Билет № 3
Цепь состоит из последовательно включенного диода КД413Б и резистора 40 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 60 ОС.
Для двух точек одна на прямой ветви ВАХ при IПР= 15мА, другая на обратной UОБР=30 В определить дифференциальное сопротивление Т = 20 ОС.
3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если
UСТ =4,3 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 60 мА,
RН = 430 Ом, RГ =250 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 5 В, L=20 мкГн, СНОМ=40 пФ
5. Структура какого пт изображена на рисунке:
А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа р.
7. Дать определение внутреннего сопротивления Ri.
1)
;
при
2)
;
при
3)
;
при
4)
;
при
8. ОпределитьS при UСИ=7 В, UЗИ=-1 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников в режиме насыщения.
10. Определить ток коллектора, если IБ=100 мкА, IКЭ0=100 мкА, β=100.
11. Укажите входную характеристику для бт структуры n-p-n, включенного по схеме с оэ.
12. Определить h22Э при UКЭ=10 В и IБ=1 мА
13 Дайте определение граничной частоте.
14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
15. h21Э0 = 70. На частоте f = 1 МГц модуль коэффициента передачи равен |h21Э | =50. Определите fН21Э.
Билет № 4
Цепь состоит из последовательно включенного диода Д226Г и резистора 4 Ома. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР= 200 мА, другая на обратной
UОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление Т=60 ОС.
Определить ток, протекающий через стабилитрон, если
U ВХ =12,7 В, UСТ =4,7 В,
IСТ min = 3 мА, IСТ max = 58 мА,
RН =470 Ом, RГ =400 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 6 В, L=10 мкГн, СНОМ=30 пФ
Структура какого ПТ изображена на рисунке:
А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа n.
7. Дать определение крутизны ПТ.
1) ; при 2) ; при
3) ; при 4) ; при
5) ; при 6) ; при .
8 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа при UЗИ=0 В имеет ток стока IС0=5 мА. Напряжение отсечки UЗИ0 = -2 В. Определить ток стока IC крутизну S при напряжении на затворе UЗИ = -1 В.
9. Указать полярность источников в активном режиме.
10. Определить ток коллектора, если IБ=50 мкА, IКЭ0=100 мкА, β=100.
11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ
12. Определить h22Э при UКЭ=10 В и IБ=1 мА
13 Дайте определение граничной частоте.
14 Указать зависимость модуля │h11Э│ от частоты
15 h21Э0 = 70. На частоте f = 10 МГц модуль коэффициента передачи равен |h21Э | =50. Определить fН21Э.