2. Выбор элементной базы

Микроконтроллер.

В качестве ядра системы был выбран микроконтроллер AT90S2313 фирмы ATMEL. Данный МК построен на основе RISK архитектуры.

Организация памяти AVR выполнена по схеме Гарвардского типа, в которой разделены не только адресные пространства памяти программ и памяти данных, но также и шины доступа к ним.

Параметры микроконтроллера :

Таблица 1. Пареметры МК AT90S2313

Семейство	AVR
Кол-во регистров общего назначения	32 восьмиразрядных регистра
Система команд	118 команд
U пит	2,7-6B
Стандартная тактовая частота	10 МГц
Объем памяти программ	2 Кб FLASH- памяти
Таймеры	2 таймера 8 и 16 бит с программируемым делителем
Компаратор	Встроенный аналоговый компаратор
Внешний интерфейс	SPI – интерфейс, восьмиразрядный двунаправленный порт, 1 семиразрядный двунаправленный порт, UART

Питание микроконтроллера должно быть стабильным, поэтому оправдано применение стабилизатора (LM 7805) (входное напряжение от 7 до 30 вольт), который обеспечивает на выходе 5 вольт, требующиеся для питания схемы.

Кварцевый резонатор 10.000 МГц имп. HC-49SM

Кварцевые резонаторы предназначены для использования в аналогово-цифровых цепях для стабилизации и выделения электрических колебаний определённой частоты или полосы частот.

Принцип работы: в широкой полосе частот сопротивление прибора имеет ёмкостной характер и только на некоторых (рабочих) частотах имеет широко выраженный резонанс (уменьшение сопротивления).

Кварцевый резонатор имеет лучшие характеристики, чем другие приборы для стабилизации частоты (колебательные контуры, пьезокерамические резонаторы): такие как стабильность по частоте (уход частоты) и температуре (изменение частоты резонанса в зависимости от температуры окружающей среды).

Избирательный, ярко выраженный резонансный характер сопротивления этих компонентов определяет основные области применения кварцевых резонаторов - высокостабильные генераторы тактовых сигналов и опорных частот, цепи частотной селекции, синтезаторы частоты и т.д

Технические параметры

• Резонансная частота,МГц 10.00

• Точность настройки dF/Fх10-6 50

• Температурный коэффициент, Ктх10-6 50

• Нагрузочная емкость,пФ 32

• Рабочая температура,С 0…70

• Корпус HC-49SM

• Длина корпуса L.,мм 10.3

• Диаметр(ширина)корпуса,D(W),мм 4.5

Преобразователь уровней сигналов

В качестве cогласователя уровней RS232 – TTL/CMOS используем микросхему ADM207E.

Основные преимущества данной микросхемы:

Соответствует директиве об ЭМС 89/336/EEC Защита от электростатического разряда в соответствии с IEC 1000-4-2 (801-2) Контактный разряд: ±8 кВ; бесконтактный разряд: ±15 кВ; модель человеческого тела: ±15 кВ Устойчивость к импульсным помехам Низкий уровень электромагнитных излучений (EN 55022)

Не требует применения подавителей импульсных помех TransZorb® Гарантированная пропускная способность 230 кбит/с Однополярное питание 5 В Режим отключения (1 мкВт) Прямое замещение MAX2xxE Выпускается в компактном корпусе TSSOP (IEC 1000-4-4)

Транзисторная сборка ULN2003

Особенности :

• Номинальный ток коллектора 500 мА (одного ключа)

• Высоковольтный выход до 50 В

• Встроенный защитный диод на выходе

• Вход совместим с различными типами логики

• Возможность использования для управления реле

Диапазон рабочих температур минус 20°C ≤ TА ≤ +70 °C.

Электрические параметры при TА = 25°C

Таблица 2. Электрические параметры ULN2003

Наименование параметра, единицы измерения	Условное обозначе- ние	Режимы		Норма
				не менее	не более
Входное напряжение в открытом состоянии, В	VI(on)	VCE = 2В	IC = 200 мА 2,4		2,4
			IC = 250 мА 2,7		2,7
			IC = 300 мА 3		3
Напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения, В	VCE(sat)	II = 250 мкА, IC = 100 мА			1,1
		II = 350 мкА, IC = 200 мА 1,3			1,3
		II = 500 мкА, IC = 350 мА 1,6			1,6
Ток отсечки коллектора, мкА	ICEX	VCE = 50 В, II = 0			50
Прямое падение напряжения на защитном диоде, В	VF	IF = 350 мА			2
Входной ток, мА	II	VI = 3.85 В			1,35
Обратный ток защитного диода, мкА	IR	VR = 50 В			50

Индикатор

В качестве индикатора был выбран GNT-5631 - трехразрядный светодиодный цифровой дисплей с общим анодом.

Пассивные элементы

Номиналы пассивных элементов взяты из документации на вышеописанные микросхемы.

С1	0.1 мкФ
С2	0.1 мкФ
С3	0.1 мкФ
С4	0.33 мкФ
С5	0.1 мкФ
С6	0.1 мкФ
С7	0.1 мкФ
С8	20пФ
С9	20пФ
С10	100 мкФ
С11	10 мкФ
С12	0.1 мкФ
R1	400к Ом
R2	5 кОм
R3	10 кОм
R4	1 кОм
R5	1 кОм
R6	1 кОм
L1	1-10 мк Гн

Транзисторы

Для переключения индикаторов нам потребуются три (по числу индикаторов) транзистора P-N-P проводимости.