
1.4. Контрольные вопросы
Устройство режимы работы БТ.
Соотношения между базовым, эмиттерным и коллекторным токами в нормальном активном режиме работы БТ.
Назначение и устройство ЭП.
Расчёт входного, выходного сопротивлений и коэффициента усиления по напряжению ЭП.
Назначение базового делителя напряжения в схемах с однополярным источником питания.
Рабочая точка транзистора.
Источник тока и источник напряжения.
Назначение и устройство источника тока на БТ.
Расчёт основных характеристик источника тока на БТ.
Назначение и устройство схемы «Токового зеркала».
Расчёт основных характеристик «Токового зеркала».
Назначение усилителей.
Назначение и устройство усилителя с ОЭ.
Расчёт входного, выходного сопротивлений и коэффициента усиления по напряжению усилителя с ОЭ.
Назначение и устройство усилителя с ОЗЭ.
Расчёт входного, выходного сопротивлений и коэффициента усиления по напряжению усилителя с ОЗЭ.
Назначение и устройство усилителя с ОЗЭ и ОС по постоянному току.
Расчёт входного, выходного сопротивлений и коэффициента усиления по напряжению усилителя с ОЗЭ и ОС по постоянному току.
Назначение и устройство двухтактного ЭП.
Расчёт входного, выходного сопротивлений и коэффициента усиления по напряжению для двухтактного ЭП.
Вольт-амперные и передаточные характеристики БТ.
Нелинейные характеристики в транзисторных схемах. Причины их появления.
Переходные искажения в схеме двухтактного ЭП и причины их появления.
Достоинства и недостатки схем ЭП и двухтактного ЭП. Области применения этих схем.
Достоинства и недостатки источника тока на БТ и «Токового зеркала». Области применения этих схем.
Достоинства и недостатки усилителей с ОЭ, ОЗЭ и усилителя с ОЗЭ и ОС по постоянному току.
Положительная и отрицательная ОС.
Включение БТ по схемам с ОБ, ОЭ и ОК.
Назначение резистора и ёмкости в эмиттерной цепи усилительных схем.
Разделение каскадов радиотехнического устройства по постоянному току, назначение и способы осуществления.
Соотношение между входными и выходными сопротивлениями каскадов радиотехнического устройства. Методы согласования входных и выходных сопротивлений.
ВАХ идеального диода. Обратный ток насыщения и тепловой потенциал.
Причины и способы устранения температурной нестабильности рабочей точки БТ.
Методы измерения входного и выходного сопротивлений транзисторных схем.
Методика измерения коэффициента усиления по напряжению.
Эквивалентная схема транзисторов
Характерные значения параметров БТ.
Литература
Хоровиц П. Искусство схемотехники : Пер. с английского / П. Хоровиц, У.Хилл. – М. : Мир, 2003. – 704 с.: ил.
Титце У. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с немецкого / У.Титце, К.Шенк. – М.: Мир, 1982. – 512 с.: ил.
Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов / И.П.Степаненко. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2004. – 488 с.: ил.
Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие /В.А.Гуртов. М.: Техносфера, 2007. – 408 с.