Билет № 5

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода КД102 и резистора 10 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 80 мА, другая на обратной

U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление. Т =20^ОС.

2. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =5,6 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 55 мА,

R_Н =560 Ом, R_Г =250 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 15 В, L=10 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ со встроенным каналом типа n.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

8 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа при U_ЗИ= -1 В имеет ток стока I_С=2 мА. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C0 крутизну S₀ при напряжении на затворе U_ЗИ = 0 В.

9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

10. h_21Б=0,98. Определить h_21Э

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры p-n- p, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_11Э в точке I_Б = 300 мкА

13. Дайте определение предельной частоте f _h21Э.

14. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

15. h_21Э0 = 200. На частоте f = 3 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =100. Определите f_Н21Э.

Билет № 6

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода КД108Б и резистора 10 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 80 мА, другая на обратной

U_ОБР=600 В) определить сопротивление по постоянному току. Т=20 ^ОС.

3. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =6,8 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 45 мА,

R_Н =680 Ом, R_Г =200 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 12 В, L=10 мкГн, С_НОМ=20 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

5. Указать условное изображение ПТ со встроенным каналом типа р.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при 3) ; при

2. ; при 4) ; при

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ=-1 В имеет крутизну

S=3 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C0 крутизну S₀ при напряжении на затворе U_ЗИ = 0 В.

9. Указать полярность источников в режиме насыщения.

10. h_21Э=99. Определить h_21Б

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n-p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=60 В и I_Б=450 мкА

13. Дайте определение граничной частоте f _ГР.

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока эмиттера от частоты в комплексной форме:

1. │h_21Э│= 2. h_21Э=

3. h_21Б= 4. │h_21Э│=

5.│h_21Э│= 6. │h_21Б│=

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты