Билет № 1
1. Цепь состоит из последовательно включенного диода КД417А и резистора R=40 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
2. Определить прямое и обратное дифференциальные сопротивление диода при IПР = 20 мА и UОБР =20 В (Т = 60 ОС).
3
. Определить
пределы изменения входного напряжения
при сохранении стабилизации выходного
напряжения, если
UСТ =3,3 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 80 мА,
RН =330 Ом, RГ =200 Ом.
Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 9 В, L=20 мкГн, СНОМ=40 пФ
5
. Структура
какого ПТ изображена на рисунке:
А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом (канал типа n)
7. Дать определение крутизны ПТ.
1)
;
при
2)
;
при
3)
;
при
4)
;
при
5)
;
при
6)
;
при
.
8. Определить Ri при UСИ=7 В, UЗИ=0 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников в активном режиме.
10. Определить ток коллектора, если IЭ=10 мА, IКБ0=10 мкА, α=0,98.
11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n-p-n, включенного по схеме с ОБ.
12. Определить h21Э при UКЭ=10 В и IБ=1 мА
13 Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.
14 Указать зависимость модуля │h11Б│ от частоты
15. h21Э0 = 100. На частоте f = 3 МГц модуль коэффициента передачи равен |h21Э | = 50. Определите fН21Э.
Билет № 2
Цепь состоит из последовательно включенного диода КД416 и резистора 5 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,5 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
2. Определить прямое и обратное дифференциальные сопротивление диода при IПР = 200 мА и UОБР =200 В (Т = 60 ОС).
3 . Определить пределы изменения входного напряжения при сохранении стабилизации выходного напряжения, если
UСТ =3,6 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 75 мА,
RН =360 Ом, RГ =200 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 9 В, L=20 мкГн, СНОМ=30 пФ
5. Структура какого пт изображена на рисунке:
А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа n.
7. Дать определение коэффициента усиления μ.
1)
;
при
3)
;
при
;
при
4)
;
при
8. Определить S при UСИ=7 В, UЗИ=0,4 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
10. Определить ток коллектора, если IЭ=20 мА, IКБ0=10 мкА, α=0,98.
11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n-p-n, включенного по схеме с ОЭ.
12. Определить h21Э при UКЭ=10 В и IБ=0,5 мА
13 Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.
14 Указать зависимость модуля │h11Э│ от частоты
15. h21Э0 = 80. На частоте f = 6 МГц модуль коэффициента передачи равен |h21Э | = 40. Определите fН21Э.