5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n), Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р), В) МДП с индуцированным каналом типа n, Г) МДП с индуцированным каналом типа р, Д) МДП с встроенным каналом типа n, Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение БТ структуры n- р- n.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при 3) ; при

2. ; при 4) ; при

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=3 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

9. Указать режим работы бт. (Активный, отсечки, насыщения, инверсный).

10. Определить ток коллектора и ток базы для схемы с ОЭ, если β=99, I_Э=10,1 мА, I_КЭ0=0,1 мА

11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n- p-n, включенного по схеме с оэ.

12. Определить h_22Э при U_КЭ=5 В и I_Б=16 мА

.

13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.

14. h_21Э0 = 80. На частоте f = 60 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 4. Определите f_Н21Э.

15 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты Билет № 13

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д9Б и резистора 10 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0,6 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ в рабочей точке, другая на обратной U_ОБР= 40 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=60^О.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =15 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 60 мА,

R_Н =1500 Ом, R_Г =250 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 9 В, L=20 мкГн, С_НОМ=20 пФ

5 Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение полевого тетрода с встроенным каналом типа n.

7. Дать определение крутизны пт.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

5) ; при 6) ; при .

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом р-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=2 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = 2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

9. Указать полярность источников в режиме насыщения.

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОБ, если I_К=9,901 мА, α=0,99, I_КБ0=1 мкА.

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=5 В и I_Б=12 мА

13 Дайте определение граничной частоте.

14. Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 100 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5.

Определите fН21э. Билет № 14

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д7А и резистора 2 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0,7 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 200 мА, другая на обратной U_ОБР=150 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^О С.

3. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =18 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 20 мА,

R_Н =1800 Ом, R_Г =500 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 10 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа n.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом р-типа при U_ЗИ= -1 В имеет крутизну

S=6 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = 2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = 1 В.

9. Указать полярность источников в активном режиме.

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОЭ, если I_К=10,1 мА, α=0,99, I_КБ0=1 мкА.

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. . Определить h_11Э в точке I_Б = 300 мкА

13 Дать определение граничной частоте.

14. Указать зависимость модуля │h_11Э│ от частоты

15 h_21Э0 = 70. На частоте f = 140 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5. Определить f_Н21Э.