5. Структура какого пт изображена на рисунке:
А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с встроенным каналом типа р.
7. Дать определение коэффициента усиления μ.
1) ; при 3) ; при
; при 4) ; при
8. Определить S при UСИ=6 В и UЗИ = - 0,4 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
10. β=49. Определить α.
11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.
12. Определить h21Э при UКЭ=4 В и IБ=16 мА
13. Дайте определение частоте f max.
1. КР = 0,7; 2. КР = 1; 3. КР = 10; 4. КР = ; 5. α = 6. β =
14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:
1. │h21Э│= 2. h21Э= 3. h21Б=
4. │h21Э│= 5.│h21Э│= 6. │h21Б│=
15. Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты Билет № 25
Цепь состоит из последовательно включенного диода КД105Б и резистора 4 Ома (рис 1). На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР= 250 мА, другая на обратной UОБР=400) определить сопротивление по постоянному току при Т=20ОС.
3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если
UСТ =120 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 40 мА,
RН =12000 Ом, RГ =2000 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 1 В, L=20 мкГн, СНОМ=30 пФ
Структура какого пт изображена на рисунке:
А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение полевого тетрода с встроенным каналом типа р.
7. Дать определение крутизны пт.
1) ; при 2) ; при
3) ; при 4) ; при
5) ; при 6) ; при .
8. Определить Ri при UСИ=16 В и UЗИ = 0 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
10. β=99. Определить α.
11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОБ
.
12. Определить h11Э в точке UБЭ = 0,8 В
13. Дайте определение граничной частоте.
1. КР = 0,7; 2. КР = 1; 3. КР = 10; 4. КР = ;
5.│h21Б│= 6.│h21Э│= 7. │h21Э│=1
14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока эмиттера от частоты в комплексной форме:
1. │h21Э│= 2. h21Э= 3. h21Б=
4. │h21Э│= 5.│h21Э│= 6. │h21Б│=
15. Указать зависимость модуля │h22Э│ от частоты