n1+ - p - эмиттер
n2- - p - коллектор